芯片电感赛道扩容逻辑与投资机会分析

芯片电感赛道扩容主要受芯片功率升级带动。从B300到Rubin芯片，单芯片电流从约1700A提升到3000A，增幅近80%，对应电相数也同步提升近80%。后续Rubin Ultra、Feynman芯片功率还将持续提升，进一步拉动电感需求。

芯片电感行业正从传统单相一体成型电感升级为TLVR电感。TLVR电感因高端软磁磁粉配方及叠加工艺制造，具备天然溢价能力，推动行业竞争格局缩圈。预计2027、2028年芯片电感市场空间将实现翻倍以上增长。

本报告重点分析了芯片功率升级对电感需求的拉动作用，以及TLVR电感的技术壁垒和溢价能力。同时，探讨了NV系列芯片从单相一体成型电感到TLVR电感的升级路径，以及谷歌TPU V8、V9等产品的潜在应用。

目前NV系列芯片至Rubin仍采用单相一体成型电感，但后续Ultra版本若启用垂直供电架构，将切换至TLVR电感。横店东磁已获谷歌TLVR电感磁芯订单，NV订单落地在即，行业正加速向TLVR电感过渡。

本报告提示，TLVR电感的制造工艺复杂，技术壁垒较高，可能存在产能瓶颈。此外，市场竞争加剧可能导致价格竞争，影响行业盈利能力。同时，芯片行业技术迭代快，新产品的推出可能对现有产品造成冲击。