东微半导：苏州东微半导体股份有限公司2022年半年度报告

公司代码：688261公司简称：东微半导 苏州东微半导体股份有限公司2022年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人龚轶、主管会计工作负责人谢长勇及会计机构负责人（会计主管人员）谢长勇声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？否 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否 十二、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义4 第二节公司简介和主要财务指标6 第三节管理层讨论与分析9 第四节公司治理36 第五节环境与社会责任37 第六节重要事项38 第七节股份变动及股东情况66 第八节优先股相关情况73 第九节债券相关情况73 第十节财务报告74 备查文件目录 载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签字并盖章的财务报表报告期内在中国证监会指定报刊上公开披露过的所有公司文件的正本及公告原稿。 第一节释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义公司、本公司、股份公司、东微半导、东微 指 苏州东微半导体股份有限公司，根据上下文，还包括其子和/或分公司 苏州高维 指 苏州工业园区高维企业管理合伙企业（有限合伙） 得数聚才 指 苏州工业园区得数聚才企业管理合伙企业（有限合伙） 原点创投 指 苏州工业园区原点创业投资有限公司 中新创投 指 中新苏州工业园区创业投资有限公司 聚源聚芯 指 上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心（有限合伙） 哈勃投资 指 哈勃科技创业投资有限公司，曾用名“哈勃科技投资有限公司” 中小企业发展基金 指 中小企业发展基金（深圳有限合伙） 智禹博信 指 苏州工业园区智禹博信投资合伙企业（有限合伙） 智禹淼森 指 苏州智禹淼森半导体产业投资合伙企业（有限合伙） 智禹博弘 指 苏州工业园区智禹博弘投资合伙企业（有限合伙） 智禹东微 指 苏州工业园区智禹东微创业投资合伙企业（有限合伙） 智禹嘉通 指 苏州智禹嘉通创业投资合伙企业（有限合伙） 天蝉投资 指 苏州天蝉智造股权投资合伙企业（有限合伙） 丰熠投资 指 上海丰熠投资管理有限公司 丰辉投资 指 宁波丰辉投资管理合伙企业（有限合伙） 国策投资 指 上海国策科技制造股权投资基金合伙企业（有限合伙），曾用名“上海国和人工智能股权投资基金合伙企业（有限合伙）” 上海烨旻 指 上海烨旻企业管理中心（有限合伙） 中金丰众40号资管计划 指 中金丰众40号员工参与科创板战略配售集合资产管理计划 《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》 《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》 《企业会计准则》 指 财政部于2006年2月15日颁布的企业会计准则及其应用指南和其他相关规定，以及相关规定、指南的不时之修订 报告期末 指 2022年06月30日 《公司章程》 指 现行有效的《苏州东微半导体股份有限公司章程》及其修订和补充 股东大会 指 苏州东微半导体股份有限公司股东大会 董事会 指 苏州东微半导体股份有限公司董事会 监事会 指 苏州东微半导体股份有限公司监事会 半导体 指 常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材料有硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。 分立器件 指 半导体分立器件，与集成电路相对而言的，采用特殊的半导体制备工艺，实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往往无法在集成电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本较高。分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。 半导体功率器件、功率半导体 指 又称电力电子功率器件，主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是进行电能（功率）处理的核心器件，弱电控制和强电运行间的桥梁。半导体功率器件是半导体分立器件中的主要组成部分。 MOSFET、功率MOSFET或 指 金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种典型半导体器件结 MOS 构，目前已广泛使用在电力电子电路中，也可以单独作为分立器件使用以实现特定功能。 沟槽型MOSFET 指 MOSFET栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低导通损耗等特点。 高压超级结MOSFET 指 基于电荷平衡技术理论，在传统的功率MOSFET中加入p-n柱相互耗尽来提高耐压和降低导通电阻的器件结构，具有工作频率高、导通损耗小、开关损耗低、芯片体积小等特点。 中低压屏蔽栅MOSFET、SGT、SGTMOSFET 指 基于电荷平衡技术理论，在传统的功率MOSFET中加入额外的多晶硅场板进行电场调制从而提高耐压和降低导通电阻的器件结构，具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性好等特点。 IGBT 指 绝缘栅双极型晶体管，同时具备MOSFET和双极性晶体管的优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高、工作频率高等特点。 TGBT 指 Tri-gateIGBT，一种公司采用独立知识产权Tri-gate器件结构的创新型IGBT产品系列。 Vth 指 ThresholdVoltage，阈值电压。 DC-DC 指 将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压，也称为直流斩波器。 功率模块 指 将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在一起，形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度高、功率控制能力强，往往应用于大功率或小体积的电力电子产品。 晶圆 指 经过半导体制备工艺加工后的晶圆片半成品，进一步通过封装测试可以形成半导体器件产品。每片8英寸晶圆包含数百颗至数万颗数量不等的单芯片。 功率器件 指 已经封装好的MOSFET、IGBT等产品。晶圆制作完成后，需要封装才可以使用，封装外壳可以给芯片提供支撑、保护、散热以及电气连接和隔离等作用，以便使器件与其他电容、电阻等无源器件和有源器件构成完整的电路系统。 晶圆代工 指 芯片设计企业将设计方案完成后，由芯片代工企业通过采购晶圆材料、光刻、刻蚀、离子注入等加工工艺制造出芯片。 封装测试、封测 指 封装和测试,首先把已制造完成的半导体芯片进行封装，再对元器件进行结构及电气功能的确认，以保证半导体元件符合系统的需求，整个过程被称为封装测试。 碳化硅、SiC 指 碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高和击穿电场高等性质，特别适用于高压、大功率半导体功率器件领域。 氮化镓、GaN 指 氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质。 导通电阻 指 功率MOSFET开启时漏极和源极间的阻值。导通电阻数值越小，MOSFET工作时的功率损耗越小。 饱和压降 指 在饱和区内，IGBT集电极和发射极间电压。 FOM 指 器件的品质因子或系数，指导通电阻与栅极电荷Qg的乘积。栅极电荷Qg的大小可以表征器件的开关速度，栅极电荷Qg越小，器件的开关速度越快。因此，FOM值越低，表示器件同时具备低导通电阻和快速开关特性，器件损耗特性越好。 LED 指 LightingEmittingDiode，即发光二极管，是一种半导体固体发光器件，利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子复合产生光子。 EMI 指 Electro-MagneticInterference，即电磁干扰，是干扰电缆信号并降低信号完好性的电子噪音。 栅极电荷、总栅极电荷、Qg 指 为导通或驱动MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。数值越小，开关损耗越小，从而可实现高速开关。 导通压降 指 器件开始导通时MOSFET源-漏极之间或者IGBT发射极-集电极之间的电压差。 同步整流 指 用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步，以完成整流功能。 锂电保护 指 对电芯的保护，使电芯工作在安全范围内，锂电保护监测电芯使用情况，在异常状态阻断电芯充放电，防止电芯继续使用。 逆变器 指 把直流电能（电池、蓄电瓶）转变成定频定压或调频电压交流电（一般为220V,50Hz正弦波）的转换器，由逆变桥、控制逻辑和滤波电路组成。 Yole 指 YoleDéveloppementSA，一家法国市场研究与战略咨询公司，专注于功率半导体与MEMS传感器等领域。 Omdia 指 一家以研究科技、媒体和电信业务为核心的全球性调查公司。 注释：本年度报告中所列出的数据可能因四舍五入原因与根据本半年度报告中所列示的相关单项数据计算得出的结果略有不同。 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 公司的中文名称 苏州东微半导体股份有限公司 公司的中文简称 东微半导 公司的外文名称 SuzhouOrientalSemiconductorCompanyLimited 公司的外文名称缩写 OrientalSemi 公司的法定代表人 龚轶 公司注册地址 苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢515室 公司办公地址 苏州工业园区东长路88号2.5产业园三期N2栋5层 公司办公地址的邮政编码 215121 公司网址 http://www.orientalsemi.com/ 电子信箱 enquiry@orientalsemi.com 报告期内变更情况查询索引 无 二、联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 姓名 李麟 联系地址 苏州工业园区东长路88号2.5产业园三期N2栋5层 电话 +8651262668198 传真 +8651262534962 电子信箱 enquiry@orientalsemi.com 《上海证券报》（www.cnstock.com）； 《中国证券报》（www.cs.com.cn）； 《证券时报》（www.stcn.com）； 《证券日报》（www.zqrb.cn）； 《经济参考报》（www.jjckb.cn） 公司选定的信息披露报纸名称 三、信息披露及备置地点变更情况简介 登载半年度报告的网站地址 上海证券交易所（www.sse.com.cn） 公司半年度报告备置地点 公司董事会办公室 报告期内变更情况查询索引 无 四、公司股票/存托凭证简况 (一)公司股票简况 √适用□不适用 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所科创板 东微半导 688261 不适用 (二)公司存托凭证简况 □适用√不适用五、其他有关资料 □适用√不适用 六、公司主要会计数据和财务指标 (一)主要会计数据 单位：元币种：人民币 主要会计数据 本报告期（1－6月） 上年同期 本报告期比上年同期增减(%) 营业收入 466,268,427.11 320,824,305.36 45.33 归属于上市公司股东的净利润 116,779,439.45 51,805,311.07 125.42 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 110,550,797.01 48,002,879.14 130.30 经营活动产生的现金流量净额 60,485,671.63 32,651,339.71 85.25 本报告期末 上年度末 本报告期末比上年度