施加到物理定义的 p 沟道 Si 量子点的储存器偏移电压的功能

本研究提出并利用了储存器偏移电压，它是一个通常应用于量子点的两个储存器的电压，用于调制量子点的电化学电位。此外，当不同通道中的量子点电容耦合时，其中一个量子点的存储偏移电压可以作为其他人的栅极电压。通过储层偏移电压，可以减少门的数量而不会使结构复杂化。研究团队通过仿真确认了储层偏移电压的工作原理，并将该技术应用于 p 沟道 QD 器件。在 p 通道 Si QD 中，由于空穴的强自旋轨道耦合，空穴自旋操作只能在交流电场下进行，这有利于未来的量子比特集成。