转结合大基金三期的投向预判科特估的科含量和特含量

我预判以下几大条条线的行情将具备较好的持续性：先进工艺节点的晶圆制造。中美科技竞争中，美国遏制中国科技的最大“七寸”就是先进工艺。 美国将“总处理性能”及密度（TotalProcessingPerformance，TPP）作为出口管制的标准。 单芯片的算力如果超过了300teraflo转，结合大基金三期的投向预判+“科特估”的“科”含量和“特”含量， 我预判以下几大条条线的行情将具备较好的持续性：先进工艺节点的晶圆制造。中美科技竞争中，美国遏制中国科技的最大“七寸”就是先进工艺。 美国将“总处理性能”及密度（TotalProcessingPerformance，TPP）作为出口管制的标准。 单芯片的算力如果超过了300teraflops，或性能密度超过每平方毫米370gigaflops，将被禁止出口。 因为要达到高的性能密度，就必须晶体管密度高，意味着晶体管尺寸小。限制性能密度，就等同于限制工艺制程精度。 所以这块是未来中国科技突破的重中之重。 高速存储（High-BandwidthMemory，HBM）。 存储不单占所有半导体整体的1/3以上，而且当前AI最大的瓶颈不是算力、而是存力和运力。因而HBM以下几条细分条线要重视：首先肯定是HBM晶圆制造能力。HBM虽然也是一种DRAM，但是高端的HBM需要使用用EUV光刻1-α、1-βDRAM、 1-γDRAM。 而且相同容量HBM比普通DRAM更多耗2倍以上晶圆产能。HBM之所以是HBM，是因为使用了堆叠。 目前全球最领先的海力士HBM4做到16层。 所以这里面涉及很关键的电子材料，及相关的晶圆后道堆叠的工艺能力及TCB（热压焊接）控制、晶圆卷曲控制能力； 如何将16层的高密度晶圆堆叠良率做高，散热做好？ 首先是关键的半导体填料（用于填充die和die之间、die和载板之间）、半导体塑封料、或硅或玻璃中介层、ABF载板。 其实是设备，涉及TSV设备、TCB设备、光刻设备（不一定stepper光刻，有可能采用激光直写光刻）等。 最后因为HBM对普通DRAM的产能挤占，从而引发普通DRAM及内存模组的相关机会。DDR5高速内存。 HBM作为最快速也是最大容量的内存，被应用于AI云端服务器。 如果HBM求而不得，作为退而求其次的DDR5则有可能被用于服务器中。同时在AI终端中，内存选择则是以DDR5为主。 为此DDR5相关机会存在以下：DDR5的内存颗粒厂商及模块厂商；DDR5的高速接口芯片或IP厂商。 很多人可能并不知道，其实内存里面是有PHY的，这个PHY就是起到高速接口作用。DDR5配套的芯片。 无论是服务器还是个人电脑，CPU与内存之间的数据传输通信是有标准协议的，这个协议当前是PCIe，未来会进化成CXL。 所以这个协议规范对应的PHY芯片、Switch芯片，也必须升级。 同时这些传输的数据和时钟，速率提升之后，或CPU或内存不一定能实时响应，就还必须要用到数据缓存和时钟缓存芯片。 先进封装。 这里不单包括从事先进封装的厂商，还包括先进封装的配套设备和材料厂商。 为了提供高带宽、低延迟、高功率和高成本效益的芯片，全球十大科技巨头（包括微软、谷歌、meta、台积电等）制定了UCIe规范，在芯片封装层面确立互联互通的统一标准。 这块细分机会包括：精密度涉及至几十nm级的半导体封装工艺厂商。 传统的半导体封装厂商与晶圆制造厂商在工艺精度上存在明显鸿沟的，所以这块并不是大家理解的传统半导体封装厂商就能做先进封装。 W2W(Wafer2Wafer)、D2W（die2wafer）、C2S（Chip 2Substrate）、FC（Flip-Chip倒装）中使用的固晶、生长bumping、 焊接、光刻（没错大量的光刻需要用到，包括硅中介层和载板层）的设备。 高介电常数、低介电损耗的电子材料保证芯片内部信号高速传输又具备良好电磁兼容性；同时还要求芯片产生的大量的热量能及时散热出去。 相关的研磨材料、电镀液、清洗液、光刻胶等相关材料。一些高壁垒的逻辑芯片设计公司。 以上谈到AI时，提到算力、存力和运力。 这里面的算力芯片公司、存力芯片公司大家容易想到，资本市场也有充分发酵，但是运力芯片公司却没有被充分认识。 比如高速serdes、PHY、具备核心算法的专用芯片等等。 这个大类里面品种是很多的，需要有专业能力的投资者来分辨其壁垒，理解其稀缺性。需要使用到特色工艺的半导体公司。 这些公司不仅仅是晶圆厂，往往这些核心工艺掌握在芯片设计公司手里。 比如输入是高压、输出电压虽不高但电流却高达上千安培的一些使用BCD工艺的高端芯片，比如能提 供高功率密度、小体积的SiC深沟槽工艺的MOSFET等。光刻机、光刻胶等高端设备和材料。 这块市场被教育了很多次，我就不赘述