半导体行业专题研究：存储市场复苏强劲，HBM/DDR5/CXL增添动能

存储市场复苏强劲，HBM/DDR5/CXL增添动能 2024年02月25日 证券研究报告 行业研究 行业专题研究（普通） 存储市场复苏强劲，HBM/DDR5/CXL增添动能 2024年02月25日 本期内容提要: 看好 看好 半导体 投资评级上次评级 2024年存储市场复苏，量价具备提升动能。根据WSTS预测，2024年存储芯片市场同比将增长44.8%，增幅居于半导体细分领域之首。量的维度：单机容量提升显著，AI服务器、AIPC和AI手机对存储需 莫文宇电子行业首席分析师 执业编号：S1500522090001 邮箱：mowenyu@cindasc.com 求扩大。存储芯片的需求量增长体现在设备出货增长和单机容量提升两个方面，我们认为，2024年智能手机、服务器和PC出货量均有个位数百分比提升，而单机容量提升或将成为存储市场比特出货的主要驱动。价的维度：2024年存储价格有望逐季增长。DRAM和NANDFlash合约价格分别从4Q23和3Q23起涨，根据TrendForce预测，在需求恢复驱动下，DRAM和NANDFlash四个季度价格或持续增长。涨价效应持续显现，存储模组厂Q1有望淡季不淡。随着DRAM/NANDFlash合约价继续上扬，客户备货意愿提升。从中国台湾模组厂商1月营收数据看，威刚环比+13%/同比+64%，创见环比 +16%/同比+37%，宜鼎环比+11%/同比+10%，广颖环比+12%/同比 +20%，反映价格上涨、客户补货意愿较强。尽管一季度是消费电子传统淡季，模组厂仍具备量价提升动能，有望淡季不淡。 信达证券股份有限公司 CINDASECURITIESCO.,LTD 北京市西城区闹市口大街9号院1号楼邮编：100031 HBM和DDR5需求旺盛，利基存储或间接受益。我们通过梳理三大原厂（三星、SK海力士、美光）最新法说会的展望，原厂对于2024年存储市场复苏有着一致的预期，但在传统存储产品的投产上仍然保 持谨慎，而将投资和产能主要转向HBM和DDR5的生产。我们认为这反映了（1）HBM和DDR5盈利性更强，原厂更愿意通过高附加值产品来快速增长业绩；（2）来自AI的需求，尤其是AI服务器的需求仍然强劲，HBM和DDR5的渗透率有望快速提升；（3）当前产能未 能满足客户需求，1beta制程良率仍在提升。在HBM和DDR5成为原厂投资首要选择下，利基型存储供给有望保持紧缩，伴随需求的逐步恢复，供需情况有望加速转好。 CXL解锁内存性能潜力，2025年有望起量。CXL（ComputeExpressLink）是一种互联技术标准，由英特尔在2019年推出，能够让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，从而满足高性能异构计算的要求，并且其维护CPU内存空间和连接设 备内存之间的一致性，其优势体现在较高兼容性和内存一致性两方面。当前正处于CXL早期部署阶段，2025年渗透率有望加速，产业链或优先受惠。当前主流服务器CPU可支持CXL1.1协议，2023年5月三星推出首款CXL2.0的128GBDRAM，并表示于2024年量产。在AI服务器对数据存储性能和效率愈加提高的挑战下，CXL部署提供了短期和长期解决方案，有望逐渐被云服务器厂商采纳。根据YoleIntelligence预测，预计到2028年，CXL市场总收入将增长到150亿美元以上。 投资建议：（1）2024年存储市场复苏势头强劲，全年具备量价提升动能，存储模组厂商有望充分受益于涨价周期，建议关注：江波龙、佰维存储、德明利。（2）HBM和DDR5成为原厂投资首要选择下，利基型存储供给有望保持紧缩，伴随需求的逐步恢复，供需情况有望 加速转好，建议关注：兆易创新、东芯股份、普冉股份。（3）DDR5加速渗透，原厂预计年中渗透率超过50%，内存接口及其配套芯片或持续受益，同时CXL有望在2025年起量，产业链或优先受惠，建议关注：澜起科技、聚辰股份。 风险因素：下游需求恢复不及预期风险；新品开发进度不及预期风险；中美贸易摩擦加剧风险。 目录 2024年存储市场复苏，量价具备提升动能4 HBM和DDR5需求旺盛，利基存储或间接受益7 CXL解锁内存性能潜力，2025年有望起量10 投资建议12 风险因素12 表目录 表1：三大终端应用DRAM和NANDFlash单机容量增长率4 表2：4Q23~1Q24DRAM合约价涨幅预测5 表3：4Q23~1Q24NANDFlash合约价涨幅预测6 表4：三大原厂2024年存储市场展望及Capex和产能计划7 表5：不同次代HBM规格比较8 图目录 图1：半导体细分赛道市场规模同比增幅预测4 图2：DRAM季度合约价涨幅预测5 图3：NANDFlash季度合约价涨幅预测5 图4：威刚月度营收及其增速6 图5：创见月度营收及其增速6 图6：宜鼎月度营收及其增速6 图7：广颖月度营收及其增速6 图8：三大原厂HBM产品开发进展8 图9：全球服务器内存模组出货量预测9 图10：CXL是解决存储墙难题的方式之一10 图11：CXL3.0内存池化和共享10 图12：CXL不同次代的特点11 图13：2022-2028年支持CXL的服务器CPU占比11 2024年存储市场复苏，量价具备提升动能 2024年存储市场规模预计增长45%。相较于半导体其他细分领域，存储芯片市场的弹性更大，这主要是因为存储芯片产品具备科技大宗商品属性，受供求关系影响更为显著。市场下行通道下，原厂开启减产策略以清除库存，同时伴随着下游终端客户需求逐步回暖、库存消耗带来的补库需求，4Q23存储芯片价格触底反弹。我们认为，2024年市场需求或将持续恢复好转，同时原厂投产策略仍保持谨慎，在传统需求复苏和新需求刺激作用下，存储市场预计量价均有大幅提升。根据WSTS预测，2024年存储芯片市场同比将增长44.8%，增幅居于半导体细分领域之首。 图1：半导体细分赛道市场规模同比增幅预测 50% 40% 30% 20% 10% 0% 42.0% 11.0% 202220232024E 3.7%3.7% 7.0%9.6% 44.8% -10% -20% -30% -40% 分立器件光学光电子 传感器 模拟芯片微处理器逻辑芯片 存储芯片 资料来源：WSTS，信达证券研发中心 量的维度：单机容量提升显著，AI服务器、AIPC和AI手机对存储需求扩大。存储芯片的需求量增长体现在设备出货增长和单机容量提升两个方面，我们认为，2024年智能手机、服务器和PC出货量均有个位数百分比提升，而单机容量提升或将成为存储市场比特出货 的主要驱动。以PC为例，SK海力士表示AIPC对存储容量的需求超过两倍。根据TrendForce预测，2024年智能手机/服务器/笔电单机DRAM容量增长分别为14.1%/17.3%/12.4%，NANDFlash容量增长分别为9.3%/13.2%/9.7%。 应用 DRAM NANDFlash 2023 2024E 2023 2024E 智能手机 17.5% 14.1% 19.2% 9.3% 服务器 13.6% 17.3% 14.9% 13.2% 笔电 9.0% 12.4% 10.1% 9.7% 表1：三大终端应用DRAM和NANDFlash单机容量增长率 资料来源：TrendForce，信达证券研发中心 价的维度：2024年存储价格有望逐季增长。DRAM和NANDFlash合约价格分别从4Q23和3Q23起涨，根据TrendForce预测，1Q24DRAM合约价季涨幅约13%~18%，NANDFlash则是18%~23%。DRAM与NANDFlash供应商在4Q23下旬和1Q24调升稼动率，同时NANDFlash买方也早在第一季度将陆续完成库存回补，因此2Q24合约价季涨幅预计皆收敛至3%~8%。3Q24进入传统旺季，需求端预期来自北美CSP的补货动能较强，在稼动率均尚未恢复至满载前提下，DRAM与NANDFlash的合约价有机会扩大至8%~13%，其中DRAM因DDR5和HBM渗透率提升，受惠于ASP提高，有望带动涨幅扩 大。4Q24在供应商维持有效控产策略的前提下，涨价或将持续，预计DRAM合约价季涨幅约8%~13%，NANDFlash则是0%~5%。 图2：DRAM季度合约价涨幅预测图3：NANDFlash季度合约价涨幅预测 资料来源：TrendForce，信达证券研发中心资料来源：TrendForce，信达证券研发中心 DRAM方面，预计1Q24手机需求仍贡献主要增量。由于合约价格仍处在历史相对低位，手机客户倾向持续建立安全且相对低价的库存水位，因此不断放大购货需求，同时原厂仍不敢贸然恢复满产，供需转为紧张，TrendForce预计一季度手机存储合约价涨幅18%~23%。PC方面，DDR5订单需求尚未被满足，同时客户预期DDR4价格会持续上涨，带动拉货动能延续，预计一季度合约价季涨幅约10%~15%，其中DDR5涨幅会略高于DDR4。服务器方面，23年客户加速DDR4去化，而DDR5需求未全面兑现，原厂持续收敛DDR4供给量，同时为提高获利能力而大幅提高DDR5产出，预计一季度合约价季涨幅约10%~15%。 表2：4Q23~1Q24DRAM合约价涨幅预测 4Q23 1Q24(E) PCDRAM DDR4:up8~13%DDR5:up10~-15% up10~15% BlendedASP:up10~15% ServerDRAM DDR4:up5~10%DDR5:up0~5% up10~15% BlendedASP:up8~13% MobileDRAM up18~23% up18~23% GraphicsDRAM up8~13% up10~15% ConsumerDRAMup10~15%DDR3:up8~13%DDR4:up10~15% TotalDRAMup13~18%up13~18% 资料来源：TrendForce，信达证券研发中心 NANDFlash方面，Q1尽管适逢传统淡季需求呈现下降趋势，但为避免缺货，客户持续扩大采购以建立安全库存水位，而供应商为减少亏损，提价的动力更强。EnterpriseSSD方面，北美CSP采购需求仍未成长，但有来自中国CSP、Server品牌业者的订单支撑，一季度淡季不淡，TrendForce预计合约价季涨幅约18%~23%。eMMC方面，智能手机、Chromebook客户采购需求持续回稳，部分原厂积极减产策略延续至Q1，导致小容量产品供应吃紧，买方由于库存偏低而被迫接受涨价，以避免供应短缺，预计一季度合约价季涨幅约18%~23%。ClientSSD方面，PCOEM拉货动能预估会在第一季度达高峰，另随着 PCIe4.0SSD渗透率持续上升，部分供应商已经启动制程升级，买方为避免SSD供应青黄不接，均愿意绑定较大需求位元订单，预计一季度合约价季涨幅约15%~20%。 表3：4Q23~1Q24NANDFlash合约价涨幅预测 4Q23 1Q24(E) eMMCUFS up10~15% up18~23% EnterpriseSSD up10~15% up18~23% ClientSSD up13~18% up15~20% 3DNANDWafers(TLC&QLC) up35~40%up8~13% TotalNANDFlashup13~18%up15~20% 资料来源：TrendForce，信达证券研发中心 涨价效应持续显现，存储模组厂Q1有望淡季不淡。随着DRAM/NANDFlash合约价继续上扬，客户备货意愿提升。从中国台湾模组厂商1月营收数据看，威刚环比+13%/同比 +64%，创见环比+16%/同比+37%，宜鼎环比+11%/同比+10%，广颖环比+12%/同比 +20%，反映价格上涨、客户补货意愿较强。尽管一季度是消费电子传统淡季，模组厂仍具备量价提升动能，有望淡季不淡。 图4：威刚月度营收及其增速图5：创见月