先进封装(Chiplet)——HBM核心技术路线
Y进]装ÿChjpl@$Ā——HBMß o路线 2023.11.19 内ø资料请勿转Ó 11o7日 O星电[明^把其高端带ÿ内存(HBM)芯片的产量扩r今的n][2 SK海力û明也^增à设_投资，扩HBM产2该公司^其Āp的oßý厂增à一g产HBM芯片所ß需的ð]装线2 11o14日英伟达H200è明未g的Ó展方向HBM NVDAH2OOöÓa揭示了ÿÛQ一mð升路ß,得益于HBM3eö搭ÿ,H2OOçp141GBö内存14.8TB/úö带宽,GPU架ç无调u的情õQ推v度达r了H100的n],存力后ÿ升级ß性ù~2 HBM3Eo一ý基Î3D堆叠ý艺öDRAM存储芯片,Al服á器üw需n强烈,在摩\定ß放缓1GPU心利用率O足ö背景Qü高带宽存储Þ成~瓶,HBMo破s键2当前H2OO搭ÿöHBM3e~Ûûõ一ïï品,明O星1美Zp望\mßï,õ一轮行业势已经g临2 H2OOË明HBMÿęÿ电öÞ;英伟达H200充V证明了,就ÿOÿà更[CUDA或频,只增à更[的HBM和更快的lO,即便保持ĀpHopper架çOØ,英伟达ß然ÿñ实Āþ当于架çï×升级的性ý提升2 11o17日Þ]材料(AMAT.US)遭刑Ï调查，[导体设_1材料ûvÿý趋o 美ÿ[导体设_ßÞ商Þ用材料(AMAT.US)美股þ前跌近7%，ç144美元2Þ用材料第߯季wu~67.23ÿ美元，Pû\ö67.49ÿ美元þç，高Î`场ö65.2ÿ美元ĀÑ利润~2O.O4ÿ美元，\ÿ增长26%，î ]Î`场ö16.16ÿ美元2í息þûĀ，Þ]材料因涉嫌ßß美ÿ出ó禁ð，遭r美ÿ司法部刑Ï调查2Þ用材料|ß露，û1Oo度çrÿþþ哈顿检察官Þ公室ö`°ð状，n公øðßç~客w资料，Øöy÷配\þs调查2 美ÿ扩[导体Y进材料1设_出óûv，s注[导体材料1设_ÿ产化会！ 材料:TSV电镀液ÿ成本占比最高， 术难度最大Ā 强力ð材获得杜邦授权规避制裁(美 国陶氏杜邦全球垄断) 材料ÿPSPI 强力ð材ÿ盛合Ā 材料ÿLMCÿ液态Ā、GMCÿ粒状Ā 华海诚科ÿLMC、GMC龙头Ā、飞凯材料ÿGMCĀ 材料ÿGMC原材料球硅、球铝:日本雅都玛垄断、国内联瑞新材、壹石通 TSV~HBM心ý艺，电镀1测试1键合需nð升2TSV~ HBMßý艺，成本s比接近30%，oHBM3D]装o成psÿ g高öøV2TSV通孔[充ü性ýósÞ，铜~流[充材料2TSV成本结ç中通_填充s比25%，û动电镀`场规k增长2TECHCET«2O22Yß]装和高端àÔÞ用o，电镀材料全w ^规近10亿美元，ßOÞnßÿ齐升，^ÿ高增长2HBM需ß行KGSDÿKnownGoodStackedDieĀ测试，拉动测试需n2HBM高带宽特ß拉动键\需n，ÐμbumprTCB/ÿ合键合，è动þ晶步骤和þ晶单ÿð升2 ÿ力需nß喷óà产ý×限，HBMÿ格高增，^规高增ÿ Ð成p端g，HBMö均ÿó]oDRAMöO倍，l前ØChatGPTö拉动\时ØïýO足，HBMöÿ格一路P涨， P性ýg高öDRAMþÿHBM3öÿ格P涨了五倍2 2O22ywHBM`场规kþ~36.3K美元，«ó2O26`场规k^¿127.4K美元，üÞCAGRþ37%2 TSV通_填充电镀液ÿ强力ð材Ā，临时键合öÿ鼎龙股份1飞ÿ材料Ā，减薄ÿZ力科Ā，通_绝缘ÿpspi强力ð材Ā HBM封装成本拆分ÿ99.5%键合良率ĀTSV成本构成 HBM全球市场规模ÿ亿美元Ā ÿ合键合ÿ ÿ合键合设_ÿ拓荆科ÿ已经研v了两款\键\设_ÿ圆üv圆键\ï品ÿDione3OOĀ和芯片üv圆键\è÷]v ï品ÿPolluxĀ，ß两款设_ý已经出¯ó客w端ß行验Ë2ð益昌ÿ公ø已a[导体Yß]装域ö高精度设_,øV设 _已在验ËoĀyë动÷贴片þvÿHAD812系WĀĀ SK海力ûÿo领Y，ß于MR-MUFoÿ`统öHBM芯片堆叠[数通过TCNCFÿ非导电膜ö热压键çĀý艺，OØÎ材料流动性ñÛbump数ßv存在导热ñÛwÞý艺陷等问题2MR-MUFÿ批ß流kvßø[充ĀoÛûö高端]装ý艺，通过^芯片贴Ö在电路P，在堆叠时，在芯片和芯片O间用一ýĀ~液态ÿ氧树脂塑]ÿLiquidepoxyMoldingCompound，LMCĀö物°[充并粘贴2üÿNCF，MR-MUFýpmð高导热率，并]善ý艺度和良率2液态ÿ氧树脂唯一标的0_海诚科1Ā颗þ状ÿ氧树脂ÿ飞ÿ材料Āp望作~ÿÿß材料ÿÔ瑞ð材1壹石通ĀĀY进]装塑]设_ÿç一科，科装_Ā LMC与晶圆热收缩差异造成翘曲问 混合键合ë动键合步骤和设备单价增加 行业基p情况ï述ÿ 广义Y进封装： 不用引线的封装结构 真正Y进封装Chjpl@$ÿ×台积电、大Ø盛合晶微 Emb@dd@d IµFO 代表产品ÿ特ï拉dojoCoWoSÿ当前主要术Ā代表产品ÿ英伟达AI芯w 康强电子 强力ð材 一 德邦科级材料 华海诚科、飞凯材料 强力ð材 一 材 级强力ð材 料 强力ð材 华海诚科、德邦科 二华海诚科、德邦科级 材 料 兴森科、生益科 ÿABFĀ 二P海ð阳、天科材 级 料P海ð阳、天科 O中富电路 、华正ð材、深O 材 南电路、劲拓股份级级 材料 华海诚科、德邦科料 密封剂 141ÿ导热硅脂、导热胶 142-144ÿ聚酰亚胺ÿPIĀ、环氧树脂 ÿ强力ð材、华海诚科、飞凯材 料、德邦科Ā 引线框ÿ康强电子Ā 剖面Ā 引线ÿ康强电子Ā半导体芯w 第一衬底固晶材料或界面材料 俯视Ā [导体]装包括ÿ第一ìß1[导体芯片1引线框和ß]剂2ß]RöQ÷包括在第一÷o延伸ö第一øV1在第Ð ÷o延伸ö第ÐøV1在ï第一÷Pï第Ð÷O间ö第一过o区o延伸ö第OøV，ñÛ在ï第Ð÷Pó]一n引ÿ O间ö第Ð过o区o延伸ö第ßøV2 ïß]Röï第一øV和ï第一ìßöQ÷在þ\ö第一÷o延伸，ï第一÷成ï]装öQ散热è÷2ïß]Röï第ÐøV1ï第OøV和ï第ßøVö尺û被设置~在ïß]Röï第一øVPïó]一n引ÿO间ß持第一定Og_距离2 材料ÿPSPI强力ð材 RDL主要工艺流程示意Ā 材料ÿPVD靶材 ×克科 材料ÿ后道Z刻胶 ×克科 材料ÿ后道Z刻胶 ×克科 材料ÿì模x 路维Z电、清溢Z电 材料ÿì模x 路维Z电、清溢Z电 RDL工艺成品ÿ PSPI、靶材ÿ完成封装后永久留在芯w内部，永久材料伴随芯w整个寿命周期，术壁垒高Ā强力ð材、×克科 TSV主要工艺流程示意Ā 材料ÿ氟气体 中船特气、华特气体 材料ÿ$3v电镀液 强力ð材 材料ÿPSPI强力ð材 材料ÿ临时键合胶 飞凯材料、鼎龙股份 材料ÿCMP抛Z液、垫安Ø科、鼎龙股份 材料ÿ$3v电镀液强力ð材 材料ÿ电镀液 强力ð材、天科 ÿPCBĀ 材料ÿCMP抛Z液、垫安Ø科、鼎龙股份 材料ÿ解键合胶 飞凯材料、鼎龙股份 强力ð材ÿ杜邦1JSRý度合作，电[化ýv ý力比肩ÿ×巨头Ā 感Z性Ú酰Þ胺(PSPl)ÿRDLß材料 感Z性Ú酰Þ胺(PSPl)öxp优_öÛ学性ý1热学性ý1电学性ý等，在[导体]装o被Þ用~缓ó^材料Û再aÿ^材料，os键öv程材料和|久材料2237o4日ÿ，日本开始限v向韩ÿ出óÚ酰Þ胺ÿpiĀ1Z[ö和高纯度氟化n3ý[导体材料，pspio一ý高端öZoOßpiĀ ÿ_目前只p杜邦1JSR1东京Þ化1ßûß家ÿñïĀ在chipletý艺o，每堆叠一^芯片ý需ï一次pspiĀ2015ñ g和Ā湾昱镭Z电合作，后ÿ经Ï强力ð材8研Ó后，成ß实Āë研Ā PSPl在Yß]装oöÞ用ÐO-1，^ÿ高增长，`场z间]\增5O%Ā盛合晶ÿW片验证通Ï，目前真片验证中Ā 一级电镀材料ÿHBM中TSVoß材料ÿ杜邦目前`议Ā TSV电镀液只p杜邦ÿñïyw高度垄断，tsvo一ýYßö[导体]装技o，它用垂öö电导通道硅v圆，Ð实Ā芯片O间或芯片和]装ßO间ö连ç2 目前贴牌杜邦ö电镀液规避v裁，目前厂1设_×_完Ā^ÿëïĀ 强力ð材电镀液已p杜邦知识产权，明_始ï，yw`场z间1OK美元，并ß持高增Ā 热ûv材料ÿ芯片散热材料ÿ杜邦第Ð期`议Ā TlMÿ连ç芯片ÿÏCPU或GPUĀ和散热器，ñ增强Ð O间ö热`递m率，目前日p垄断，`场规k高增长Ā BCBÿ常用Îÿ电[和\(RF)Þ用ö高性ýpÚ\物Ï°材料由Îw优_ö电性ý1PöÏ电常数1良]ö热稳定性和 化学稳定性，BCB在ÿ电[]装1[互àñ及\频]装oý得r了广ÿÞ用2美ÿÞ用ß[，ÿ内目前Þ用ÿ]Ā Al服á器ü散热nç高，^ÿ]公ø热ûv材料放ß2 总结ÿ强力ð材距离盛合晶ÿ40V钟车程，p望成~盛合晶ÿ重Ā型材料企业ÿ参考鼎龙股份Pÿ江存储Ā，`û盛合晶ÿëóY进]装材料t脖[问题ĀY进]装一级材料ÿ进度g快1材料g[1ý槛g高，Y进]装材料ß推荐标的2 飞ÿ材料ÿ中间ý艺临时键合材料龙头 临时键合材料ÿ目前已经ßu长电Yß2临时键\ö暂时þ定v圆ñÿß行àý，ý艺完Ā^解键ûöĀ BumpingÛöÿ在chipleto,连ç芯片和interposeröC4bumpß障ï÷ö`递，成bump凸点^需ûö2ÿ没p验Ë r导uĀ ÿ氧塑]料ÿ颗粒状ÿ氧塑]料，暂无液体ÿ氧塑]料，略落^Î_诚ù2 总结ÿ临时键合材料1Ûö产厂商z[，导电ö厂商均ÿ产Ā芯片中间ý艺]材料，ý艺ß成后需û除，oÙ垒þ对_低2 ÿ邦科ÿß部填充ö龙头1TlMß CoWoSYß]装ÿß部填充öUnderfillo]装A连心，热界面材料TlMo散热心两 ýoAl芯片]装oOÿ或öP游材料，Underfill和TlMyø由日ÿ美垄断ÿïÿïz间巨Ā ß部填充öÿ公øï品用在PCB，目前向Ðÿ1一ÿ]装材料研Ó，出¯ß略Î_诚ùĀ 热界面材料ÿTlM-2已批ß߯TlM-1[nß÷，Underfill[款料÷通过验Ë，«明_始出¯Ā 总结ÿß填öß标的，TlM材料积ç推进Ā _海诚科ÿÿ氧塑]料龙头，ß部填充öß 公øÞ用ÎQFNöï品已实Ā_批ßïP销,颗þ状ÿ氧塑]料(GMC)ñÛFCß填ö等Þ用ÎYß]装ö材料已通过客w验Ë,液态塑]材料(LMC)k在客w验Ë过程o 公ø颗粒状塑]料ë研设_，性ýü标日p龙头，解ôÿ内扩ït脖[问题2 ß部填充öÿPÿ邦ù技ß展，PCB[充ösøV营w，_øV一ÿÐÿ材料Ā 总结ÿ芯片_ûß标的，ÿ氧塑]料龙头Ā 鼎龙股份ÿ 公ø已成ß研Ó了[款Þ用ÎYß]装ý艺oöCMP抛Z材料，þsï品已Øÿ通过客wö测试验Ë并×得ßï¬单2 临时键合产品在ÿ内某流Ø成电路v 客w端ö验ËÛßï导uý作已基p完成，ï品性ý获得客w端]Ï，«2O24 一季度p望获得张¬单2在ïýþ设ý÷，已完成了临时键\öÿ键\ö+解键\öĀ\«11O吨/ößïïÿþ设，x _ßïßfiýÛ2 ×克科ÿ硅ÿý产品_\Y进]装，前驱体产品ßÞ韩ÿ厂ÿsk海力ûĀĀw购LG化学色Z[öÏ业øöøV经营性资ï，aiÿ^道]装Z[öĀ 壹石通ÿï2OO吨高端芯片]装用Low-αw铝项目ÿ出fi1OO吨，`场1OOO吨Ā，p望在2O23o实ĀøV投ï，目前日韩客w已Øÿ送验证ÿO星Ā，客w初mÞ良]ĀLOW-αw硅Ā在çÿo一吨4-5O，LOW-αw铝1OOr2OOOO间，GMCÿw塑]料Ā心材料~low-αw硅+low-αw铝ÿ]装[料Ý¿ow硅，然^掺一øVw铝Ā，w铝性ýÿw硅]，ÿ值ßsGMCoö7O%-9O%2O前给日p×ý玛
