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刻蚀能力进一步提高,MOCVD业务拐点来临

2022-04-01郑震湘、陈永亮国盛证券更***
刻蚀能力进一步提高,MOCVD业务拐点来临

公司发布2021年报。2021年公司营业收入31亿元,增长37%;归母净利润10亿元,增长105%;扣非归母净利润3亿元,同比大幅增长;剔除股份支付后扣非归母净利润5亿元,同比增长267%。股权激励费用约2亿,公允价值变动4.6亿(税前),补助3.5亿(税前)。 营收结构上,刻蚀收入20亿元,增长55%,毛利率44%;MOCVD收入5亿元,增长1%,毛利率34%(同比提升15pct)。 需求旺盛,合同负债持续增长。公司2021年新签订单41亿元,同比增长91%。报告期末,公司合同负债13.7亿元,环比21Q3末提升53%。公司存货17.6亿元,其中发出商品约8.5亿元(同比增长72%)。合同负债反应在手订单,发出商品反应未来收入确认。 ICP放量增长强劲,MOCVD业务拐点来临。 (1)公司2021年付运298腔CCP,产量增长40%,并取得 5nm 及以下逻辑重复订单,且在128层3D NAND广泛应用。公司正开发新一代涵盖 128nm 及以上的关键刻蚀应用以及极高深宽比刻蚀设备。 (2)公司2021年付运134腔ICP,产量增长235%,得到多个国内客户订单。公司下一代ICP目标满足 5nm 及以下逻辑、1X纳米DRAM及128层以上3D NAND刻蚀需求。 (3)公司用于Mini LED的Unimax设备在2021年订单超过100腔,且2022年2月兆驰增量订单52腔。此外,公司开发GaN功率器件MOCVD,处于交付客户验证阶段。 (4)公司在钨填充CVD获得阶段性进展,与客户对接验证,且正进一步开发CVD和ALD。 公司在3月10日增资上海睿励1.08亿元,持股比例由20%增至29%。上海睿励主营的产品为光学膜厚测量设备和光学缺陷检测设备,以及硅片厚度及翘曲测量设备等,其光学测量设备TFX3000已应用于 28nm 产线,正验证于 14nm 产线;应用于64层3D NAND,正验证于96层3D NAND。 持续投入研发。公司研发投入7.28亿元,增长14%,研发投入占营收约23%。其中,研发费用为5.95亿元,增长6%。公司研发人员415人,占员工总数40%。公司研发新品包括新一代CCP、新一代ICP、功率GaN MOCVD以及CVD类,快速打开产品线。 半导体刻蚀设备龙头,打造旗舰平台型企业。公司成功打造一支具有创造力和核心竞争力的技术团队。公司MOCVD持续升级迎来Mini LED拐点,CCP产品涵盖国内外一线客户,ICP产品快速迭代并放量,并布局沉积等新产品线,打造半导体设备旗舰企业,并通过外延投资沈阳拓荆、睿励仪器等推进平台型建设。 半导体刻蚀设备龙头,打造旗舰平台型企业。公司成功打造一支具有创造力和核心竞争力的技术团队,并成功打开商业化空间。公司MOCVD持续升级,CCP产品涵盖国内外一线客户,ICP产品快速迭代并放量,并继续布局半导体设备新产品线,打造半导体设备旗舰企业,并通过外延投资沈阳拓荆、睿励仪器、山东天岳等公司推进平台型建设。预计公司2022~2024年归母净利润11.05/13.24/15.45亿元,维持“买入”评级。 风险提示:下游需求不及预期。 财务指标 财务报表和主要财务比率 资产负债表(百万元) 现金流量表(百万元)