东微半导：苏州东微半导体股份有限公司2023年年度报告

公司代码：688261公司简称：东微半导 苏州东微半导体股份有限公司2023年年度报告摘要 第一节重要提示 1本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到上海证券交易所（www.sse.com.cn）网站仔细阅读年度报告全文。 2重大风险提示 报告期内，受全球经济增速下行以及竞争格局加剧等多重因素的影响，公司产品销售价格和毛利率有所下降。同时，公司积极优化产品组合策略，进行工艺平台迭代升级，继续保持主要产品高压超级结MOSFET销量的上升，但由于产品销售价格的下降，致使公司报告期内营业收入较2022年同期出现下滑。此外，报告期内，公司进一步加大前瞻性研发投入力度，相应的材料、职工薪酬、研发设备及平台开发等研发投入均持续增长，亦对公司报告期经营业绩产生影响。未来，如果市场竞争持续加剧、宏观景气度下行、需求持续低迷、新增产能无法消化、国家产业政策变化、公司不能有效拓展国内外新客户、公司无法继续维系与现有客户的合作关系等情形，且公司未能及时采取措施积极应对，将使公司面临一定的经营压力，存在业绩进一步下滑的风险。 另外，公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分，敬请投资者注意投资风险。 3本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、 完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 4公司全体董事出席董事会会议。 5天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 6公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是√否 7董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案公司2023年度利润分配及资本公积金转增股本预案为： 1、公司拟以实施权益分派股权登记日登记的公司总股本扣减公司回购专用证券账户中股份为基数，向全体股东每10股派发现金红利人民币1.786元（含税）。截至2024年3月31日，公司 总股本94,326,914股，扣除公司回购专用证券账户中股份数231,867股后的股本为94,095,047股，以此为基数计算合计拟派发现金红利16,805,375.39元（含税），本年度公司现金分红金额占 2023年度合并报表中归属于母公司股东的净利润的比例为12.00%。根据《上市公司股份回购规则》 《上海证券交易所上市公司自律监管指引第7号——回购股份》等相关规定，上市公司以现金为对价，采用集中竞价方式、要约方式回购股份的，当年已实施的股份回购金额视同现金分红，纳入该年度现金分红的相关比例计算。公司2023年度以集中竞价交易方式实施股份回购并支付现金对价12,930,588.12元（不含印花税、交易佣金等交易费用），2023年度公司以上述两种方式合计现金分红金额为29,735,963.51元，占公司2023年度合并报表归属于上市公司股东的净利润的21.24%。 2、公司拟以资本公积金向全体股东每10股转增3股。截至2024年3月31日，公司总股本 94,326,914股，扣除公司回购专用证券账户中股份数231,867股后的股本为94,095,047股，以此为基数计算合计拟转增28,228,514股，转增后公司总股本增加至122,555,428股（最终转增股数及总股本数以中国证券登记结算有限公司上海分公司最终登记结果为准，如有尾差，系取整所致）。 如在公司2023年度利润分配及资本公积金转增股本预案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配金额；同时维持每股转增比例不变，相应调整转增总额，并将另行公告具体调整情况。 以上2023年度利润分配及资本公积金转增股本预案已经公司第二届董事会第三次会议审议 通过，尚需提交公司2023年年度股东大会审议。 8是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 第二节公司基本情况 1公司简介公司股票简况 √适用□不适用 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所科创板 东微半导 688261 不适用 公司存托凭证简况 □适用√不适用 联系人和联系方式 联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 证券事务代表 姓名 李麟 办公地址 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号纳米城东南区65栋 电话 +8651262668198 电子信箱 enquiry@orientalsemi.com 2报告期公司主要业务简介 (一)主要业务、主要产品或服务情况1、主要业务 公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级及汽车级领域的高压超级结MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产化替代。公司基于自主专利技术开发出的650V、1200V及1350V等电压平台的多种TGBT器件，已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、电机驱动等应用领域的多个头部客户。公司原创器件结构的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET产品具有低导通电阻、车规级高可靠性，已完成设计流片、可靠性评估工作。此外，公司基于自主专利技术开发出的Si2CMOSFET器件拥有极好的栅氧可靠性，同时具有优秀的反向恢复时间和反向恢复电荷，已通过多个客户验证并进入批量状态，可以用于新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、高效率服务器电源等领域。 2、主要产品 公司的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品以及SiC器件（含Si2CMOSFET）。公司的产品广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、储能和光伏逆变器、UPS电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。 公司上述产品的具体介绍如下： 产品类别 产品品类 技术特点 应用领域 MOSFET 高压超级结MOSFET 低导通电阻、低栅极电荷、静态与动态损耗低 工业级：新能源汽车直流充电桩、新能源汽车车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、储能和光伏逆变器、UPS电源以及工业照明电源等消费级： 产品类别 产品品类 技术特点 应用领域 PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器等 中低压屏蔽栅MOSFET 特征导通电阻低，开关速度快，动态损耗低 工业级：电动工具、智能机器人、无人机、新能源汽车电机控制、逆变器、UPS电源、动力电池保护板、高密度电源等消费级:移动电源、适配器、数码类锂电池保护板、多口USB充电器、手机快速充电器、电子雾化器、PC电源、TV电源板等 超级硅MOSFET 极快的开关速度与极低的动态损耗 工业级：新能源汽车直流充电桩、通信电源、工业照明电源等消费级：各种高密度电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC适配器、TV电源板等 IGBT Tri-gateIGBT 大电流密度，开关损耗低，可靠性高，具有自保护特点 工业级：新能源汽车直流充电桩、变频器、逆变器、电机驱动、电焊机、太阳能、UPS电源等消费级：电磁加热等 SiC SiCMOSFET/FRD 高速开关、超低的反向恢复时间与反向恢复电荷 工业级：新能源汽车直流充电桩、新能源汽车车载充电机、储能逆变器、高效率通信电源、高效率服务器电源等 Si2CMOSFET 高栅氧可靠性，易用性高 工业级：新能源汽车车载充电机、储能逆变器、高效率通信电源、高效率服务器电源等 公司产品的主要应用场景如下图所示： 公司上述产品的具体介绍如下： （1）高压超级结MOSFET 公司的高压超级结MOSFET产品主要为GreenMOS产品系列，全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。 系列 特点 基本介绍 标准通用系列 高性能通用型 标准通用Generic系列产品包含500V-950V全系列，具有低导通电阻、低栅极电荷、静态和动态损耗低的特点，可广泛应用于各种开关电源系统的高性能功率转换领域 S系列 EMI优化 S系列产品在Generic系列产品的基础上进一步优化了开关速度，以较低的开关速度达到更好的EMI兼容性，特别适用于对EMI要求较高的电源系统，如LED照明、充电器、适配器以及大电流的电源系统中 E系列 EMI性能平衡 E系列产品综合了标准通用系列产品和S系列产品的特性，实现了开关速度和EMI之间较好的平衡，适用于TV电源、工业电源等领域，开关速度介于标准通用系列和S系列之间 Z系列 集成快恢复体二极管（FRD） Z系列产品中集成了快速反向恢复二极管FRD，具有快速的反向恢复速度以及极低的开关损耗，特别适用于各种半桥拓扑电路、全桥拓扑电路、马达驱动、充电桩等领域 公司GreenMOS高压超级结功率器件的各系列特点以及介绍如下表所示： （2）中低压屏蔽栅MOSFET 公司的中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构，主要包括SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列。其中，公司的SFGMOS产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。公司SFGMOS系列中低压功率器件产品涵盖25V-250V工作电压，可广泛应用于电机驱动、 同步整流等领域。 公司的FSMOS产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS与分裂栅器件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性、较低的导通电阻与器件的优值以及更高的应用效率与系统兼容性。 系列 特点 介绍 SFGMOS系列 低Vth系列 Vth较低，可以用5V栅极驱动。高开关速度、低开关损耗、高可靠性和一致性 主要应用于驱动电压较低的同步整流类电源系统，如5V-20V输出快速充电器、大功率LED显示屏电源、服务器电源、DC-DC模块等领域 高Vth系列 Vth较高，抗干扰能力强。低导通电阻、高开关速度、低开关损耗、高可靠性和一致性 主要应用于驱动电压在10V以上的电源系统，如电源同步整流、电机驱动、锂电保护、逆变器等领域 FSMOS系列 高电流密度、低功耗、高可靠性 主要应用于对功率密度有更高要求的快速充电器、电机驱动、DC-DC模块、开关电源等领域 公司中低压MOSFET功率器件各系列的具体介绍如下表所示： （3）超级硅MOSFET 公司的超级硅MOSFET产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET产品。公司的超级硅MOSFET产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，在电源应用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。特别适用于各种高密度高效率电源，包括光伏逆变及储能、直流充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC适配器、TV电源板等。 （4）TGBT 公司的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构，区别于国际主流IGBT技术的创新型器件技术，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，公司已有产品的工作电压范围覆盖600V-1350V，工作电流覆盖15A-200A。公司的TGBT系列IGBT功率器件已逐渐发展出低导通压降、电机驱动、软恢复二极管、逆导、高速和超高速等系列。其中，高速系列的开关频率可达100kHz；低导通压降系列的导通压降可降低至1.5V及以下；超低导通压降系列的导通压降可达1.2V以下；软恢复二极管系列则适用于变频电路及逆变电路；650V及1350V的逆导系列