盘间距对硅衬底上锗盘晶格谐振特性的影响

该研究主要关注了Si衬底上Ge盘晶格的性质，特别是盘间距对共振的影响。研究发现，即使在500nm的间隙宽度下，也可以观察到盘间间距效应。随着间隙宽度的减小，反射最小值出现在短波长区域中，这与源自单个Ge圆盘中的磁和电偶极子共振的波长区域不同。根据数值模拟数据，观察到的行为与紧密间隔磁盘周围的共振场的特征相关。结果显示了使用具有提供短波长最小值的几何参数的结构的重要性。这可以从本质上增强它们的其他共振特性，这些特性广泛用于应用，特别是基于集体晶格共振。