事件:公司发布2023年半年度报告,2023年H1公司实现营收1.14亿元,同比增长75.79%;归母净利润0.15亿元,同比增长447.17%;扣非净利润801.16万元,同比增长379.63%。分季度看,2023年Q2实现营收0.76亿元,同比增长57.44%,环比增长97.91%;归母净利润0.13亿元,同比增长221.70%, 环比增长418.50%; 扣非净利润801.10万元,同比增长497.61%。 23年H1业绩持续高增长,盈利能力提升明显:2023年H1,公司持续深耕半导体晶体生长设备领域,凭借产品技术优势,产品销量同比大幅增加,实现收入与利润的双增长,盈利能力显著提升。23年H1公司毛利率为35.35%,同比+1.07pcts;净利率为13.19%,同比+8.95pcts。Q2毛利率为33.63%,同比+1.29pcts,环比-5.12pcts;净利率为16.65%,同比+8.50pcts,环比+10.30pcts。费用方面,23年Q2公司销售、管理、研发、财务费用率分别2.26%/12.72%/9.76%/-2.50%,同比变动分别为0.16/-1.96/-1.23/-2.33pcts,整体费用水平管控良好。23年H1管理费用为0.16亿元,同比增长36.46%,主要系公司逐步扩大经营带来人员薪酬的增加,以及上市相关费用的增加所致;研发费用0.14亿元,同比增长43.05%,主要系研发人员薪酬增加,研发消耗材料及研发人员差旅增加。 深耕晶体生长设备领域,工艺技术持续优化:通过自身技术工艺积累,公司开发了包括半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉及其他晶体生长设备等主要产品。公司半导体级单晶硅炉完整覆盖主流12英寸、8英寸轻掺、重掺硅片制备,生长晶体制备硅片可实现 28nm 以上CIS/BSI图像传感器芯片、通用处理器芯片、存储芯片,以及 90nm 以上指纹识别、电源管理、信号管理、液晶驱动芯片等半导体器件制造, 28nm 以上制程工艺已实现批量化生产。公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品,下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备。客户方面,公司覆盖了硅片厂商及碳化硅衬底的国内龙头企业或主流客户,与 沪硅产业(上海新昇)、立昂微(金瑞泓)、神工股份、合晶科技、三安光电 等企业建立合作关系,形成了相对较强的客户资源优势。 发布股权激励草案,彰显中长期发展信心:公司发布2023年限制性股票激励计划 (草案 ),拟授予限制性股票1,300,000股 , 约占公司股本总额138,366,096股的0.94%;其中首次授予1,065,000股,约占公司股本总额的0.77%,占本激励计划拟授予限制性股票总数的81.92%。计划首次授予激励对象共计80人,包括公司董事、高级管理人员、核心技术人员以及董事会认为需要激励的其他人员。授予价格为24.39元/股。该激励计划设置考核指标:以2022年营业收入为基数,2023-2025年营收增长率分别不低于80%/170%/270%。公司本次激励计划有利于调动员工积极性,绑定核心团队利益,有效防止人才流失,考核目标清晰明确,具有一定挑战性,彰显了公司中长期发展信心。 首次覆盖,给予“增持”评级:公司主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售。基于高温高真空晶体生长设备的技术同源性,公司结合“晶体生长设备—工艺技术—晶体材料”产业链上下游技术协同优化的能力,致力于新产品、新技术及新工艺的研究与开发,向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他晶体生长设备等定制化产品。公司凭借多应用领域产品技术开发经验,已在晶体生长设备领域形成丰富产品序列,逐步发展成为国内具有较强竞争力的半导体级晶体生长设备供应商。随着下游应用领域的不断拓展以及部分下游行业的快速发展,公司业绩有望保持稳健增长。预计公司2023-2025年归母净利润分别为0.61亿元、1.12亿元、1.89亿元,EPS分别为0.44、0.81、1.37元,PE分别为101X、55X、33X。 风险提示:下游需求不及预期;客户拓展不及预期;技术研发不及预期;市场竞争加剧风险。