国内半导体薄膜沉积设备龙头，身处快速成长期

拓荆科技(688072.SH) 电子&半导体 2023年11月20日 国内半导体薄膜沉积设备龙头，身处快速成长期 推荐（首次） 股价：242.69元 主要数据 行业电子 平安观点： 国内薄膜沉积设备龙头，目前处于快速成长期。公司成立于2010年，专 注半导体薄膜沉积设备的研发、生产、销售与技术服务，主要产品包括PECVD、ALD和SACVD等，2022年4月在科创板上市。业绩方面，2018-2022年，公司营收从0.71亿元增长到17.06亿元，期间CAGR为 121.67%，2023年前三季度，公司营收为17.03亿元，同比增长 公司网址www.piotech.cn 大股东/持股国家集成电路产业投资基金股份有限 公司/19.86% 实际控制人 总股本(百万股)187 流通A股(百万股)102 流通B/H股(百万股) 总市值（亿元）456 流通A股市值(亿元)248 每股净资产(元)21.79 资产负债率(%)53.7 行情走势图 证券分析师 付强投资咨询资格编号 S1060520070001 FUQIANG021@pingan.com.cn 徐勇投资咨询资格编号 S1060519090004 XUYONG318@pingan.com.cn 研究助理 陈福栋一般证券从业资格编号 S1060122100007 CHENFUDONG847@pingan.com.cn 郭冠君一般证券从业资格编号 S1060122050053 GUOGUANJUN625@pingan.com.cn 71.71%，业绩增长势头较为迅猛；此外，2020-2022年，公司合同负债从 1.34亿元增长到13.97亿元，期间CAGR为222.53%，2023年前三季度，公司合同负债为14.97亿元，同比增长62.29%，公司快速增长的合同负债一定程度上反映出公司订单较为充裕，未来业绩持续增长的确定性较强。 薄膜沉积设备市场格局优越，国产替代空间广阔。目前国内晶圆厂扩产节奏较快，对上游薄膜沉积设备带来了旺盛的市场需求，并且当前海外对中国半导体设备的制裁依旧持续，国产替代主线火热。从市场格局看，薄膜沉积设备市场主要由AMAT、TEL、ASM等海外厂商占据，垄断性强，国产化率仍处于较低水平，国内厂商面对的可替换市场空间较大，且目前国内薄膜沉积设备厂商大都处于起步阶段，体量小，在国产化替代趋势推动下，成长潜力将逐步显现。 公司薄膜沉积设备卡位优势明显，平台化布局雏形已现。公司目前拥有PECVD、SACVD、ALD、HDPCVD、键合设备等较为丰富的产品系列，部分产品已适配国内28/14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM芯片和64/128 层3DNANDFLASH晶圆制造产线，并成功实现产业化应用或验证。 2021A 2022A 2023E 2024E 2025E 营业收入(百万元) 758 1706 2851 4227 5353 YOY(%) 74.0 125.0 67.2 48.3 26.6 净利润(百万元) 68 369 498 778 1097 YOY(%) 696.1 438.1 35.1 56.3 40.9 毛利率(%) 44.0 49.3 49.9 50.4 50.9 净利率(%) 9.0 21.6 17.5 18.4 20.5 ROE(%) 5.7 9.9 11.9 15.7 18.2 EPS(摊薄/元) 0.37 1.97 2.66 4.16 5.86 P/E(倍) 663.3 123.3 91.2 58.4 41.4 P/B(倍) 38.1 12.2 10.8 9.2 7.6 PECVD是公司核心产品，公司自成立以来就开始研制PECVD设备，经过十余年的研发和产业化经验，目前已经实现了全系列PECVD薄膜材料的覆盖，卡位优势明显；以此为基础，公司将薄膜沉积设备逐渐拓展到SACVD、ALD、HDPCVD等设备领域，进一步丰富了薄膜沉积设备组合，目前三种设备中的部分产品型号已实现产业化应用；此外，公司关注芯片三维集成趋势，聚焦混合键合设备，其晶圆对晶圆键合产品也已实现产业化应用。公司在薄膜沉积设备领域构建了较为丰富的产品组合，并积 公 司报告 公 司首次覆盖报告 证券研究报告 极拓展键合设备，平台化布局雏形初步显现。 投资建议：公司是国内薄膜沉积设备龙头企业，在PECVD核心产品的基础上，广泛布局SACVD、ALD、HDPCVD、键合设备等领域，在国内薄膜沉积设备赛道中稀缺性强，卡位优势明显；且当前国内晶圆厂扩建节奏较快，带动上游设备市场持续繁荣，叠加国产化替代驱动，公司业绩长期向好的确定性较强。我们预计公司2023-2025年EPS分别为2.66元、4.16元、5.86元，对应2023年11月20日收盘价的PE分别为91.2X、58.4X、41.4X，公司产品性能优异，下游客户优质，外部市场环境友好，成长潜力巨大，我们看好公司未来的发展，首次覆盖，给予“推荐”评级。 风险提示：1、技术创新及新产品开发风险。半导体技术日新月异，新的市场需求层出不穷，若公司产品迭代速度无法满足技术进步带来的设备新需求，可能对公司的业绩成长性带来不利影响。2、下游需求不及预期的风险。公司产品主要应用于半导体产业，若国内晶圆厂的扩产节奏放缓，将直接影响公司业绩。3、市场竞争风险。国内半导体设备厂商存在互相进入彼此业务领域并开发同类产品的可能，公司可能面临国际巨头及潜在国内新进入者的双重竞争，如果公司无法有效应对市场竞争环境，可能对公司业绩产生不利影响。 正文目录 一、国内薄膜沉积设备龙头，当前处于快速成长期6 1.1国内半导体薄膜沉积设备领先者，产品广泛应用于下游晶圆厂6 1.2股权结构清晰，核心管理团队技术背景雄厚7 1.3财务数据优异，2018-2022年营收CAGR高达121.67%8 1.4订单充裕，业绩有望持续高增9 二、薄膜沉积设备市场格局优越，国产替代空间广阔9 2.1政策扶持叠加本土晶圆厂扩产，国内半导体设备市场景气向上9 2.2各类薄膜沉积设备各司其职，可替换市场空间广阔11 2.3半导体技术工艺快速进步，带来薄膜沉积新需求13 三、公司薄膜沉积设备卡位优势明显，平台化布局雏形已现14 3.1公司技术卓越、客户优质，产品布局广泛驱动业绩多元化成长14 3.2PECVD是公司核心产品，具备明显的卡位优势16 3.3ALD是公司全新增长点，PEALD已实现产业化应用17 3.4SACVD、HDPCVD双位布局，公司CVD业务羽翼渐丰18 3.5芯片三维集成趋势明显，公司键合设备有望充分受益19 四、盈利预测及风险提示20 4.1盈利预测20 4.2估值分析21 4.3投资建议22 五、风险提示22 图表目录 图表1公司发展历程6 图表2公司产品布局及下游客户群6 图表3公司股权结构情况（截止2023年三季报）7 图表4公司研发人员占比情况（截止2023H1）7 图表5公司研发人员学历分布情况（截止2023H1）7 图表6公司近年营业收入情况（亿元）8 图表7公司近年净利润情况（亿元）8 图表8公司近年营收结构情况（%）8 图表9公司近年期间费用率情况（%）8 图表10公司整体及各业务毛利率情况（%）9 图表11公司与同行业毛利率对比（%）9 图表12公司近年合同负债情况(亿元）9 图表13公司新签订单情况（不含Demo单，亿元）9 图表14全球半导体产业销售额（亿美元）10 图表15全球半导体设备市场规模（亿美元）10 图表16近年海外对华半导体制裁情况（部分）10 图表17国家对半导体产业的支持政策（部分）11 图表18国内半导体设备市场规模（亿美元）11 图表19薄膜沉积设备分类12 图表20PVD、CVD及ALD成膜效果简示12 图表21各类薄膜沉积设备市场价值量占比（%）12 图表22PVD市场格局（%）13 图表23CVD市场格局（%）13 图表24ALD市场格局（%）13 图表25不同制程工艺所需薄膜沉积工艺数量（道）14 图表26薄膜沉积占Flash产线资本开支比例（%）14 图表27公司近年研发投入情况（亿元）14 图表28公司知识产权情况（截止2023H1）14 图表29薄膜沉积设备在逻辑及存储芯片中的应用示意15 图表30公司产品性能参数及水平评价15 图表31公司2019-2021前三季度前五大客户营收占比情况（%）16 图表32PECVD设备结构16 图表33公司PEVCD设备产品布局17 图表34ALD设备成膜原理示意图17 图表35公司ALD设备产品布局18 图表36SACVD设备结构18 图表37公司SACVD和HDPCVD设备产品布局19 图表38晶圆键合设备原理19 图表39公司键合设备产品布局20 图表40公司各业务板块盈利预测21 图表41公司与可比公司相对估值比较21 一、国内薄膜沉积设备龙头，当前处于快速成长期 1.1国内半导体薄膜沉积设备领先者，产品广泛应用于下游晶圆厂 拓荆科技成立于2010年，地点位于沈阳，2022年4月在科创板上市。公司主要从事高端半导体薄膜沉积设备的研发、生产、销售与技术服务，主要产品包括等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）、原子层沉积设备（ALD）和次常压化学气相沉积设备（SACVD）等产品系列，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。公司发展历程中的重要节点包括：2011年公司首台12英寸PECVD出厂到客户端验证，2016年公司首台12英寸ALD出厂到客户端，2017年公司首台量产型3DNANDPECVD出厂到客户端，2019年公司SACVD设备研制成功并出厂到客户端，2021年公司全年设备出货达到100台，且完成HDP产品研发并进入客户端验证，2022年公司上市。 图表1公司发展历程 资料来源：公司官网，平安证券研究所 公司产品已适配国内28/14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM芯片和64/128层3DNANDFLASH晶圆制造产线。其中，PECVD设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制造各技术节点产线多种通用介质材料薄膜沉积工序，并研发了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺，拓宽公司PECVD产品在晶圆制造产线薄膜沉积工序的应用。从下游看，公司产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线，成功打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。 图表2公司产品布局及下游客户群 资料来源：公司招股说明书，平安证券研究所 1.2股权结构清晰，核心管理团队技术背景雄厚 公司股东背景雄厚，国家集成电路基金为第一大股东。截止2023年三季报，国家集成电路产业投资基金、国投（上海）科技成果转化创业投资基金、中微公司、青岛润扬嘉禾投资有限合伙、华夏上证科创板50成份交易型开放式指数证券投资基金分别持有公司19.86%、13.68%、7.41%、3.26%、2.33%的股份，公司股权结构较为分散。 图表3公司股权结构情况（截止2023年三季报） 资料来源：公司2023年三季报，平安证券研究所 公司管理团队产业经验丰富，并注重研发团队建设，为产品更新迭代保驾护航。公司核心管理和研发人员在半导体薄膜沉积设备领域拥有丰富的产业化经验，曾在英特尔、美国诺发、德国爱思强等全球头部半导体公司有任职经历。公司董事长吕光泉先生，美国加州大学圣地亚哥分校博士，1994年8月至2014年8月，先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国SSTS部，历任副研究员、工程技术副总裁等职，2014年9月至今就职于公司，任职期间，成功领导研发团队完成“1xnm3DNANDPECVD研发及产业化”国家重大科技专项，领导团队研发“国家科技重大专项课题A（ALD相关）”、“国家集成电路装备项目A（介质薄膜先进工艺相关）”等国家重大科技项目/课题，成功领导完成ALD