国联民生机械：薄膜铌酸锂衬底生产工艺与关键设备

薄膜铌酸锂衬底因具备泡克尔斯效应且参数优于磷化铟，可满足AI高速光调制需求，将在2026年底至2027年逐步替代传统磷化铟技术路线。其优异性能使它在光调制器等关键器件中具有显著优势，是推动AI光计算技术发展的重要材料基础。

薄膜铌酸锂衬底制备的核心卡点在于其价值量占整个衬底的80%-90%，关键环节包括离子注入、晶圆键合等工艺。目前国内仅清河晶源完成全设备国产化跑通流程，显示出该环节的技术壁垒较高，是行业发展的主要制约因素。

薄膜铌酸锂衬底赛道的发展方向是逐步替代传统磷化铟技术路线，预计在2026年底至2027年实现大规模应用。该赛道还需下游FAB厂配合调试参数，设备和FAB厂合作是行业真实壁垒，而非单纯掌握晶体矿资源，未来将围绕设备国产化和应用场景拓展展开。

当前薄膜铌酸锂衬底市场仍处于发展初期，核心卡点尚未完全突破，但已吸引清河晶源等企业进行技术攻关。行业重要性日益凸显，AI高速光调制需求推动其替代传统磷化铟技术路线，市场潜力巨大，但技术成熟度和产业化进程仍需持续关注。

该研报提示的主要风险包括AI模型训练需求不及预期，可能影响光调制设备的市场拓展节奏；此外，技术路线竞争也可能出现其他技术方案，对薄膜铌酸锂替代传统磷化铌的技术路线构成挑战，需要持续关注技术迭代和市场竞争动态。