芯导科技：2023年年度报告
公司简称：芯导科技 上海芯导电子科技股份有限公司2023年年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是√否 三、重大风险提示 公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”中的“四、风险因素”部分内容。 四、公司全体董事出席董事会会议。 五、天职国际会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、公司负责人欧新华、主管会计工作负责人兰芳云及会计机构负责人（会计主管人员）张娟声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司2023年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数分配利润。本次利润分配方案如下： 公司拟向全体股东每10股派发现金红利6.00元（含税），截至2023年12月31日，公司总股本117,600,000股，以此计算合计拟派发现金红利70,560,000.00元(含税)。本年度公司现金分红总额占2023年度归属于上市公司股东净利润的73.13%。 如在本方案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，因可转债转股、回购股份、股权激励授予股份回购注销、重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。上述事项已获公司第二届董事会第十一次会议审议通过，尚需提交公司股东大会审议。 八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 九、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 十二、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否 十三、其他□适用√不适用 目录 第一节释义.....................................................................................................................................5第二节公司简介和主要财务指标.................................................................................................7第三节管理层讨论与分析...........................................................................................................13第四节公司治理...........................................................................................................................46第五节环境、社会责任和其他公司治理...................................................................................60第六节重要事项...........................................................................................................................65第七节股份变动及股东情况.......................................................................................................91第八节优先股相关情况.............................................................................................................101第九节债券相关情况.................................................................................................................102第十节财务报告.........................................................................................................................103 第一节释义 一、释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 三、信息披露及备置地点 四、公司股票/存托凭证简况 (一)公司股票简况 (二)公司存托凭证简况 □适用√不适用 五、其他相关资料 六、近三年主要会计数据和财务指标 (一)主要会计数据 注： 1、2022年11月30日，财政部发布了《企业会计准则解释第16号》（以下简称“解释16号”），其中“关于单项交易产生的资产和负债相关的递延所得税不适用初始确认豁免的会计处理”的规定自2023年1月1日起施行。 2022年1月1日因适用解释16号的单项交易而确认的租赁负债和使用权资产，产生应纳税暂时性差异和可抵扣暂时性差异的，本公司按照解释16号和《企业会计准则第18号——所得税》的规定进行追溯调整。 2、本报告期公司实施资本公积转增股本，基本每股收益、归属于上市公司所有者的每股净资产的上年同期数按调整后股数重新计算。 报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用□不适用 报告期内，公司实现营业收入32,042.67万元，较上年同期减少4.68%；实现归属于上市公司股东的净利润9,648.77万元，较上年同期减少19.23%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润4,357.55万元，较上年同期减少33.39%。影响上述指标变动的主要原因是： 1、主营业务影响 2023年，在全球经济下行及行业景气度尚未恢复的情况下，行业库存消化速度缓慢，市场竞争激烈。受终端需求影响，公司部分细分市场短期增长受阻，部分产品销售价格有所下降，营业收入较去年同期减少； 面对复杂多变的市场环境，公司积极推进产品更新迭代，巩固现有市场份额，拓展新市场，加强供应链的合作及开发，公司2023年度毛利率保持稳定，随着消费电子产品等下游需求逐渐恢复及行之有效的相应策略，下半年公司营业收入较上年同期增长26.57%； 2、期间费用影响 （1）受美元汇率波动影响，2023年度汇兑收益较上年同期减少； （2）公司对核心员工实施中长期激励措施，增加股份支付费用；（3）募投项目购置的房屋建筑物于2022年8月转固，导致2023年折旧费用较上期增加；（4）为保证公司产品的竞争优势，公司有计划、有步骤地进行技术开发，2023年度研发投入较上年同期有所增加； 3、非经常性损益的影响 2023年度，公司使用暂时闲置的资金进行现金管理所产生的收益较上年同期有所增加。 报告期内，公司总资产228,154.47万元，同比增长3.11%；归属于上市公司股东的净资产222,254.94万元，同比增长2.37%，主要为报告期内公司实施2022年年度利润分配及资本公积金转增股本方案，转增33,600,000股，相比上年同期，股本和净资产增加，导致每股收益和加权平均净资产相比上年同期下降。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (三)境内外会计准则差异的说明： □适用√不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。□适用√不适用 十、采用公允价值计量的项目 √适用□不适用 十一、非企业会计准则业绩指标说明 □适用√不适用 十二、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明 √适用□不适用公司因涉及商业秘密，对前五名供应商及客户名称进行豁免披露。 第三节管理层讨论与分析 一、经营情况讨论与分析 2023年度，在地缘政治形势、全球经济环境、行业周期等诸多挑战的背景下，公司始终坚持以“专注于技术创新和价值创造，为客户提供卓越的产品与服务，实现客户、员工、生态伙伴与企业的共存共赢”作为公司使命，凭借优秀的研发能力及研发团队，通过多年的技术积累，具备搭建功率半导体技术平台并基于技术平台开发出相应产品的能力。 目前，公司已先后开发出针对各类细分产品及细分应用领域的技术平台，公司针对TVS产品先后开发了平面工艺普通容值TVS技术平台、平面工艺低容值TVS技术平台、改进型台面工艺TVS技术平台、深槽隔离工艺TVS技术平台、穿通型NPN结构工艺TVS技术平台、具有SCR结构的低电容ESD平台等；公司针对MOSFET产品先后开发了平面（Planar）工艺MOSFET技术平台、沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、改进型沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、屏蔽栅工艺MOSFET技术平台等；公司针对肖特基产品先后开发了平面工艺肖特基技术平台、沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台、改进型沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台等；公司针对第三代半导体GaN HEMT产品开发了高压P-GaN HEMT技术平台；公司针对IC产品先后开发了PSC技术平台、过压保护类技术平台、PB技术平台、音频功放技术平台、DC-DC技术平台，负载开关技术平台。公司随着客户需求的变化、技术的进步，在技术平台下持续更新、迭代，研发出新一代产品投入市场。 （一）报告期内主要经营情况 报告期内，公司实现营业收入32,042.67万元，较上年同期减少4.68%；实现归属于上市公司所有者的净利润9,648.77万元，较上年同期减少19.23%；归属于上市公司所有者的扣除非经常性损益的净利润4,357.55万元，较上年同期减少33.39%。 报告期末，公司总资产228,154.47万元，同比增长3.11%；归属于上市公司的所有者权益222,254.94万元，同比增长2.37%。 （二）报告期内重点任务完成情况 1、持续加大研发投入，提升技术创新能力 报告期内，公司投入研发费用4,317.37万元，同比增长24.11%。作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业，公司一直坚持以自主技术创新为基础，坚持技术领先战略，不断强化技术创新能力。根据市场发展趋势、下游客户需求，有计划、有步骤地进行技术开发和创新，扩展现有产品系列，加强对现有产品的更新迭代，保证公司产品的竞争优势和可持续发展。 （1）功率器件研发方面： ①在TVS产品方面： A．随着终端产品采用的电子元器件耐压越来越低，使工作电路变得更加脆弱和敏感，公司开发出基于1.0*0.6mm尺寸下，电流泄放能力超过20A的单、双向低容值、超低钳位电压的具有 深回退特性的E
