AI算力产业链跟踪报告（十六）：三星和SK海力士业绩超预期，24H2HBM3E加速量产，存储周期持续上行

事件：韩国时间7月25日和7月31日，SK海力士(000660.KS)和三星电子(005930.KS)分别公布2024年二季度财报。 三星电子：24Q2业绩超预期。Q2营收74.1万亿韩元，YoY+23%。DS半导体业务营收28.6万亿韩元，YoY+94%，QoQ+23%，其中存储芯片营收21.7万亿韩元，YoY+24，QoQ+142%，系Q2HBM和DDR5等高附加值产品需求增加。DX设备体验业务营收42.1万亿韩元，YoY+5%，QoQ-11%，系智能手机整体需求环比下降。盈利方面，Q2毛利率40.2%，QoQ+4pct；归母净利润9.64万亿韩元，YoY+522%，QoQ+46%，较7.97万亿韩元的市场预期高逾21%，对应EPS为1419韩元。 存储涨价叠加HBM强劲需求，驱动三星内存业务高增长。1）存储周期持续上行，DRAM和NAND价格环比双位数增长。24Q2，DRAM ASP环比上涨10%，NAND ASP环比上涨20%；出货量方面，DRAMbit出货环比录得中个位数上涨，NAND bit出货环比录得中个位数下降，由于销售量超过生产量，传统存储库存水平较Q1改善。2）AI服务器驱动HBM、服务器DDR5和服务器SSD等高端产品增长强劲，HBM研发和量产顺利。三星HBM3E-8H已处于评估阶段，预计24Q3正式量产；三星业内首个开发推出HBM3E-12H，当前已运送样品给客户，并预计24 H2 扩大供应；HBM4方面，目标24 H2 ~25 H2 期间上市；三星同时开发定制化HBM产品，以解决客户个性化需求。产能方面，三星HBM产能24年将较23年扩产至4倍，25年进一步扩产至24年的2倍。AI服务器需求驱动HBM、DDR5和SSD营收强劲增长，产能进一步向高端产品倾斜，实现出货量和ASP双提升，24Q2 HBM营收环比增长50%，DDR5营收环比增长80%，SSD营收环比增长40%。展望24 H2 ，AI需求持续利好HBM、DDR5和SSD营收高速增长，成为公司内存业务主要增长驱动力，传统存储营收因供给受限或环比小幅增长。①受益于HBM3E全面投产，HBM3E占HBM产品的营收贡献占比将在24Q4提升至60%，量价齐升带动24 H2 HBM业务收入增长提速，公司预计24 H2 的HBM收入将为24H1的3.5倍。②DDR5和SSD在24 H2 持续受益于服务器存储容量扩容趋势。③传统DRAM和NAND方面，需求和ASP价格保持积极态势，但因产能向AI相关高端产品转移，供给或受到限制，进而限制了24 H2 传统存储的营收增速。 SK海力士：24Q2业绩超预期。24Q2营收16.4万亿韩元，YoY+125%，QoQ+32%。其中DRAM营收10.8万亿韩元，YoY+139%，QoQ+43%，系ASP上涨，叠加HBM等高价值产品占比提升；NAND营收5.1万亿韩元，YoY+132%，QoQ+17%，系ASP上涨叠加eSSD销量大增。Q2毛利率46%，YoY+62pct，QoQ+7pct；净利润4.1万亿韩元，去年同期亏损3.0万亿韩元。 强劲需求推动SK海力士加速扩产HBM，传统存储保持涨价趋势，24 H2 AI终端扩容或推高DRAM需求。1）24Q2传统存储DRAM和NAND持续涨价。 24Q2DRAM ASP环比上涨15%，NAND ASP环比上涨15%-19%。出货量方面，DRAM bit出货环比增长不到20%，NAND bit出货环比低个位数下降。2）HBM3E出货自24Q2加速，SK海力士加大HBM投入以扩大产能。24Q2HBM营收同比增长超250%、环比增长超80%。公司HBM3E-12H已向客户送样，预计24Q3量产后加速出货，预计24年HBM3E将占HBM芯片销量的一半； BM4-12H预计25H2量产，HBM4-16H计划26年量产。产能方面，公司在韩国清州和龙仁等地积极建厂，24年资本开支预计高于年初计划。展望24 H2 ，在产能扩充和HBM3E量产的催化下，HBM营收预计持续高速增长；DRAM预计维持涨价趋势同时，看好AI手机和AIPC上市驱动存储扩容、提振需求； NAND bit出货量预计环比中个位数下降，其中eSSD出货有望提升，而其他产品因终端市场疲弱、库存较高而需求偏弱。 风险提示：HBM扩产不及预期；AI服务器需求放缓风险；行业竞争加剧风险。