液冷 16 12英寸金刚石薄膜取得关键突破 产业化加速由实验室走向产线 东北计算机 0913

金刚石薄膜制备在大尺寸均匀沉积与成本控制上取得关键进展，热丝CVD技术实现12英寸硅晶圆金刚石薄膜制备，进入生产线调试，可直接对接主流半导体晶圆制造流程。

金刚石薄膜作为高功率芯片散热关键材料，产业化长期受制于技术瓶颈。目前热丝CVD和柔性薄膜+剥离法等技术路线共同推进，推动金刚石薄膜由实验室走向产线，未来有望在芯片散热领域实现广泛应用。

研报重点分析了六方钻的热丝CVD技术工艺指标与产能规划，包括膜厚偏差控制在±5%以内、生长速率5–30 m/hμ，以及2027年产能目标。同时对比了钻耐科思的柔性薄膜+剥离法路线，晶圆级尺寸可扩展至2–12英寸，热导率约1300W/(m·K)。

金刚石薄膜市场长期处于发展初期，主要制约因素是大尺寸高质量薄膜的稳定制备和成本控制。目前六方钻等企业通过技术突破，已实现12英寸金刚石薄膜量产，但整体市场规模仍较小，未来随着技术成熟和成本下降，有望逐步扩大应用范围。

研报提示大尺寸高质量金刚石薄膜稳定制备可能不及预期，金刚石材料制备成本及沉积效率改善可能存在瓶颈，复合结构或梯度膜层等性能优化进展也可能面临挑战，这些因素可能影响金刚石薄膜的产业化进程。