芯导科技：2024年半年度报告

公司代码：688230公司简称：芯导科技 上海芯导电子科技股份有限公司2024年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”中的“五、风险因素”部分内容。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人欧新华、主管会计工作负责人兰芳云及会计机构负责人（会计主管人员）张娟声 明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义4 第二节公司简介和主要财务指标6 第三节管理层讨论与分析10 第四节公司治理33 第五节环境与社会责任35 第六节重要事项36 第七节股份变动及股东情况54 第八节优先股相关情况59 第九节债券相关情况60 第十节财务报告61 备查文件目录 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表经公司负责人签名的公司2024年半年度报告文本原件报告期内在指定信息披露平台上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿 第一节释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义芯导科技、公司、本公司 指 上海芯导电子科技股份有限公司 无锡芯导 指 芯导科技（无锡）有限公司，公司全资子公司 莘导企管 指 上海莘导企业管理有限公司 萃慧企管 指 上海萃慧企业管理服务中心（有限合伙） 中国证监会、证监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所 指 上海证券交易所 《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》 《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》 《公司章程》 指 《上海芯导电子科技股份有限公司章程》 报告期、本报告期、本年度 指 2024年1月1日-2024年6月30日 报告期末、本报告期末 指 2024年6月30日 元、万元、亿元 指 人民币元、人民币万元、人民币亿元 半导体产品 指 广义的半导体、电子元器件产品，包括集成电路芯片和其他电子元器件产品。 集成电路、IC 指 IntegratedCircuit即集成电路，是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。 功率半导体 指 对功率进行变频、变压、变流、功率放大及管理的半导体器件。 芯片 指 集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果。 TVS 指 TransientVoltageSuppresser，即瞬态电压抑制器，是普遍使用的一种新型高效电路保护器件。它具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌吸收能力，可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压，以及感应雷所产生的过电压。 MOSFET 指 Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（Field-effecttransistor），依照其“通道”的极性不同，可分为N-type与P-type的MOSFET。 GaNHEMT 指 GaN(氮化镓)HEMT即HighElectronMobilityTransistor(高电子迁移率晶体管)是一种用于新一代功率元器件的化合物第三代半导体材料。与普通的半导体材料硅相比，具有更优异的物理性能。 肖特基二极管 指 肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），在通信电源、变频器等中比较常见。是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管芯片，具有反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降更低（仅0.4V左右）的特点。 ESD 指 静电保护二极管，是用来避免电子设备中的敏感电路受到静电放电影响的器件。 TMBS 指 TrenchMOSBarrierSchottkyDiode，沟槽MOS型肖 特基势垒二极管。 DC-DC 指 在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个电压值的电能的转换电路，也称为直流转换电源。 IDM 指 IntegratedDesignandManufacture，垂直整合制造模式。 Fabless 指 无晶圆厂集成电路设计企业，只从事集成电路研发和销售，而将晶圆制造、封装和测试环节分别委托给专业厂商完成；也代指此种商业模式。 晶圆 指 硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。 封装 指 把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便于其它器件连接。 测试 指 把已制造完成的半导体元件进行结构及电气功能的确认，以保证半导体元件符合系统的需求。 平面（Planar）工艺 指 平面工艺，是MOSFET产品常见的一种生产工艺。 沟槽（Trench）工艺 指 沟槽工艺，通常可以进一步提高MOSFET产品的沟道密度，减小芯片尺寸，降低导通电阻，拥有更低的导通电阻和栅漏电荷密度。 PSC 指 PrisemiSwitchCharger，指芯导科技开关充电产品。 PB 指 PowerBank，移动电源的电源管理。 PLC 指 PrisemiLinearCharger，指芯导科技线性充电管理产品 ODM 指 OriginalDesignManufactuce，原始设计制造商。它可以为客户提供从产品研发、设计制造到后期维护的全部服务，客户只需向ODM服务商提出产品的功能、性能甚至只需提供产品的构思，ODM服务商就可以将产品从设想变为现实。 NPN 指 半导体工艺中，通过参杂实现的N型+P型+N型三种结构层，用来实现器件的特殊的功能。 Cascode 指 共源共栅级联结构，通常是将低压N-MOSFET器件和常开型GaNHEMT器件进行连接合封，形成一个整体常态关断状态器件。 IGBT 指 InsulatedGateBipolarTransistor，即绝缘栅双极型晶体管，IGBT产品集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有高电压、大电流、易于开关、电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关速度快和工作频率高等优点，为世界公认的电力电子第三次技术革命的代表性产品。 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 公司的中文名称 上海芯导电子科技股份有限公司 公司的中文简称 芯导科技 公司的外文名称 ShanghaiPrisemiElectronicsCo.,Ltd. 公司的外文名称缩写 Prisemi 公司的法定代表人 欧新华 公司注册地址 中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号 公司注册地址的历史变更情况 报告期内无变更 公司办公地址 中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号；上海市浦东新区张江集成电路设计产业园盛夏路565弄54号（D幢）10-11层 公司办公地址的邮政编码 201210；201203 公司网址 http://www.prisemi.com 电子信箱 investor@prisemi.com 报告期内变更情况查询索引 无 二、联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 证券事务代表 姓名 兰芳云 闵雨琦 联系地址 上海市浦东新区张江集成电路设计产业园盛夏路565弄54号（D幢）11层 上海市浦东新区张江集成电路设计产业园盛夏路565弄54号（D幢）11层 电话 021-60753051 021-60753051 传真 021-60870156 021-60870156 电子信箱 investor@prisemi.com investor@prisemi.com 三、信息披露及备置地点变更情况简介 公司选定的信息披露报纸名称 上海证券报（www.cnstock.com）、中国证券报（www.cs.com.cn）、证券时报（www.stcn.com）、证券日报（www.zqrb.cn） 登载半年度报告的网站地址 www.sse.com.cn 公司半年度报告备置地点 公司证券部 报告期内变更情况查询索引 无 四、公司股票/存托凭证简况 (一)公司股票简况 √适用□不适用 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所科创板 芯导科技 688230 不适用 (二)公司存托凭证简况 □适用√不适用 五、其他有关资料 □适用√不适用 六、公司主要会计数据和财务指标 (一)主要会计数据 单位：元币种：人民币 主要会计数据 本报告期（1－6月） 上年同期 本报告期比上年同期增减(%) 营业收入 155,807,983.65 131,160,155.43 18.79 归属于上市公司股东的净利润 52,214,533.05 38,269,379.72 36.44 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 24,891,104.19 11,030,495.26 125.66 经营活动产生的现金流量净额 21,209,493.59 29,590,563.21 -28.32 本报告期末 上年度末 本报告期末比上 年度末增减(%) 归属于上市公司股东的净资产 2,207,831,075.53 2,222,549,376.04 -0.66 总资产 2,254,557,955.22 2,281,544,663.25 -1.18 (二)主要财务指标 主要财务指标 本报告期 （1－6月） 上年同期 本报告期比上年同 期增减(%) 基本每股收益（元／股） 0.44 0.33 33.33 稀释每股收益（元／股） 0.44 0.33 33.33 扣除非经常性损益后的基本每股收益（元／股） 0.21 0.09 133.33 加权平均净资产收益率（%） 2.32 1.75 增加0.57个百分点 扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率（%） 1.11 0.50 增加0.61个百分点 研发投入占营业收入的比例（%） 11.05 16.24 减少5.19个百分点 公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用□不适用 报告期内，公司实现营业收入15,580.80万元，较上年同期增长18.79%；实现归属于上市公司股东的净利润5,221.45万元，较上年同期增长36.44%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润2,489.11万元，较上年同期增长125.66%；每股收益0.44元，较上年同期增长33.33%；扣除非经常性损益后的每股收益0.21元，较上年同期增长133.33%。影响上述指标变动的主要原因有： 1、主营业务影响 2024年上半年，下游需求回暖及厂商持续推进库存去化，半导体行业也逐步呈现了复苏迹象，受益于消费电子市场景气度回暖，公司主营产品所处的市场需求相较于去年同期有所提升； 公司抓住市场的有利因素，采取有效的销售策略，巩固现有市场份额，拓展新市场，营业收 入较上年同期增长18.79%；同时，积极推进产品更新迭代，加强供应链的合作及开发，相比上年同期，毛利率增长2.16个百分点。 2、期间损益的影响 (1)为保持公司更加稳健的发展，报告期内