CoWoS、HBM投资热度不减，大基金三期成立提振信心

CoWoS、HBM投资热度不减，大基金三期成立提振信心 核心观点： 行业新闻：1）台积电修改了产能规划，紧急下单大量CoWoS封装制造设备，以扩大产能；三星电子公司和SK海力士公司将超过20%的DRAM生产线转为HBM生产线，CoWoS和HBM的投资热度不减。2）ASML现在已经使用其寻路高数值孔径High-NAEUV机器打印了8nm密集线条，同时台积电在其官方声明中指出公司无需依赖HighNAEUV技术，即能成功制造出即将推出的下一代A16芯片；SK海力士正在测试日本半导体设备大厂东京电子（TEL）最新的低温蚀刻设备，以实现400层以上新型3DNAND，半导体设备持续更新迭代。 重点公司公告：1）5G、人工智能、新能源汽车等新技术的快速发展拉动了先进封装的市场需求，海内外封测公司纷纷扩大资本开支，增加产能。利扬芯片、汇成股份、甬矽电子纷纷发布向不特定对象发行可转换公司债券相关公告，募集资金净额均用于投入晶圆封装及测试相关项目和补充流动资金。2）韦尔股份发布了新500万像素CMOS图像传感器OX05D10和两款用于机器视觉应用的新型CMOS全局快门（GS）图像传感器；纳芯微推出了基于电容隔离技术的全新固态继电器产品NSI7258系列、高性价比的推挽变压器驱动NSIP605x系列、车规级数字输出温度传感器NST175-Q1和模拟输出温度传感器NST235-Q1、NST86-Q1、NST60-Q1；圣邦股份推出了车规级600mA、42V同步降压转换器SGM61410Q、高功率密度全集成升压电源SGM66022。 板块跟踪：1）近一个月半导体指数表现：从涨跌幅水平来看，半导体行业指数跑输沪深300指数2.71个百分点，跑输电子指数0.85个百分点。从具体数据来看，半导体行业指数涨跌幅为-1.89%，电子行业指数涨跌幅为-1.04%，沪深300指数涨跌幅为0.82%。2）近一年半导体指数表现：从涨跌幅水平来看，半导体行业指数跑输沪深300指数18.14个百分点，跑输电子指数10.72个百分点。从具体数据来看，半导体行业指数涨跌幅为-24.31%，电子行业指数涨跌幅为-13.59%，沪深300指数涨跌幅为-6.17%。3）大基金三期成立：大基金三期于2024年5月24日正式注册成立，注册资本3440亿元人民币，出资股东新增了六大行，是我国芯片领域史上最大规模基金项目。回顾大基金成立后的半导体行业表现，大基金一期成立后至2015年6月，半导体行业指数最高涨幅超120%；大基金二期成立后至2021年7月，半导体行业涨幅为212.03%。国家大基金的成立对半导体行业的发展和板块的上涨均有一定的促进作用。 投资建议：半导体行业板块经历连续调整，多种迹象表明半导体行业周期即将反转，大基金三期成立为市场注入强心剂。关于半导体材料、设备和封测板块，我们认为当前具备配置价值，建议关注半导体材料公司：华海诚科 （688535.SH）、雅克科技（002409.SZ）、清溢光电（688138.SH）、江丰电子 （300666.SZ）；半导体设备公司：北方华创（002371.SZ）、拓荆科技 （688072.SH）、中科飞测（688361.SH）；集成电路封测公司：通富微电 （002156.SZ）、长电科技（600584.SH）、甬矽电子（688362.SH）。 风险提示：半导体行业复苏不及预期的风险，国际贸易摩擦激化的风险，技术迭代和产品认证不及预期的风险，产能瓶颈的风险。 半导体 推荐（维持） 分析师 高峰 ：010-80927671 ：gaofeng_yj@chinastock.com.cn分析师登记编码：S0130522040001 相对沪深300表现图 半导体沪深300 10% 0% -10% -20% -30% -40% 资料来源：中国银河证券研究院 相关研究 【银河电子】3月月报_存储原厂提产趋势明确，提振设备、材料、封测需求 行业月度报告●半导体 2024年05月30日 www.chinastock.com.cn证券研究报告请务必阅读正文最后的中国银河证券股份有限公司免责声明 目录 一、行业新闻：CoWoS、HBM投资热度不减，ASML光刻机再创记录3 二、重点公司公告：多家封测公司计划募投扩产，设计公司新品不断5 三、板块跟踪：半导体行业底部维稳，大基金三期成立提振信心6 四、风险提示9 一、行业新闻：CoWoS、HBM投资热度不减，ASML光刻机再创记录 5月7日，综合外媒TheElec、tomshardware报道，SK海力士正在测试日本半导体设备大厂东京电子（TEL）最新的低温蚀刻设备，以实现400层以上新型3DNAND。报道称，东京电子的低温蚀刻设备可以在-70°C的冷却温度下运行，这与当前蚀刻工艺的0°C至30°C范围形成了鲜明对比，使得其“刻蚀深孔”的速度达到了传统刻蚀设备的三倍（能够在33分钟内以高纵横比进行10µm深的蚀刻），这一能力将有助于具有400多个有源层的3DNAND的制造，并重塑3DNAND器件的生产时间表和输出质量。（链接：https://www.icsmart.cn/77011/） 5月7日，拜登-哈里斯政府发布了一份资助机会通知(NOFO：NoticeofFundingOpportunity)，征求符合条件的申请人提出建议，以开展建立和运营专注于半导体行业数字孪生的CHIPSManufacturingUSA研究所的活动。CHIPSforAmerica计划预计将投入约2.85亿美元，专注于半导体制造、先进封装、组装和测试流程中数字孪生的开发、验证和使用。此类与传统的物理研究模型不同，数字孪生可以存在于云端，这使得全国各地的工程师和研究人员能够协作设计和流程开发，创造新的参与机会，加速创新并降低研发成本。基于数字孪生的研究还可以利用人工智能等新兴技术来帮助加速美国新芯片开发和制造概念的设计，并通过改进产能规划、生产优化、设施升级和实时工艺调整来显着降低成本。（链接：https://t.cj.sina.com.cn/articles/view/3856710564/e5e0bba401901k4e6?finpagefr=p_104） 5月8日，据韩国媒体TheElec报道，英特尔已成功包揽了荷兰ASML生产的High-NAEUV光刻机直到2025年上半年的大部分供应量。报道指出，ASML今年准备制造5台High-NAEUV光刻机。由于这种设备每年只能生产约5~6台，这意味着首批设备将全部供应给英特尔。英特尔的竞争对手，如三星电子和SK海力士，预计将需要等到2025年下半年才能拿到上述设备。对于需要打造2纳米芯片的企业来说，High-NAEUV光刻设备至关重要。（链接：https://mp.weixin.qq.com/s/LosXsToibkiYxa-WGljA8Q） 5月10日，据韩媒报道，SK海力士子公司SK海力士系统集成电路拟向无锡产业发展集团有限公司转让所持有的SK海力士系统集成电路（无锡）有限公司（下文简称无锡晶圆厂）49.9%股权。完成交易后，SK海力士系统集成电路和无锡产业发展集团将分别持有该晶圆厂50.1%和49.9%的股份，SK海力士系统集成电路仍将是无锡晶圆厂的实际控制人。SK海力士系统集成电路于2018年从母公司独立，主要从事8英寸晶圆成熟制程代工业务，产品覆盖车用PMIC、电视DDI等类别。（链接：https://mp.weixin.qq.com/s/zV8uiJZfmD1CpWSnu2f1Cw） 5月13日，据台媒报道，台积电修改了产能规划，紧急下单大量CoWoS封装制造设备，以扩大产能。台积电未来三年将处于不断扩张模式，预计从2024年第四季度至2026年，龙潭、竹南、台中、台南、嘉义以及最近宣布兴建的嘉义AP7厂将未来陆续启用。2024年末，台积电CoWoS月产能将达到3.6万片晶圆，相比一年前翻倍；预计2025年这一产能将扩大至5万~5.5万片。（链接：https://www.eet-china.com/mp/a314066.html） 5月14日，据韩国每日经济报道，全球两大内存芯片制造商三星电子公司和SK海力士公司预测，由于人工智能应用对高性能芯片的需求不断增长，2024年DRAM和高带宽内存（HBM）价格将保持坚挺。为满足市场需求，他们已将超过20%的DRAM生产线转为HBM生产线。这一举措将导致DRAM产量减少，而HBM芯片的产能增加。（链接：https://wallstreetcn.com/articles/3714863） 5月15日，北岸产业联盟官微显示，物元半导体项目落址北岸芯片封装基地，位于青岛城阳区棘洪滩街道锦盛二路以西、宏祥五路以北，由北岸控股集团开发建设。项目围绕3D晶圆堆叠先进封装生产线，分两期进行建设，一期总投资23.7亿元，总占地122亩，规划建筑面积11.6万平方米，建设研发测试厂房、动力厂房、三维堆叠厂房及配套变电站、危险品仓库等，预计今年12月底竣工验收。（链接：https://mp.weixin.qq.com/s/4YX_PvHcDk07aY7H04_JaA） 5月15日，台积电在其官方声明中明确指出，公司无需依赖荷兰ASML公司最新的高数值孔径极紫外光刻（HighNAEUV）技术，即能成功制造出即将推出的下一代A16芯片。台积电高管KevinZhang也曾在阿姆斯特丹的一次会议上表示，虽然新光刻机有望将芯片设计缩小多达三分之二，但芯片制造商必须权衡这一优势与更高的成本，以及ASML旧技术的可靠性和性能。目前，预计每台HignNA设备的成本将超过3.5亿欧元(3.78亿美元)，ASML的常规EUV设备的成本为2亿欧元。在评估新技术时，台积电表示，其更加注重技术的实用性、成本效益以及市场需求，而非单纯追求技术的前沿性。 （链接：https://mp.weixin.qq.com/s/RACLXvyaOt3zZJ1jxz4w-w） 5月21日，晶圆代工大厂联电位于新加坡的新12吋厂Fab12i今（21）举行第三期扩建新厂的上机典礼，首批机台设备已到厂。这座新厂预定2026年初开始量产，将成为新加坡最先进的晶圆厂之一，也是联电因应地缘政治风险、海外布局重要一环。新加坡Fab12i当时规划月产能为3万片，将提供22/28纳米制程，总投资金额为50亿美元，但初期会视市场状况逐步拉升产能。（链接：https://k.sina.com.cn/article_3856710564_e5e0bba401901kdmi.html） 5月21日，微软发布了Copilot+PC，这是全球首个专为AI设计的WindowsPC，也是Windows史上最强版本。据悉，Copilot+PC内置了OpenAI的GPT-4o模型并搭载了超强芯片，每秒能执行40多万亿次操作。微软表示Copilot+PC将运行OpenAI最近推出的GPT-4o大模型，允许AI助手通过文字、视频、语音多模态与用户交互，此外用户还可以与Copilot共享屏幕。根据微软的定义，要称得上Copilot+PC，至少得有40TOPS的算力，而苹果的M4芯片，NPU算力是38TOPS，英特尔和AMD的最新芯片大概也只能提供20TOPS以内的算力。（链接：http://www.rpa-cn.com/zuixinzixun/AIshijiao/2024-05-21/4612.html） 5月下旬，ASML在imec的ITFWorld2024大会上宣布，其首台High-NA机器再次创下新的芯片制造密度记录。VanderBrink表示，经过进一步调整，ASML现在已经使用其寻路高数值孔径EUV机器打印了8nm密集线条，这是专为生产环境设计的机器的密度记录。他还概述了一项计划，通过从根本上将未来ASML光刻机的速度提高到每小时400至500片晶圆（wph），比目前200wph的峰值高出一倍多，从而降低EUV芯片制造成本。（链接：https://www.1