HF大制造 共达电声 战略转型全面提速

本报告聚焦薄膜铌酸锂技术，指出其为高端光模块性能上限的关键，商用带宽达110-170GHz，是800G向1.6T/3.2T跨越的核心路径。未来三年CAGR近300%，供需缺口持续扩大，3.2T预计2027年出货。公司通过股东青禾晶元掌握硅异质键合技术，是国内唯一高端键合设备制造企业，直接对接全球头部光通信Fab厂。

薄膜铌酸锂调制器是800G向更高速率升级的关键技术，商用带宽远超硅光，决定高端光模块性能上限。未来三年需求CAGR近300%，供需缺口持续扩大，3.2T预计2027年出货。该技术难点在于硅异质键合，公司股东青禾晶元为国内唯一掌握该技术企业，并开发出全套量产工艺方案，赋能公司卡位高壁垒环节。

报告重点分析薄膜铌酸锂调制器技术及其在高端光模块中的应用，指出其为800G向1.6T/3.2T跨越的几乎唯一确定性路径。公司通过股东青禾晶元掌握硅异质键合技术，是国内唯一高端键合设备制造企业，可量产键合片直接对接全球头部光通信Fab厂，实现技术卡位和量产布局。

硅光带宽上限60-70GHz，高频失真严重，制约800G性能提升。薄膜铌酸锂调制器商用带宽达110-170GHz，是800G向1.6T/3.2T跨越的核心，未来三年需求CAGR近300%，供需缺口持续扩大。3.2T预计2027年出货，市场对薄膜铌酸锂需求快速增长。公司依托股东青禾晶元掌握硅异质键合技术，实现技术卡位和量产布局。

薄膜铌酸锂技术成熟度和量产稳定性仍需持续验证，硅异质键合工艺复杂度高，技术迭代风险存在。市场竞争加剧可能导致价格压力，公司需持续提升技术壁垒和成本控制能力。依赖股东青禾晶元的技术支持，若合作出现问题可能影响公司技术路线和量产进度。