分布布拉格反射镜对CH3NH3PbI3薄膜光致发光性能的影响

本研究通过电化学方法制备了纳米多孔 GaN 分布式布拉格反射器 (DBR)，并采用臭氧处理对 DBR 进行预处理。然后，通过一步解决方法在 DBR 和未蚀刻的 GaN 衬底上生长了有机-无机杂化 CH NH PbI 钙钛矿薄膜。研究发现，制备的 CH NH PbI 钙钛矿薄膜的光致发光强度比在未蚀刻的 GaN 衬底上生长的薄膜高约 3.5 倍，具有 3.6 nm 光谱蓝移。这种增强应该有助于放大谐振腔自发发射，而蓝移可能有助于化学计量不同基材上薄膜的差异。这项工作表明，NP-GaN DBR 可以成为提高 PL 量子产率的大面积平台。