2023年三季报点评：刻蚀主业增势强劲，静待先进工艺新品放量

事件概述：10月26日，中微公司发布2023年三季报。公司2023年前三季度实现营收40.41亿元，同比增长32.80%；实现归母净利润11.60亿元，同比增长46.27%，实现扣非净利润7.34亿元，同比增长13.94%。 刻蚀主业表现强劲，公允价值变动及激励费用短期压制业绩。公司作为国内半导体设备龙头，在2023年以来不断拓宽工艺覆盖率，实现收入的稳健高增。 23Q3单季度公司实现营收15.15亿元，同比增长41.40%，环比增长16.21%。 其中，核心业务刻蚀设备表现强劲，前三季度实现营收28.70亿元，同比增长43.40%，对应23Q3单季度实现刻蚀收入11.48亿元，同比增长63.53%，贡献了公司主要的收入增量。MOCVD业务前三季度实现营收4.09亿元，同比增长5.50%，对应23Q3单季度实现MOCVD业务收入1.10亿元，同比下滑25.17%。 利润端，公司23Q3毛利率45.74%，同环比保持稳定，但归母净利润短期承压，主要来自两方面因素：1）23Q3有公允价值变动损失2.14亿元；2）2023年6月公司进行了新一期股权激励的授予，预计2023年将产生1.64亿元的股权激励费用摊销，因此2 3H2 的费用端亦将有所增长。23Q3单季度公司实现归母净利润1.57亿元，同比下滑51.76%；实现扣非净利润2.15亿元，同比增长5.68%。 静待先进工艺新品放量。公司持续突破先进工艺，在刻蚀、薄膜设备有较多新品布局，有望在未来为公司贡献持续成长性： 1）CCP刻蚀：大马士革刻蚀研发顺利，超高深宽比刻蚀机已经在客户端验证出具有刻蚀≥60:1深宽比结构的能力； 2）ICP刻蚀：在先进逻辑、先进DRAM和3D NAND中的工艺覆盖率达到50-70%，新应用包括DRAM中的高深款比的多晶硅掩膜、12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工艺（TSV）均已验证成功； 3）LPCVD：公司用于高端存储的钨填充LPCVD设备已通过关键客户实验室测试，首台量产验证机已在客户端进行测试； 4）ALD：用于高端存储和逻辑器件的氮化钛薄膜ALD设备研发顺利； 5）EPI：用先进制程锗硅外延生长工艺的EPI设备研发顺利，正处于工艺调试和客户验证阶段。 投资建议：我们预计公司2023-2025年营收分别为62.93/81.20/104.82亿元，归母净利润分别为16.45/18.66/23.49亿元，对应现价PE分别为62/55/43倍，我们看好公司在半导体设备国产化进程中的领先优势，维持“推荐”评级。 风险提示：产品验证不及预期；下游行业周期性波动；市场竞争加剧。 盈利预测与财务指标项目/年度 公司财务报表数据预测汇总 利润表（百万元）营业总收入 资产负债表（百万元） 现金流量表（百万元）