英飞凌科技股份公司提供一系列EiceDRIVER™栅极驱动IC，专门用于控制功率器件，如IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT。这些IC能够增强设计的简便性，缩短开发周期，减少物料清单（BOM）成本和电路板空间占用，并提升可靠性。
EiceDRIVER™栅极驱动IC覆盖了从非隔离型（N-ISO）到电气隔离型无磁芯变压器（CT）的技术，提供单通道至全桥等不同驱动结构。它们支持多种电压等级，如25V至2300V，适用于不同应用需求。英飞凌的栅极驱动IC产品线还包括OptiMOS™、StrongIRFET™、CoolMOS™ SJ MOSFET、IGBT单管、中低功率IGBT模块、CoolSiC™碳化硅MOSFET、CoolGaN™ e-mode HEMT等功率器件。
英飞凌的栅极驱动IC广泛应用于多个领域，包括电动汽车传动系统、商用空调、电动汽车充电、工业驱动、轻型电动车（LEV）、照明、低压驱动和电池供电设备、大型和小型家电、光伏、电信、服务器和工业用开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）等。
英飞凌的栅极驱动IC结构类型涵盖了非隔离型（N-ISO）、PN结隔离（JI）、绝缘体上硅（SOI）和无磁芯变压器（CT）技术。产品组合包括非隔离型TDI栅极驱动IC、半桥及高低边栅极驱动IC、三相栅极驱动IC、全桥栅极驱动IC、高边栅极驱动IC、电气隔离型栅极驱动IC、车规级栅极驱动IC等。此外，MOTIX™系列电机栅极驱动IC则针对低压电机控制应用。
英飞凌的栅极驱动IC在结构、功能、封装等方面都有全面考虑，以适应各种应用需求。例如，非隔离型低边栅极驱动IC、电平转换栅极驱动IC、电气隔离型栅极驱动IC、车规级栅极驱动IC等，以及支持功能如栅极驱动IC封装选项、栅极驱动IC兼容性、新产品亮点、英飞凌控制器技术、栅极驱动社区和仿真模型等。
