2024年7月18日 【中泰电子】台积电24Q2业绩解读 分析师:王芳S0740521120002,杨旭S0740521120001,游凡S0740522120002 1 目录 一、台积电24Q2业绩超预期,上修24年度指引 二、先进制程&先进封装需求强劲,AI依然是关注焦点 三、风险提示 2 24Q2业绩实现高增。台积电24Q2营收208.2亿美元,超出此前指引196-204亿美元的上限,YoY+33%,QoQ+10%,公司业绩高增主要由AI服务器强劲需求及3nm大量出货推动。台积电24Q2实现毛利率53.2%,超出此前指引51%-53%的上限。 24Q3业绩指引同比高增。台积电24Q3指引营收224-232亿美元,中值为228亿美元,YoY+32%,QoQ+9%;指引毛利率为 53.5%-55.5%,中值为54.5%,YoY+0.2pcts,QoQ+1.3pcts。主要系受到智能手机和人工智能相关需求的带动。 24年业绩指引中值上修。台积电将今年营收增速指引上调至20%区间中段(24%~26%)(上季度指引营收增长21%-26%)。 24Q2 单位;亿美元 实际 yoy qoq 此前指引 是否超预期 营收 208.2 33% 10% 196~204 超预期 归母净利润 76.6 29% 7% - - 毛利率 53.2% -0.9pcts +0.1pcts 51%~53% 超预期 24Q3指引 单位;亿美元 下限 上限 中值 yoy qoq 营收 224 232 228 32% 9% 毛利率 53.5% 55.5% 54.5% +0.2pcts +1.3pcts 来源:TSMC,新浪财经,中时新闻,中泰证券研究所3 【乐观看待AI需求】1)公司表示,现在的AI需求比两三年前更真实,客户对AI产品需求预测非常高。2)在台积电内部,正在利用AI来提高生产效率。 【24年资本开支指引中值上调】预计24年capex预期在300-320亿美元(此前预期280-320亿美元),资本开支指引中值上调。 【N3需求强劲,N2计划25年量产】3nm制程需求非常强劲,不排除将更多5nm制程转换为3nm。N2工厂(2nm制程芯片产线)建设进展顺利,N2制程计划2025年实现量产。 【25年COWOS产能翻倍】2025年COWOS封装产能将较2024年翻倍,COWOS封装产能在2025年将继续保持紧张。 【预计晶圆代工行业24年增长10%】台积电董事长魏哲家提出包括封测、光罩和存储IDM在内的晶圆代工产业,2024年将增长10%。 来源:财联社,新浪财经,中泰证券研究所4 图表:台积电营业收入和归母净利情况(亿美元)图表:台积电毛利率和归母净利率情况 250 200 150 100 50 营收(亿美元·左轴)归母净利(亿美元·左轴)营收YoY(右轴)归母净利YoY(右轴) 80% 60% 40% 20% 0% -20% 70.00% 60.00% 50.00% 40.00% 30.00% 20.00% 10.00% 毛利率归母净利率 0-40%0.00% 来源:Wind,TSMC,中泰证券研究所5 制程来看,台积电先进制程营收占比突出。台积电24Q2来自3nm的营收占比达15%,YoY+15pcts,QoQ+6pcts;来自5nm的营收占比达35%,YoY+5pcts,QoQ-2pcts;来自7nm的营收占比为17%,YoY-6pcts,QoQ-2pcts。 图表:台积电和可比公司营收结构(按制程) 按制程 台积电 联华电子 2Q24 YoY QoQ 1Q24 23Q2 制程 1Q24 3nm 15% +15pcts +6pcts 9% 0% 14nm及以下 0% 5nm 35% +5pcts -2pcts 37% 30% 7nm 17% -6pcts -2pcts 19% 23% 16nm 9% -2pcts 0pcts 9% 11% 20nm 0% -1pcts 0pcts 0% 1% 22/28nm 33% 28nm 8% -3pcts 0pcts 8% 11% 40/45nm 5% -2pcts 0pcts 5% 7% 40nm 14% 65nm 3% -4pcts -1pcts 4% 7% 65nm 18% 90nm 1% -1pcts 0pcts 1% 2% 90nm 10% 0.11/0.13um 2% 0pcts -1pcts 3% 2% 0.11/0.13um 9% 0.15/0.18um 4% -1pcts 0pcts 4% 5% 0.15/0.18um 11% 0.25um及以上 1% 0pcts 0pcts 1% 1% 0.25um及以上 5% 来源:TSMC,UMC,中泰证券研究所6 应用来看,台积电24Q2来自高性能计算的营收占比达52%,YoY+8pcts,QoQ+6pcts。 地区来看,台积电24Q2来自中国大陆的营收占比达16%,YoY+4pcts,QoQ+7pcts。 图表:台积电营收结构(按应用) 按应用 2Q24 YoY QoQ 1Q24 23Q2 高性能计算 52% +8pcts +6pcts 46% 44% 手机 33% 0pcts -5pcts 38% 33% 物联网 6% -2pcts 0pcts 6% 8% 汽车 5% -3pcts -1pcts 6% 8% 数字消费电子 2% -1pcts 0pcts 2% 3% 其他 2% -2pcts 0pcts 2% 4% 图表:台积电营收结构(按地区) 按地区 2Q24 YoY QoQ 1Q24 23Q2 北美 65% -1pcts -4pcts 69% 66% 中国大陆 16% +4pcts +7pcts 9% 12% 亚太 9% +1pcts -3pcts 12% 8% 日本 6% -1pcts 0pcts 6% 7% 欧洲、中东、非洲 4% -3pcts 0pcts 4% 7% 来源:TSMC,中泰证券研究所7 24Q2资本支出情况:台积电24Q2资本开支63.6亿美元,YoY-22%,QoQ+10%。 台积电上修24年资本开支下限 图表:台积电资本开支情况(亿美元) 120 总资本开支(亿美元·左轴)YoY(右轴)QoQ(右轴) 200% 100150% 80100% 6050% 400% 20-50% 0 20Q120Q220Q320Q421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q124Q2 -100% 来源:TSMC,中泰证券研究所8 先进产能大幅扩张:台积电持续积极扩产,今年将新建7座厂,应高效能运算(HPC)强劲需求,今年3nm产能将增加3倍;2020年至2024年先进制程产能复合成长率将约25%。台积电今年新建的7座厂中,在中国台湾有3座晶圆厂及2座先进封装厂,海外有2座晶圆厂。其中新竹晶圆20厂与高雄晶圆22厂是2nm制程生产基地,自2022年开始兴建,预计明年开始陆续生产。 台积电持续扩张先进产能 图表:台积电在建工厂情况 地区 工厂 建设情况 中国台湾 高雄2nm厂 建设中,预计25年生产 竹科2nm厂 建设中,预计25年生产 中科2nm厂 规划中 嘉科CoWoS先进封装厂 首座24年5月动工,预计28年生产 美国 亚利桑那晶圆21厂 第一期4nm,预计25H1生产第二期2/3nm,预计28年生产第三期预计2nm或更先进制程 日本 熊本晶圆23厂 12/16/22/28nm,预计24Q4生产 熊本二厂 6/7/40nm,预计24年底兴建,27年底运营 德国 德勒斯登汽车芯片厂 预计24Q4兴建,27年底生产 来源:中国台湾中央社,中泰证券研究所9 台积电24Q2出货量为703.1万片(等效8英寸),YoY+7%,QoQ+3%,台积电24Q2晶圆单价为2961美元/片,YoY+25.1%, QoQ+7.0%。整体出货量在23Q3见底后逐渐回升,晶圆单价约在23Q1-2见底后回升,同时也受到先进制程占比增加的影响。 图表:台积电晶圆出货量(千片/季度·等效8英寸)图表:台积电晶圆单价(美元/片·等效8英寸) 10000 9000 8000 7000 6000 5000 4000 3000 2000 1000 0 出货量(kpcs·等效8英寸·左轴)YoY(右轴) 15% 10% 5% 0% -5% -10% -15% -20% -25% -30% 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500 0 来源:TSMC,中泰证券研究所10 目录 一、台积电24Q2业绩超预期,上修24年度指引 二、先进制程&先进封装需求强劲,AI依然是关注焦点 三、风险提示 11 台积电2008年开始布局先进封装,发展出领先的技术平台。台积电2008年开始布局先进封装,2011年推出CoWoS工艺,为FPGA、GPU等高性能产品的集成提供解决方案,目前CoWoS已经获得赛灵思、英伟达、超微半导体、富士通、谷歌、华为海思等高端HPC芯片订单;2016年,推出InFO技术,将CoWoS结构尽量简化,减少封装厚度,成本约原来1/5,适用于追求性价比的移动通信领域;2019年,推出了SoIC技术,使用前道设备,可以精准地对齐,然后使用窄间距铜焊盘进行键合,以进一步最小化尺寸提升性能。至此,台积电形成了以CoWoS、InFO和SoIC等技术为核心的3DFabric先进封装平台。 25年COWOS产能翻倍。台积电在24Q2法说会提到,2025年COWOS封装产能将较2024年翻倍,COWOS封装产能在2025年将继续保持紧张。 我们在2024年2月22日发布《AI系列之先进封装:后摩尔时代利器,AI+国产化紧缺赛道》中详细介绍了先进封装产业趋势,并拆解了COWOS的工艺全流程,关键工艺如TSV、RDL、bump等,并对所需的设备材料做了阐述,欢迎阅读。 图表:台积电先进封装布局 台积电先进封装布局 先进封装平台 3DFabric平台 制程区分 后段3D先进封装 前端3D晶片堆叠 封装技术名称 InFO(ChipFirst) CoWoS(ChipLast) TSMC-SoIC(系统整合晶片) 技术名称 整合扇出型封装 基板上晶圆上晶片封装 晶圆堆叠晶圆封装 封装结构分类 2DIC 2.5D/3DIC 3DIC 量产/认证时间 已量产 已量产 已量产 代表产品 AppleM1Ultra 英伟达A100/H100 AMDMI300X 来源:TSMC,Semiwiki,CSEI,全球半导体观察,中泰证券研究所12 图表:台积电3DFabric封装平台 来源:SemiWiKi,中泰证券研究所13 图表:台积电CoWoS封装技术迭代 来源:TSMC,中泰证券研究所14 图表:台积电InFO封装技术迭代 来源:Cadence,中泰证券研究所15 图表:先进封装技术持续迭代 来源:《高端性能封装技术的某些特点与挑战》,中泰证券研究所16 图表:台积电SoIC-X封装技术迭代 2022 2023 2024 2025 2026 2027 顶层芯片 N7 N5 N4 N3 N2 A16 底层芯片 N7 ≥N6 ≥N5 ≥N4 ≥N3 ≥N2 键合间距 9um 9um 6um 6um 4.5um 3um 尺寸(mm2) 83 332 664 830 830 830 图表:台积电SoIC-P封装技术迭代 2025 2027 顶层芯片 N3 N2 底层芯片 ≥N4 ≥N3 键合间距 25um 16um 尺寸(mm2) 166 332 芯片朝向 Face-to-back Face-to-face 时间 24Q4/移动SoC 26Q2/HPC 来源:Anandtech,中泰证券研究所17