SIC材料和功率元件未来的发展和应用1. 第一代半导体Si，第二
SIC材料和功率元件未来的发展和应用 1.第一代半导体Si，第二代半导体LED，第三代半导体SIC与GaN，第三代半导体特性为宽能隙，用在高压领域。 2.SIC的崩溃电压是Si的十倍，所以厚度可以比Si小十倍，阻值也较低。 3.Wolfspeed预估2022年SIC市场规模43亿美元。 4.SIC价格比IGBT(SiBASE)贵3-5倍。 5.第一代电动车inverter用400V，目前趋势是往800V。 6.800Vinverter採用1200V的功率元件，SIC有很大的优势，SIC散热比SI好，可在高压、高温、高频等环境下操作。 7.GaN不能做主要的电力来源，因为还没这麽成熟。 8.中国内需够大，政府支持，电动车市场发展较快。 9.SICMOSFET用来取代IGBT可减少功率损失，提高效率。 10.SIC是MOSFET结构，跟Si晶片比较好整合，用GaN的话就比困难。 11.SICinverter效率比IGBT(si)inverter成本增加360美元，系统效率提升5.5%，相同续航里程下，电池容量可减少5.5%，成本可降377~754美元。 12.SIC用气相沉积法长晶，温度高达2200度，设备技术在、美国、日本、德国手上。 13.导电型SIC基板可用来做功率元件，半绝缘SIC基板可用于做成高频元件。 14.目前SIC主流以六吋为主，朝8吋发展。 15.六吋SIC基板可切448颗die，八吋可以切845颗die。 16.wolfspeed第一条八吋产线2Q22开始生产。 17.SIC可应用于PV、储能系统、POWERSUPPLY、UPS、EV、5GSERVER等市场。 18.MODEL3一台用48颗SICMOSFET。 19.SIC成本结构：基板47%、外框23%、前段19%、其他5%、研发费用6%。 20.SIC使用气相沉积，一次只有长15-30CM，长晶炉子裡的热流很重要，参数条件不同会形成不同的晶体结构。
