东微半导：苏州东微半导体股份有限公司2023年年度报告

公司代码：688261公司简称：东微半导 苏州东微半导体股份有限公司 2023年年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是√否 三、重大风险提示 报告期内，受全球经济增速下行以及竞争格局加剧等多重因素的影响，公司产品销售价格和毛利率有所下降。同时，公司积极优化产品组合策略，进行工艺平台迭代升级，继续保持主要产品高压超级结MOSFET销量的上升，但由于产品销售价格的下降，致使公司报告期内营业收入较2022年同期出现下滑。此外，报告期内，公司进一步加大前瞻性研发投入力度，相应的材料、职工薪酬、研发设备及平台开发等研发投入均持续增长，亦对公司报告期经营业绩产生影响。未来，如果市场竞争持续加剧、宏观景气度下行、需求持续低迷、新增产能无法消化、国家产业政策变化、公司不能有效拓展国内外新客户、公司无法继续维系与现有客户的合作关系等情形，且公司未能及时采取措施积极应对，将使公司面临一定的经营压力，存在业绩进一步下滑的风险。 另外，公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分，敬请投资者注意投资风险。 四、公司全体董事出席董事会会议。 五、天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、公司负责人龚轶、主管会计工作负责人谢长勇及会计机构负责人（会计主管人员）谢长勇声 明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司2023年度利润分配及资本公积金转增股本预案为： 1、公司拟以实施权益分派股权登记日登记的公司总股本扣减公司回购专用证券账户中股份为基数，向全体股东每10股派发现金红利人民币1.786元（含税）。截至2024年3月31日，公司 总股本94,326,914股，扣除公司回购专用证券账户中股份数231,867股后的股本为94,095,047 股，以此为基数计算合计拟派发现金红利16,805,375.39元（含税），本年度公司现金分红金额占2023年度合并报表中归属于母公司股东的净利润的比例为12.00%。根据《上市公司股份回购规则》《上海证券交易所上市公司自律监管指引第7号——回购股份》等相关规定，上市公司以现金为对价，采用集中竞价方式、要约方式回购股份的，当年已实施的股份回购金额视同现金分 红，纳入该年度现金分红的相关比例计算。公司2023年度以集中竞价交易方式实施股份回购并支付现金对价12,930,588.12元（不含印花税、交易佣金等交易费用），2023年度公司以上述两种方式合计现金分红金额为29,735,963.51元，占公司2023年度合并报表归属于上市公司股东的净利润的21.24%。 2、公司拟以资本公积金向全体股东每10股转增3股。截至2024年3月31日，公司总股本 94,326,914股，扣除公司回购专用证券账户中股份数231,867股后的股本为94,095,047股，以此为基数计算合计拟转增28,228,514股，转增后公司总股本增加至122,555,428股（最终转增股数及总股本数以中国证券登记结算有限公司上海分公司最终登记结果为准，如有尾差，系取整所致）。 如在公司2023年度利润分配及资本公积金转增股本预案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配金额；同时维持每股转增比例不变，相应调整转增总额，并将另行公告具体调整情况。 以上2023年度利润分配及资本公积金转增股本预案已经公司第二届董事会第三次会议审议 通过，尚需提交公司2023年年度股东大会审议。八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 九、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十一、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十二、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十三、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义5 第二节公司简介和主要财务指标8 第三节管理层讨论与分析15 第四节公司治理69 第五节环境、社会责任和其他公司治理88 第六节重要事项95 第七节股份变动及股东情况128 第八节优先股相关情况140 第九节债券相关情况141 第十节财务报告142 备查文件目录 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿 第一节释义 一、释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义公司、本公司、股份公司、东微半导、东微半导体、东微有限、东微 指 苏州东微半导体股份有限公司，根据上下文，还包括其子和/或分公司 苏州高维 指 苏州工业园区高维企业管理合伙企业（有限合伙） 得数聚才 指 苏州工业园区得数聚才企业管理合伙企业（有限合伙） 原点创投 指 苏州工业园区原点创业投资有限公司 中新创投 指 中新苏州工业园区创业投资有限公司 聚源聚芯 指 上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心（有限合伙） 哈勃投资 指 哈勃科技创业投资有限公司，曾用名“哈勃科技投资有限公司” 中小企业发展基金 指 深圳国中中小企业发展私募股权投资基金合伙企业（有限合伙），曾用名“中小企业发展基金（深圳有限合伙）” 智禹博信 指 苏州工业园区智禹博信投资合伙企业（有限合伙） 智禹博弘 指 苏州工业园区智禹博弘投资合伙企业（有限合伙） 智禹东微 指 苏州工业园区智禹东微创业投资合伙企业（有限合伙） 智禹嘉通 指 苏州智禹嘉通创业投资合伙企业（有限合伙） 天蝉投资 指 海南天蝉智造创业投资合伙企业（有限合伙），曾用名“苏州天蝉智造股权投资合伙企业（有限合伙）” 丰熠投资 指 宁波丰熠企业管理有限公司，曾用名“上海丰熠投资管理有限公司” 丰辉投资 指 宁波丰辉投资管理合伙企业（有限合伙） 国策投资 指 上海国策科技制造股权投资基金合伙企业（有限合伙），曾用名“上海国和人工智能股权投资基金合伙企业（有限合伙）” 上海烨旻 指 上海烨旻企业管理中心（有限合伙） 《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》 《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》 《企业会计准则》 指 财政部于2006年2月15日颁布的企业会计准则及其应用指南和其他相关规定，以及相关规定、指南的不时之修订 报告期末 指 指2023年12月31日 《公司章程》 指 现行有效的《苏州东微半导体股份有限公司章程》及其修订和补充 股东大会 指 苏州东微半导体股份有限公司股东大会 董事会 指 苏州东微半导体股份有限公司董事会 监事会 指 苏州东微半导体股份有限公司监事会 半导体 指 常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材料有硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种 分立器件 指 半导体分立器件，与集成电路相对而言的，采用特殊的半导体制备工艺，实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往往无法在集成电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本较高。分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等 半导体功率器件、功率半导体 指 又称电力电子功率器件，主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是进行电能（功率）处理的核心器件，弱电控制和强电运行间的桥梁。半导体功率器件是半导体分立器件中的主要组成部分 MOSFET、功率MOSFET或MOS 指 金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种典型半导体器件结构，目前已广泛使用在电力电子电路中，也可以单独作为分立器件使 用以实现特定功能 TrenchMOSFET、沟槽型功率MOSFET 指 MOSFET栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低导通损耗等特点 超级结MOSFET 指 基于电荷平衡技术理论，在传统的功率MOSFET中加入p-n柱相互耗尽来提高耐压和降低导通电阻的器件结构，具有工作频率高、导通损耗小、开关损耗低、芯片体积小等特点 屏蔽栅MOSFET、SGT、SGTMOSFET 指 基于电荷平衡技术理论，在传统的功率MOSFET中加入额外的多晶硅场板进行电场调制从而提高耐压和降低导通电阻的器件结构，具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性好等特点 IGBT 指 绝缘栅双极型晶体管，同时具备MOSFET和双极性晶体管的优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高、工作频率高等特点 TGBT 指 Tri-gateIGBT，一种公司采用独立知识产权Tri-gate器件结构的创新型IGBT产品系列 Vth 指 ThresholdVoltage，阈值电压 DC-DC 指 将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压，也称为直流斩波器 功率模块 指 将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在一起，形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度高、功率控制能力强，往往应用于大功率或小体积的电力电子产品 晶圆 指 经过半导体制备工艺加工后的晶圆片半成品，进一步通过封装测试可以形成半导体器件产品。每片8英寸晶圆包含数百颗至数万颗数量不等的单芯片 功率器件 指 已经封装好的MOSFET、IGBT等产品。晶圆制作完成后，需要封装才可以使用，封装外壳可以给芯片提供支撑、保护、散热以及电气连接和隔离等作用，以便使器件与其他电容、电阻等无源器件和有源器件构成完整的电路系统 IDM 指 垂直一体化模式，半导体行业中从芯片设计、晶圆制造、封装测试到销售的垂直整合型公司 Fabless 指 半导体行业中流行的业务形态，指公司“没有制造业务、只专注于研发设计”的一种运作模式，也用来指未拥有芯片制造工厂的IC或功率器件设计公司 晶圆代工 指 芯片设计企业将设计方案完成后，由芯片代工企业通过采购晶圆材料、光刻、刻蚀、离子注入等加工工艺制造出芯片 封装测试、封测 指 封装和测试,首先把已制造完成的半导体芯片进行封装，再对元器件进行结构及电气功能的确认，以保证半导体元件符合系统的需求，整个过程被称为封装测试 碳化硅、SiC 指 碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高和击穿电场高等性质，特别适用于高压、大功率半导体功率器件领域 氮化镓、GaN 指 氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质 导通电阻 指 功率MOSFET开启时漏极和源极间的阻值。导通电阻数值越小，MOSFET工作时的功率损耗越小 饱和压降 指 在饱和区内，IGBT集电极和发射极间电压 LED 指 LightingEmittingDiode，即发光二极管，是一种半导体固体发光器件，利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子复合产生光子 EMI 指 Electro-MagneticInterference，即电磁干扰，是干扰电缆信号 并降低信号完好性的电子噪音 栅极电荷、Qg 指 为导通或驱动MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。数值越小，开关损耗越小，从而可实现高速开关 导通压降 指 器件开始导通时MOSFET源-漏极之间或者IGBT发射极-集电极之间的电压差 同步整流 指 用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步，以完成整流功能 锂电保护 指 对电芯的保护，使电芯工作在安全范围内，锂电保护监测电芯使用情况，在异常状态阻断电芯充放电，防止电芯继续使用 逆变器 指 把直流电能（电