天承科技：2024年半年度报告

公司代码：688603公司简称：天承科技 广东天承科技股份有限公司2024年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分，请投资者注意投资风险。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人童茂军、主管会计工作负责人王晓花及会计机构负责人（会计主管人员）王晓花 声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义4 第二节公司简介和主要财务指标8 第三节管理层讨论与分析12 第四节公司治理31 第五节环境与社会责任32 第六节重要事项35 第七节股份变动及股东情况62 第八节优先股相关情况71 第九节债券相关情况72 第十节财务报告73 备查文件目录 载有公司法定代表人签名并盖章的公司2024年半年度报告全文。载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表。报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。 第一节释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义天承科技、母公司、公司、本公司 指 广东天承科技股份有限公司 实际控制人 指 童茂军 天承有限 指 广州市天承化工有限公司、广东天承科技有限公司，发行人前身 天承化工 指 天承化工有限公司，天承科技股东 上海道添 指 上海道添电子科技有限公司（原广州道添电子科技有限公司），天承科技股东 上海青骐 指 上海青骐企业管理合伙企业（有限合伙）（原广州润承投资控股合伙企业（有限合伙））,天承科技股东 青珣电子 指 上海青珣电子科技合伙企业（有限合伙）（原广州天承电子科技合伙企业（有限合伙）），天承科技股东 睿兴二期 指 宁波市睿兴二期股权投资合伙企业（有限合伙）（原深圳市睿兴二期电子产业投资合伙企业（有限合伙）），天承科技股东 川流长枫 指 分宜川流长枫新材料投资合伙企业（有限合伙），天承科技股东 华坤嘉义 指 宁波梅山保税港区华坤嘉义投资管理合伙企业（有限合伙），天承科技股东 人才基金 指 深圳市人才创新创业二号股权投资基金合伙企业（有限合伙），天承科技股东 小禾投资 指 深圳市小禾投资合伙企业(有限合伙)，天承科技股东 发展基金 指 聚源中小企业发展创业投资基金（绍兴）合伙企业（有限合伙）（原中小企业发展基金（绍兴）股权投资合伙企业（有限合伙）），天承科技股东 皓森投资 指 南京皓森股权投资合伙企业（有限合伙）（原佛山皓森股权投资合伙企业（有限合伙）），天承科技股东 苏州天承 指 苏州天承化工有限公司，公司全资子公司 上海天承 指 上海天承化学有限公司，公司全资子公司 天承新材料 指 广东天承新材料科技有限公司，公司全资子公司 湖北天承 指 湖北天承科技有限公司，公司之前的全资子公司，公司已于2024年6月出售持有的全部股权 天承化学 指 广东天承化学有限公司，公司全资子公司 天承半导体 指 上海天承半导体材料有限公司，公司全资子公司 安美特 指 美国安美特公司，纽交所上市公司，股票代码ATC 陶氏杜邦 指 DupontDeNemours,Inc.，由陶氏化学（DowChemical）和杜邦（DuPont）合并成立，纽交所上市公司，股票代码DD 麦德美乐思 指 美国麦德美乐思公司，为ElementSolutionsInc（ESI.NY）子公司 JCU 指 日本JCU株式会社，东京交易所上市公司，股票代码4975 超特 指 超特国际股份有限公司（JETCHEMINTERNATIONALCO.,LTD.） 民生证券 指 民生证券股份有限公司 招商银行 指 招商银行股份有限公司 国泰君安 指 国泰君安股份有限公司 《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》 《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》 《公司章程》 指 天承科技现行有效的《广东天承科技股份有限公司章程》 PCB/印制电路板 指 组装电子零件用的基板，英文全称“PrintedCircuitBoard”，简称PCB，是在通用基材上按预定设计形成点间连接及印制元件的印制板，电子元器件电气相互连接的载体，又称为“印制电路板”或“印刷线路板” 电子电路 指 电子电路基板和安装元件的电子电路基板总称 电子化学品 指 电子化工材料，一般泛指电子工业使用的专用化学品和化工材料，即电子元器件、印刷线路板、工业及消费类整机生产和包装用各种化学品及材料。电子化学品具有品种多、质量要求高、对环境洁净度要求苛刻、产品更新换代快、资金投入量大、产品附加值较高等特点 功能性湿电子化学品 指 国家统计局2018年11月颁布的《战略性新兴产业分类(2018)》(国家统计局令第23号)，公司属于“3.3先进石化化工新材料”之“3.3.6.0专用化学品及材料制造(C3985电子专用材料制造)”之“功能性湿电子化学品(混剂)”功能性湿电子化学品系指通过复配手段达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的配方类或复配类化学品 双面板 指 指双面都有导体线路，中间是介电层的电路板 多层板 指 指有多层导体线路，每两层之间是介电层的电路板 高密度互联板 指 英文名为HighDensityInterconnect，简称HDI。HDI是印制电路板技术的一种，是随着电子技术更趋精密化发展演变出来用于制作高精密度电路板的一种方法，可实现高密度布线，一般采用积层法制造。HDI板通常指孔径在0.15mm(6mil)以下(大部分为盲孔）、孔环之环径在0.25mm(10mil)以下的微孔，接点密度在130点/平方英寸以上，布线密度在117英寸/平方英寸以上的多层印制电路板 高频高速板 指 指利用特殊材料和特别工艺制作的，专用于高频和高速信号传输的因子电路板 软板 指 英文名为FlexiblePrintedCircuit，简称FPC，指用柔性的绝缘基材制成的印制电路板，并具有一定弯曲性的印制电路板，又称“柔性电路板”、“柔性板” 软硬结合板 指 又称刚挠结合板，即将刚性板和挠性板有序地层压在一起，并以金属化孔形成电气连接的电路板。使得一块PCB上包含一个或多个刚性区和柔性区，既可以提供刚性板的支撑作用，又具有挠性板的弯曲性 类载板 指 英文名为Substrate-likePCB，简称SLP，一种线宽/线距更小的高精密印制电路板，可将线宽/线距从HDI的40/50微米缩短到20/35微米,接近用于半导体封装的封装载板 半导体测试板 指 半导体芯片测试过程中使用的PCB，应用于从晶圆测试到芯片封装前后测试的各流程中 载板 指 又称封装载板、IC载板，指直接用于搭载芯片的PCB，可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效，以实现多引脚化，缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯片模块化的目的 半导体封装板 指 指与半导体封装、测试相关的PCB，主要种类包括半导体测试板、载板等 金属网格 指 指将铜等导电金属及其氧化物的丝线密布在基材导电层上，形成导电金属网格图案，通过感应触摸实现信号传输功能 半导体电镀 指 在芯片制造过程中，将电镀液中的金属离子电镀到晶圆表面形成金属互连 电镀液添加剂 指 电镀工艺核心材料，改善镀层性能及电镀质量。在电镀工艺中，电镀液添加剂与基础液相互作用，在电场作用下实现金属电化学沉积 先进封装 指 处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结构的封装、晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、2.5D封装、3D封装等均被认为属于先进封装范畴。先进封装四大要素分别为RDL、TSV、Bump和Wafer，RDL起到XY平面电气延伸的作用，TSV起到Z轴电气延伸的作用，Bump起到界面互联和应力缓冲的作用，Wafer作为集成电路的载体以及RDL和TSV的介质和载体 凸块（Bumping）技术 指 在芯片上制作凸块，通过在芯片表面制作金属凸块提供芯片电气互连的“点”接口，广泛应用于FC（倒装）、WLP（晶圆级封装）、CSP（芯片级封装）、3D（三维立体封装）、（SiP）系统级封装等先进封装。凸块制造过程一般是基于定制的光掩模，通过真空溅镀、黄光、电镀、蚀刻等环节而成，该技术是晶圆制造环节的延伸，也是实施倒装（FC）封装工艺的基础及前提。材料一般为Cu、Au、Ni、Ag-Sn等，有单金属的凸点，也有合金凸点，最常用的凸点材料是Cu和Au。相比以引线作为键合方式传统的封装，凸块代替了原有的引线，实现了“以点代线”的突破。该技术可允许芯片拥有更高的端口密度，缩短了信号传输路径，减少了信号延迟，具备了更优良的热传导性及可靠性。此外，将晶圆重布线技术（RDL）和凸块制造技术相结合，可对原来设计的集成电路线路接点位置进行优化和调整，使集成电路能适用于不同的封装形式，封装后芯片的电性能可以明显提高 重布线层（RDL）技术 指 RedistributionLayer，起着XY平面电气延伸和互连的作用。RDL技术的核心是在晶圆表面沉积金属层和介质层并形成相应的金属布线图形，对芯片的I/O端口进行重新布局，根据后续封装工艺需求，将其布局到新的且占位更为宽松的区域，并形成面阵列排布。随着工艺技术的发展，通过RDL形成的金属布线的线宽和线间距也越来越小，从而提供更高的互连密度。目前RDL技术多采用电化学沉积的方式来完成 硅通孔（TSV）技术 指 硅通孔（TSV，Through-SiliconVia），通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的新的技术解决方案。TSV技术能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，芯片之间的互连线最短，外形尺寸最小，大大改善芯片速度 玻璃通孔（TGV）技术 指 玻璃通孔（TGV，Through-GlassVia）是一种先进的微型化封装技术，它主要应用于半导体封装和微电子设备中。TGV技术涉及在玻璃基板上制造穿透孔（即通孔），然后填充导电材料（如金属），以形成垂直连接。这种连接方式允许电子信号和电力在芯 片的多个层次之间高效传递，有助于实现更小型、更高性能的电子设备 大马士革工艺 指 衍生自古代的Damascus（大马士革）工匠之嵌刻技术，先在介电层上刻蚀金属导线用的图膜，然后再填充金属，特点是不需要进行金属层的刻蚀 沉铜 指 又称化学铜、无电铜（ElectrolessCopper），指通过化学方法在基体表面沉积一层铜原子的技术。 水平沉铜/垂直沉铜 指 两种不同的沉铜工艺，水平沉铜采用水平收放板，垂直沉铜采用挂篮上下板，两种工艺采用的设备和药水有较大区别 电镀 指 利用电解原理在某些金属表面上镀上一薄层其它金属或合金的过程，即利用电解作用使金属或其它材料制件的表面附着一层金属膜的工艺从而起到防止金属氧化（如锈蚀），提高耐磨性、导电性、反光性、抗腐蚀性及增进美观等作用 直流电镀 指 在直流电流的作用下将溶液中的金属离子不间断地在阴极上沉积析出的电镀方法 脉冲电镀 指 指用脉冲电流代替直流电流的电镀方法，包括采用电镀回路周期性地接通和断开、周期性地改变电流方向、在固定直流上再叠加某一波形脉冲等 棕化、黑化 指 多层板压合前内层处理的常用工艺，通过对铜面进行处理使得铜线路表面与半固化片之间可以形成良好的结合力 粗化 指 指