韩国券商KB Securities最新警告称,三星电子和SK海力士的存储半导体库存已降至不足10天的供应量,明年可用供应将明显不足。报告指出,存储芯片市场正面临严重供应短缺,主要受人工智能基础设施投资高速扩张及向下一代高带宽存储器HBM4过渡的影响。关键因素包括:HBM4所需晶圆约是传统DRAM的三倍,晶圆产能有限导致HBM4量产将减少传统DRAM产能。KB Securities预计,明年DRAM和NAND需求将超过供应10个百分点以上。研究主管Kim Dong-won补充,人工智能服务器不仅消耗HBM内存,还需服务器DDR5内存和企业级固态硬盘,可能引发历史性短缺。
存储芯片市场正面临严重供应短缺,主要受人工智能基础设施投资高速扩张及向下一代高带宽存储器HBM4过渡的影响。HBM4所需晶圆约是传统DRAM的三倍,而晶圆产能有限导致HBM4量产将减少传统DRAM产能。此外,人工智能服务器不仅消耗HBM内存,还需服务器DDR5内存和企业级固态硬盘,进一步加剧了供需矛盾。这些因素共同作用,导致存储芯片市场出现严重供应短缺。
KB Securities预计,明年DRAM和NAND需求将超过供应10个百分点以上。报告指出,三星电子和SK海力士的存储半导体库存已降至不足10天的供应量,明年可用供应将明显不足。这一预测基于当前人工智能基础设施投资高速扩张及向HBM4过渡的趋势,以及晶圆产能有限导致HBM4量产减少传统DRAM产能的因素。
当前存储芯片市场正面临严重供应短缺,主要表现为三星电子和SK海力士的存储半导体库存已降至不足10天的供应量。这一情况主要受人工智能基础设施投资高速扩张及向下一代高带宽存储器HBM4过渡的影响。由于HBM4所需晶圆约是传统DRAM的三倍,而晶圆产能有限,导致HBM4量产减少传统DRAM产能,进一步加剧了供应短缺。
KB Securities报告提示,存储芯片市场正面临严重供应短缺,可能导致明年DRAM和NAND需求超过供应10个百分点以上。此外,人工智能服务器不仅消耗HBM内存,还需服务器DDR5内存和企业级固态硬盘,可能引发历史性短缺。这些因素共同作用,提示市场参与者需关注潜在的供应链风险和市场需求变化。