电子 深度报告 领先大市-A(维持) 先进封装大势所趋,国产供应链机遇大于挑战 2024年6月17日 行业研究/行业深度分析 投资要点: 摩尔定律面临一系列瓶颈。摩尔定律指引过去五十多年全球半导体行业的发展,但当前也面临着一系列瓶颈。(1)芯片内单个晶体管大小逼近原子极限,硅芯片将达到物理极限;(2)当栅极宽度小于5nm时,将会产生隧道效应,电子会自行穿越通道,从而造成“0”、“1”逻辑错误;(3)单位面积的功耗会由于晶体管集成度提高而提高,温度太高影响晶体管性能;(4)5nm制程的芯片设计需要超过5亿美元成本,制造成本更高。 资料来源:最闻 先进封装是超越摩尔定律、提升芯片性能的关键。先进封装也称为高密度封装,通过缩短I/O间距和互联长度,提高I/O密度,进而实现芯片性能的提升。相比传统封装,先进封装拥有更高的内存带宽、能耗比、性能,更薄的芯片厚度,可以实现多芯片、异质集成、芯片之间高速互联。英伟达从2020年开始采用台积电CoWoS技术封装其A100GPU系列产品,相比上一代产品V100,A100在BERT模型的训练上性能提升6倍,BERT推断时性能提升7倍。Bump、RDL、TSV、HybridBonding是实现先进封装的关键技术。WLP、2.5D、3D是当前主流的几种先进封装技术。 相关报告: 【山证电子】山西证券电子行业周跟踪:WSTS上调全球半导体市场规模,看好周期底+政策链布局机会2024.6.12【山证电子】3440亿国家大基金三期落地,台积电扩张先进制程和先进封装产能-山西证券电子行业周跟踪2024.6.3 先进封装大势所趋,AI加速其发展。先进封装技术的应用范围广泛,涵盖了移动设备、高性能计算、物联网等多个领域。现代智能手机中大量使用了CSP和3D封装技术,以实现高性能、低功耗和小尺寸的目标;在高性能计算领域,2.5D和3D集成技术被广泛应用于处理器和存储器的封装,显著提升了计算性能和数据传输效率。Yole预计,全球先进封装市场规模有望从2023年的468.3亿美元增长到2028年的785.5亿美元。得益于AI对高性能计算需求的快速增长,通信基础设施是先进封装增长最快的领域,2022-2028年预计实现17%的复合增长。 分析师: 高宇洋执业登记编码:S0760523050002邮箱:gaoyuyang@sxzq.com 傅盛盛执业登记编码:S0760523110003邮箱:fushengsheng@sxzq.com 内资封测厂商积极布局先进封装,国产设备、材料环节持续获得技术突破。封装,海外Foundry在2.5D/3D封装、混合键合等技术方面较为领先;内资封测厂更熟悉后道环节、异质异构集成,因此在SiP、WLP等技术相对有优势,同时也在积极布局2.5D/3D、Chiplet等。设备,相较于先进制造,先进封装对制程节点要求不高,国产设备基本具备前段核心工艺与后段封装测试的自主发展能力与进口替代潜力。材料,关键材料性能要求升级,国产厂商在电镀液、CMP材料、光刻胶、掩膜版、剥离液、环氧塑封料、硅微粉、玻璃基板等领域替代在加快。 徐怡然执业登记编码:S0760522050001邮箱:xuyiran@sxzq.com 投资建议:封装环节建议关注长电科技、通富微电、华天科技、晶方科技、甬矽电子、颀中科技、汇成股份等。设备环节建议关注北方华创、中微公司、拓荆科技、芯源微、盛美上海、华海清科、芯碁微装、中科飞测等。材料环节建议关注上海新阳、安集科技、鼎龙股份、华海诚科、联瑞新材、艾森股份、沃格光电等。 风险提示:需求波动风险、竞争加剧风险、研发进展不及预期风险、国际政治贸易风险等。 目录 1.先进封装提升芯片性能,Bump、RDL、TSV等技术赋能AP..................................................................................5 1.1封装是半导体后道制程,主要起芯片保护、连接作用..........................................................................................51.2Bump、RDL、TSV、混合键合技术赋能先进封装.................................................................................................61.3WLP、2.5D、3D是当前主流的几种先进封装......................................................................................................11 2.先进封装大势所趋,2028年全球市场规模有望785.5亿美元..................................................................................13 2.1摩尔定律面临瓶颈,先进封装大势所趋................................................................................................................132.22028年全球市场规模有望785.5亿美元,通信基础设施领域增长最快.............................................................152.3算力时代,先进封装有望迎来加速发展................................................................................................................16 3.产业链梳理......................................................................................................................................................................17 3.1封装环节:Foundry与OSAT各有侧重,内资厂商积极布局先进封装..............................................................173.2设备环节:国产设备持续突破,进口替代进程加速............................................................................................193.3材料环节:关键材料性能要求升级,高端品类国产化空间巨大........................................................................23 4.1投资建议....................................................................................................................................................................314.2风险提示....................................................................................................................................................................31 图表目录 图1:半导体产业链分设计、制造、封装和测试............................................................................................................5图2:半导体封装的四大作用............................................................................................................................................5图3:先进封装拥有更高的内存带宽、能耗比................................................................................................................7图4:Bump、RDL、TSV是实现先进封装关键技术.....................................................................................................7图5:应用于CoWoS、InFo等先进封装中的Bump......................................................................................................7图6:当前,先进封装凸块间距已经到20-10μm............................................................................................................7图7:RDL起着XY平面电气延伸和互联的作用...........................................................................................................8图8:RDL转接层在CoWoS-R中的应用........................................................................................................................8图9:TSV应用于2.5D/3D封装........................................................................................................................................9 图10:贯穿芯片体的3DTSV的立体示意图...................................................................................................................9图11:传统bump键合VS铜对铜直接连接..................................................................................................................10图12:混合键合没有凸块,直接铜对铜键合..............................................................................