本周半导体行业指数下跌6.63%，同期创业板指数下跌4.18%，上证综指上涨1.68%，深证综指下跌0.19%，中小板指下跌0.44%，万得全A上涨1.29%。半导体行业指数显著跑输主要指数。存储价格短期波动，但原厂维持谨慎乐观态度。三星预计2021年全年DRAM bit增长在20%左右，下半年将开始推动向15nm DRAM产能转换，并实现基于EUV工艺的14nm DRAM量产；SK海力士已实现1z nm全面量产，Q3将开始推动1znm技术的16Gb DRAM产能扩张，基于EUV工艺的1αnm DRAM产品已经量产，即将开始供货；美光表示下半年将带来DDR5产品，同时认为目前终端需求并未得到完全的满足，供给紧张将持续到明年；南亚科技对整体市场需求持谨慎乐观态度，预计整体第三季的内存价格仍将小幅上扬。目前供应商NAND Flash库存稳健，但供给端供应缺口仍在。Trendforce集邦咨询预测，第三季NAND Flash整体合约价将小幅上涨，季增5~10%。其中，受Intel新平台Ice Lake及原厂SSD controller IC产能紧缺影响， client SSD Q3合约价预计上涨3~8%，enterprise SSD Q3 预计涨幅达15%；低容量eMMC Q2已明显上涨，Q3上调空间有限，预计上涨0~5%；NAND Flash wafer受供应商提高毛利驱动，预估季涨幅将达8~13%。存储技术持续革新，主流厂商推动技术升级。三星将继续扩大EUV技术在DRAM中的应用，下半年逐步推进15nm DRAM 产能迁移，并继续扩大EUV技术在DRAM生产中的应用；美光发布首款搭载176层3D TLC NAND闪存的PCIe 4.0 SSD，实现低功耗、高速度和高密度的存储解决方案；SK海力士开始量产EUV 1α 10nm DRAM，降低功耗并增加生产效率，同时海力士计划明年年初将EUV技术应用于下一代DDR5生产。建议关注：1） 半导体
