您的浏览器禁用了JavaScript(一种计算机语言,用以实现您与网页的交互),请解除该禁用,或者联系我们。[华鑫证券]:电子行业周报:三星否认其HBM3E通过英伟达所有测试,第三代半导体8英寸时代加速 - 发现报告
当前位置:首页/行业研究/报告详情/

电子行业周报:三星否认其HBM3E通过英伟达所有测试,第三代半导体8英寸时代加速

电子设备2024-08-11毛正、吕卓阳华鑫证券C***
AI智能总结
查看更多
电子行业周报:三星否认其HBM3E通过英伟达所有测试,第三代半导体8英寸时代加速

证 券 研2024年08月11日 究 报三星否认其HBM3E通过英伟达所有测试,第三 告代半导体8英寸时代加速 推荐(维持)投资要点 分析师:毛正 S1050521120001 maozheng@cfsc.com.cn 分析师:吕卓阳S1050523060001lvzy@cfsc.com.cn ▌上周回顾 —电子行业周报 行业相对表现 表现1M3M12M 电子(申万)-8.6-2.6-12.9 沪深300-3.9-9.1-14.2 市场表现 (%)电子沪深300 10 0 -10 -20 -30 资料来源:Wind,华鑫证券研究 1、《电子行业专题报告:3DDRAM时代或将到来,国产DRAM有望迎来变革契机》2024-08-08 2、《电子行业周报:苹果公布季报,AI浪潮助推HBM景气度持续飙升》2024-08-05 3、《电子行业周报:三星HBM3产品或已获得英伟达批准,苹果先进应用研究实验室扩展至深圳》2024-07-29 相关研究 行业研究 8月5日-8月9日当周,申万一级行业普遍处于分化的状态。其中电子行业上涨1.30%,位列第8位。估值前三的行业为国防、综合、计算机,电子行业市盈率为43.07,位列第4位。 电子行业细分板块比较,8月5日-8月9日当周,大部分电子行业细分板块处于上涨态势。其中,消费电子零部件及组装、印制电路板、光学元件涨幅最大。估值方面,数字芯片设计、半导体材料、模拟芯片设计估值水平位列前三,LED、集成电路封测估值排名本周第四、五位。 ▌三星否认其8层堆叠的HBM3E通过英伟达资格测试,但验证进度有望加速 之前有媒体报道,三星在抢夺HBM市场上取得重大进展,三星已通过了英伟达的第五代高带宽内存芯片HBM3E资格测试,报道称,三星和英伟达预计将很快签署供应协议,首批产品可能于今年第四季度开始交付。但是三星电子于本周三否认了路透社有关其第五代HBM3E芯片已通过Nvidia的资格测试的报道,称“仍在与主要客户进行测试”。三星去年以来来一直在努力通过Nvidia的认证测试,其最大竞争对手SK海力士自2月份以来一直向Nvidia供应最先进的8层HBM3E。三星电子执行副总裁金在俊在两周前的财报电话会议室表示,预计HBM3E芯片将占其HBM总销量的60%。目前全球只有SK海力士、美光科技、三星生产这种高尖端高附加值存储芯片,根据TrendForce,SK海力士目前主导着这个新兴市场,预计今年将占据52.5%的市场份额。三星预计将占据42.4%,而美光预计将占据剩余的5.1%。预计今年下半年HBM3E将成为主流产品,SK海力士表示,计划于2025年下半年开始供应12层HBM4。 HBM缺货或影响全球数据中心GPU的供应和数据中心开发商的扩张计划。今年5月,SK海力士宣布,其2024年和2025年大部分时间的高带宽内存(HBM)芯片供应已售罄。根据TrendForce预测,HBM在整个内存市场的份额将在2024年增长近一倍,从2023年的2%增至今年的5%。展望未来,预计到2025年,HBM的市场份额将超过整个内存市场的 10%。预计从2024年开始高带宽内存将占DRAM总市场价值的 20%以上,到2025年可能超过30%。HBM内存的制造成本更高,制造难度更大,制造时间也比标准DRAM更长。因此,内存制造商不可能立即转向增加HBM产量。三星HBM3E在英伟达的验证进度有望加速。建议关注:赛腾股份、精智达、芯源微、伟测科技等。 ▌英飞凌投资全球最大碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂,第三代半导体8英寸时代加速 英飞凌投资20亿欧元的居林晶圆厂将成为全球最大、最具竞争力的200毫米碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂,同时还将生产氮化镓(GaN)器件。英飞凌科技公司已正式启用位于马来西亚居林的新功率工厂一期,该工厂一期投资20亿欧元,采用外购SiC晶圆生产SiC功率半导体,还将包括氮化镓(GaN)外延。第二阶段的投资额高达50亿欧元,将打造全球最大、最高效的200毫米SiC电源工厂。英飞凌已获得价值50亿欧元的设计订单,并已从现有和新客户那里收 到约10亿欧元的预付款,用于持续扩建居林3号工厂。这些设计订单包括汽车行业的六家OEM以及可再生能源和工业领域的客户。居林3将与位于奥地利菲拉赫的英飞凌工厂紧密相连,菲拉赫是英飞凌的全球功率半导体能力中心,该公司已在该工厂提高了SiC和GaN功率半导体的产能。公司的目标是在2025年将生产规模从6英寸扩大到8英寸。建议关注:天岳先进、三安光电、东尼电子、晶盛机电、晶升股份等。 ▌风险提示 半导体制裁加码,晶圆厂扩产不及预期,研发进展不及预期,地缘政治不稳定,推荐公司业绩不及预期等风险。 2024-08-09 EPS PE 重点关注公司及盈利预测 公司代码名称 股价 2023 2024E 2025E 2023 2024E 2025E 投资评级 300316.SZ晶盛机电 27.83 3.48 4.37 5.1 12.67 6.37 5.46 未评级 600703.SH三安光电 11.38 0.06 0.23 0.32 189.67 49.48 35.56 买入 603283.SH赛腾股份 59.41 3.43 4.08 4.79 17.32 14.56 12.40 买入 603595.SH东尼电子 16.19 -2.61 -14.08 未评级 688037.SH芯源微 67.74 1.82 2.91 4.43 37.22 23.28 15.29 买入 688234.SH天岳先进 51.00 -0.11 0.33 0.75 -463.64 154.55 68.00 买入 688372.SH伟测科技 39.23 1.04 2.41 3.84 37.72 16.28 10.22 买入 688478.SH晶升股份 26.44 0.51 0.91 1.28 101.31 29.08 20.6 未评级 688627.SH精智达 42.70 1.24 1.80 2.49 34.44 23.72 17.15 增持 资料来源:Wind,华鑫证券研究(注:“未评级”盈利预测取自万得一致预期) 正文目录 1、股票组合及其变化5 1.1、本周重点推荐及推荐组5 1.2、海外龙头一览7 2、周度行情分析及展望9 2.1、周涨幅排行9 2.2、行业重点公司估值水平和盈利预测12 3、行业高频数据15 3.1、台湾电子行业指数跟踪15 3.2、电子行业主要产品指数跟踪17 4、近期新股21 4.1、龙图光罩(688721.SH):国内稀缺独立半导体掩模版供应商21 4.2、绿联科技(301606.SZ):深耕消费电子领域,产品矩阵布局丰富23 5、行业动态跟踪26 5.1、半导体26 5.2、消费电子28 5.3、汽车电子29 6、行业重点公司公告32 7、风险提示37 图表目录 图表1:重点关注公司及盈利预测6 图表2:海外龙头估值水平及周涨幅7 图表3:费城半导体指数近两周走势8 图表4:费城半导体指数近两年走势8 图表5:7月29日-8月2日行业周涨跌幅比较(%)9 图表6:8月2日行业市盈率(TTM)比较9 图表7:7月29日-8月2日电子细分板块周涨跌幅比较(%)10 图表8:8月2日电子细分板块市盈率(TTM)比较10 图表9:重点公司周涨幅前十股票11 图表10:行业重点关注公司估值水平及盈利预测12 图表11:台湾半导体行业指数近两周走势15 图表12:台湾半导体行业指数近两年走势15 图表13:台湾计算机及外围设备行业指数近两周走势15 图表14:台湾计算机及外围设备行业指数近两年走势15 图表15:台湾电子零组件行业指数近两周走势16 图表16:台湾电子零组件行业指数近两年走势16 图表17:台湾光电行业指数近两周走势16 图表18:台湾光电行业指数近两年走势16 图表19:中国台湾IC各板块产值当季同比变化(%)16 图表20:NAND价格(单位:美元)17 图表21:DRAM价格(单位:美元)17 图表22:全球半导体销售额(单位:十亿美元)17 图表23:全球分地区半导体销售额(单位:十亿美元)17 图表24:面板价格(单位:美元/片)18 图表25:国内手机月度出货量(单位:万部,%)18 图表26:全球手机季度出货量(单位:百万部,%)18 图表27:无线耳机月度出口量(单位:个,%)19 图表28:无线耳机累计出口量(单位:个,%)19 图表29:中国智能手表月度产量(单位:万个,%)19 图表30:中国智能手表累计产量(单位:万个,%)19 图表31:全球PC季度出货量(单位:百万台,%)20 图表32:中国台机/服务器月度出货量(单位:万台)20 图表33:中国新能源车月度销售量(单位:万辆,%)20 图表34:中国新能源车累计销售量(单位:万辆,%)20 图表35:龙图光罩产品概况20 图表36:龙图光罩主要产品营收(单位:万元)21 图表37:龙图光罩营收占比(单位:万元)21 图表38:绿联科技产品矩阵22 图表39:绿联科技营业收入(单位:亿元)24 图表40:绿联科技归母净利润(单位:亿元)24 图表41:本周重点公司公告29 1、股票组合及其变化 1.1、本周重点推荐及推荐组 (1)三星否认其8层堆叠的HBM3E通过英伟达资格测试,但验证进度有望加速 之前有媒体报道,三星在抢夺HBM市场上取得重大进展,三星已通过了英伟达的第五代高带宽内存芯片HBM3E资格测试,报道称,三星和英伟达预计将很快签署供应协议,首批产品可能于今年第四季度开始交付。但是三星电子于本周三否认了路透社有关其第五代HBM3E芯片已通过Nvidia的资格测试的报道,称“仍在与主要客户进行测试”。三星去年以来来一直在努力通过Nvidia的认证测试,其最大竞争对手SK海力士自2月份以来一直向Nvidia供应最先进的8层HBM3E。三星电子执行副总裁金在俊在两周前的财报电话会议室表示,预计HBM3E芯片将占其HBM总销量的60%。目前全球只有SK海力士、美光科技、三星生产这种高尖端高附加值存储芯片,根据TrendForce,SK海力士目前主导着这个新兴市场,预计今年将占据52.5%的市场份额。三星预计将占据42.4%,而美光预计将占据剩余的5.1%。预计今年下半年HBM3E将成为主流产品,SK海力士表示,计划于2025年下半年开始供应12层HBM4。 HBM缺货或影响全球数据中心GPU的供应和数据中心开发商的扩张计划。今年5月,SK海力士宣布,其2024年和2025年大部分时间的高带宽内存(HBM)芯片供应已售罄。根据 TrendForce预测,HBM在整个内存市场的份额将在2024年增长近一倍,从2023年的2%增至今年的5%。展望未来,预计到2025年,HBM的市场份额将超过整个内存市场的10%。预计从2024年开始高带宽内存将占DRAM总市场价值的20%以上,到2025年可能超过30%。HBM内存的制造成本更高,制造难度更大,制造时间也比标准DRAM更长。因此,内存制造商不可能立即转向增加HBM产量。三星HBM3E在英伟达的验证进度有望加速。建议关注:赛腾股份、精智达、芯源微、伟测科技等。 (2)英飞凌投资全球最大碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂,第三代半导体8英寸时代加速 英飞凌投资20亿欧元的居林晶圆厂将成为全球最大、最具竞争力的200毫米碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂,同时还将生产氮化镓(GaN)器件。英飞凌科技公司已正式启用位于马来西亚居林的新功率工厂一期,该工厂一期投资20亿欧元,采用外购SiC晶圆生产SiC功率半导体,还将包括氮化镓(GaN)外延。第二阶段的投资额高达50亿欧元,将打造全球最大、最高效的200毫米SiC电源工厂。英飞凌已获得价值50亿欧元的设计订单,并已从现有和新客户那里收到约10亿欧元的预付款,用于持续扩建居林3号工厂。这些设计订单包括汽车行业的六家OEM以及可再生能源和工业领