行情总览与核心逻辑
- 行情表现:地缘政治缓和带动“油软债牛”,布伦特原油跌8.70%至88.36美元,WTI原油跌7.50%至82.61美元,美债收益率回落;股市分化,道指涨0.51%,标普微涨,费半跌2.23%,纳指100跌0.32%,英伟达跌4.99%创6月5日以来最大单日跌幅。
- 杀跌重灾区:半导体设备和存储链,存储链中闪迪跌11%,SK海力士ADR跌7.47%跌破IPO发行价;设备链中ASML欧股跌超7%,BESemiconductor跌约8.5%,Soitec跌5%,英飞凌跌近3%。
- 走强板块:超大云服务商、软件股走强,与硬件股行情相反。
- 核心逻辑:中国半导体两条突破消息引发海外市场利空定价。其一,长鑫存储上市首日暴涨460%,市值达3万亿,被WSJ解读为“中国DRAM产能将大规模释放”;其二,路透援引TheInformation报道,中国已开始制造自研浸没式DUV光刻机,年内将交付中芯国际、华虹与长鑫存储,ASML应声跌超7%。
- 市场解读:国产替代从“设计”到“制造”的突破,对全球超级周期的冲击从主题概念升变为可量化的产能+份额问题。但国产光刻机报道未获确认,技术性能和产量尚存差距,不构成对ASML的平行替代;当前下跌底色是预期而非现实,但高估值且对华敞口大的设备龙头(ASML中国收入占比约20%)的估值中枢下移可能持久。
风险点
- FOMC政策风险:直接加息或维持鹰派可能压制估值修复。
- 美伊外交风险:时间窗有限,短时无进展或恶化或致油价再度跳升。
- 英伟达风险:循环投资模式易被误读为景气基座不扎实。
结论
当前下跌主要源于预期而非现实,但预期一旦形成可能持久;油价虽两日累跌超15%,但仍基于不稳定的外交进程,风险具有不对称性。