事件:韩国时间7月25日和7月31日,SK海力士(000660.KS)和三星电子(005930.KS)分别公布2024年二季度财报。 三星电子:24Q2业绩超预期。Q2营收74.1万亿韩元,YoY+23%。DS半导体业务营收28.6万亿韩元,YoY+94%,QoQ+23%,其中存储芯片营收21.7万亿韩元,YoY+24,QoQ+142%,系Q2HBM和DDR5等高附加值产品需求增加。DX设备体验业务营收42.1万亿韩元,YoY+5%,QoQ-11%,系智能手机整体需求环比下降。盈利方面,Q2毛利率40.2%,QoQ+4pct;归母净利润9.64万亿韩元,YoY+522%,QoQ+46%,较7.97万亿韩元的市场预期高逾21%,对应EPS为1419韩元。 存储涨价叠加HBM强劲需求,驱动三星内存业务高增长。1)存储周期持续上行,DRAM和NAND价格环比双位数增长。24Q2,DRAM ASP环比上涨10%,NAND ASP环比上涨20%;出货量方面,DRAMbit出货环比录得中个位数上涨,NAND bit出货环比录得中个位数下降,由于销售量超过生产量,传统存储库存水平较Q1改善。2)AI服务器驱动HBM、服务器DDR5和服务器SSD等高端产品增长强劲,HBM研发和量产顺利。三星HBM3E-8H已处于评估阶段,预计24Q3正式量产;三星业内首个开发推出HBM3E-12H,当前已运送样品给客户,并预计24 H2 扩大供应;HBM4方面,目标24 H2 ~25 H2 期间上市;三星同时开发定制化HBM产品,以解决客户个性化需求。产能方面,三星HBM产能24年将较23年扩产至4倍,25年进一步扩产至24年的2倍。AI服务器需求驱动HBM、DDR5和SSD营收强劲增长,产能进一步向高端产品倾斜,实现出货量和ASP双提升,24Q2 HBM营收环比增长50%,DDR5营收环比增长80%,SSD营收环比增长40%。展望24 H2 ,AI需求持续利好HBM、DDR5和SSD营收高速增长,成为公司内存业务主要增长驱动力,传统存储营收因供给受限或环比小幅增长。①受益于HBM3E全面投产,HBM3E占HBM产品的营收贡献占比将在24Q4提升至60%,量价齐升带动24 H2 HBM业务收入增长提速,公司预计24 H2 的HBM收入将为24H1的3.5倍。②DDR5和SSD在24 H2 持续受益于服务器存储容量扩容趋势。③传统DRAM和NAND方面,需求和ASP价格保持积极态势,但因产能向AI相关高端产品转移,供给或受到限制,进而限制了24 H2 传统存储的营收增速。 SK海力士:24Q2业绩超预期。24Q2营收16.4万亿韩元,YoY+125%,QoQ+32%。其中DRAM营收10.8万亿韩元,YoY+139%,QoQ+43%,系ASP上涨,叠加HBM等高价值产品占比提升;NAND营收5.1万亿韩元,YoY+132%,QoQ+17%,系ASP上涨叠加eSSD销量大增。Q2毛利率46%,YoY+62pct,QoQ+7pct;净利润4.1万亿韩元,去年同期亏损3.0万亿韩元。 强劲需求推动SK海力士加速扩产HBM,传统存储保持涨价趋势,24 H2 AI终端扩容或推高DRAM需求。1)24Q2传统存储DRAM和NAND持续涨价。 24Q2DRAM ASP环比上涨15%,NAND ASP环比上涨15%-19%。出货量方面,DRAM bit出货环比增长不到20%,NAND bit出货环比低个位数下降。2)HBM3E出货自24Q2加速,SK海力士加大HBM投入以扩大产能。24Q2HBM营收同比增长超250%、环比增长超80%。公司HBM3E-12H已向客户送样,预计24Q3量产后加速出货,预计24年HBM3E将占HBM芯片销量的一半; BM4-12H预计25H2量产,HBM4-16H计划26年量产。产能方面,公司在韩国清州和龙仁等地积极建厂,24年资本开支预计高于年初计划。展望24 H2 ,在产能扩充和HBM3E量产的催化下,HBM营收预计持续高速增长;DRAM预计维持涨价趋势同时,看好AI手机和AIPC上市驱动存储扩容、提振需求; NAND bit出货量预计环比中个位数下降,其中eSSD出货有望提升,而其他产品因终端市场疲弱、库存较高而需求偏弱。 风险提示:HBM扩产不及预期;AI服务器需求放缓风险;行业竞争加剧风险。