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继续看好AI反弹 AI和全市场高速轮动效应下 重视最早反弹的MLCC和斜率最陡峭的超级电容等电容

2026-08-19 未知机构 何杰斌
继续看好AI反弹 AI和全市场高速轮动效应下 重视最早反弹的MLCC和斜率最陡峭的超级电容等电容

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AI反弹的可持续性如何?

AI反弹的可持续性可能超出预期。Anthropic最新ARR已超900亿美金,并给出2028年营收2000亿美金的指引,强化AI下游场景对算力租赁的需求,进而推动数据中心资本开支ROI提升,形成持续融资加码投资的正向循环,支撑AI基础设施需求持续高涨。根据测算,北美1GW数据中心投资470亿美金,能带来208亿美金的云收入和90亿美金的税后营业利润,对应ROIC约20%,且IT设备实际使用年限远超5年。

MLCC和超级电容的市场发展趋势是什么?

MLCC和超级电容的市场发展趋势显示供给端存在瓶颈。流延机交期长,海外流延机交付周期已超一年,制约产能快速释放。日韩企业产线调整,常规产线改为高容规格,但高容产品良品率低、层数高,单颗产能占用远超普通产品,改线不等于绝对增产,反而导致普通产品大幅减产,对MLCC普通产品供给形成扰动。日本厂商扩产保守,村田等日本厂商扩产极为谨慎。超级电容随着Rubin上市,Sidecar方案标配超级电容,当前渗透率不高,Rubin放量及明年集中式HVDC推出后,Rubin体系将驱动超级电容大幅放量,成长斜率极强。

报告重点分析了哪些方向?

报告重点分析了AI反弹的可持续性、MLCC和超级电容的供给端瓶颈、市场发展趋势以及相关风险。报告指出AI下游场景对算力租赁的需求强化,数据中心资本开支ROI提升,形成正向循环支撑AI基础设施需求。同时分析了流延机交期长、日韩产线调整、日本厂商扩产保守等供给瓶颈,以及超级电容Rubin放量后的成长趋势。报告还提示了高容紧缺可能复现“HBM紧缺,挤占DRAM,导致价格暴涨”的情景,需关注国内原厂低容涨价跟进情况、海外大厂持续涨价、代理商库存价格等验证点。

当前市场现状如何?

当前市场现状显示AI基础设施需求持续高涨,但MLCC和超级电容供给端存在瓶颈。流延机交付周期已超一年,制约产能释放;日韩企业产线调整导致普通MLCC产品减产;日本厂商扩产保守。超级电容方面,Rubin上市后渗透率仍不高,但Rubin放量及明年集中式HVDC推出后,成长斜率极强。高容紧缺可能引发价格波动,需关注国内原厂低容涨价跟进情况、海外大厂持续涨价、代理商库存价格等验证点。

研报有哪些风险提示?

研报提示的主要风险在于供给端瓶颈可能引发价格波动。流延机交期长和日韩产线调整导致MLCC普通产品供给扰动,高容紧缺可能复现“HBM紧缺,挤占DRAM,导致价格暴涨”的情景。日本厂商扩产保守进一步加剧供给紧张。超级电容方面,Rubin放量前的渗透率不高,存在放量不及预期的风险。此外,需关注国内原厂低容涨价跟进情况、海外大厂持续涨价、代理商库存价格等验证点,这些因素可能影响市场走势。