CsI(Tl) 微方截头体的 Si 壁厚对结构化 CsI(Tl) 闪烁屏在 X 射线成像中性能的影响

这篇科学报告研究了Si壁厚对基于CsI(Tl)微方截头体阵列的结构化闪烁屏X射线成像性能的影响。研究发现，随着硅壁顶部厚度tSi的减小，CsI(Tl)微方截头体结构闪烁屏在微米级周期下的检测效率有所提高。然而，当屏幕底部的CsI(Tl)未结构化时，DQE在低频处变得更好，而在高频处变得更差。该结果可为根据X射线成像中检测效率和空间分辨率的综合要求优化tSi提供指导。此外，该研究还开发了基于氧化硅微孔阵列模板的结构化CsI(Tl)闪烁屏，提高了X射线成像的空间分辨率。