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会议信息
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全文摘要
- 讨论重点：市场调整下的交易面与基本面综合分析，聚焦科技板块（存储芯片、被动元件、半导体设备及材料）波动。
- 核心观点：交易面是市场波动主因，基本面影响估值中枢；通过七月份基本面事件梳理，分析两者共振，强调投资机会需基于市场情绪与产业趋势。
- 存储芯片领域：面临AI算力需求增加、价格波动等挑战与机遇；市场回调中需评估投资价值，强调国产替代和技术升级。
- 市场参与策略：初期防御组合（如TCB、被动元件板块）和中后期进攻方向（国产算力/替代链条的半导体设备和材料企业）。
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问答回顾
- 交易面与基本面主导因素
- 交易面是本轮科技板块急速回调的主要原因，基本面影响估值中枢，非产业趋势逆转。
- 三条基本面线索：
- Meta算力外售引发算力总量过剩担忧（实则商业模式补充，内部闲置产能未导致过剩）。
- Kubernetes（K3）发布线性注意力机制引发算力通缩恐慌（实则高效架构仍需底层设备支持，不会引发通缩）。
- 第三条线索未明确，但后续讨论其对市场影响。
- K3模型影响
- K3发布后暂停新用户订阅，侧面证实其带动算力需求增长，非见顶。
- 存储价格与周期拐点
- Q3存储价格涨幅环比激增13%-18%，较Q1/Q2收窄，被解读为超级周期拐点信号，供需紧张格局缓解可能拖累估值。
- 估值压力主因：Q3涨幅走弱是年初预期路径，Q2/Q3价格涨幅已体现高基数收敛，非供给端松动。
- 存储周期预测调整
- Q1预测爆发式上涨（通用型低位合约涨幅93%-98%），Q2延续高位，Q3因高技术效率涨幅回落。
- 基本面与交易面理解
- 基本面决定估值中枢与中长期节奏，交易面决定调整幅度、速度及短期方向，需区分对待。
- 剧烈共振机制：韩国市场嵌套式杠杆交易结构（场外信用贷款、场内融资、杠杆ETF）相互强化导致急速回调。
- 韩国市场去杠杆差异
- 韩国场外信用贷款在银行体系内部，无强制信息联动，可渐进式压缩资金供给；A股2015年通过接口关闭配资链条，导致集中清算。
- 韩国市场行情突变导火索
- 政府监管介入（银行收紧审批，央行发布金融稳定报告警告杠杆风险）。
- 影响路径：
- 估值锚传导（SK海力士、三星电子暴跌触发全球半导体估值重估）。
- 全球动量交易反转（对冲基金平仓半导体股票导致超售）。
- 回调结束判断
- 不建议直接从数据角度判断，因场外杠杆统计困难；历史案例（15年A股去杠杆）显示数周流动性枯竭和千股跌停，去化约三个月。
- 更有效方法：观察市场对利空消息反应（如抛压衰竭、跨市场联动性减弱）。
- 存储板块估值判断
- 结合PE和PB：存储厂商盈利不稳定，高ROE时期合理PB增速应高于低ROE时期。
- PE缺陷：周期股定价滞后性（反映顶部盈利，底部PE反高），机械使用PE可能买在景气拐点前。
- PB优势：存储行业资本密集、盈利周期化，PB基于硬性资产（如晶圆厂设备），提供相对稳定参考。
- 美光估值案例
- PE与PB对比：美光PB（20-26年窄幅波动，AI驱动下上升）比PE（相关性不足）更稳定、相关性强。
- 长期协议（LTA）影响
- LTA占比提升（全球内存供应商与大客户签订数年合约），下游需求从随行就市变保底，抬高厂商ROE和PD，削弱周期属性。
- 当前存储行业PE估值修复空间大，性价比好。
- LTA可信度与定价影响
- LTA具有一定可信度，若支撑从中期股向价值股靠拢，估值有望提升。
- 存储与光伏长单对比
- 两者均为周期性紧缺阶段产物，但存储LTA约束力更强（锁量锁价、预付款不可退），光伏长单多为锁量不锁价、预付款可抵扣/返还。
- 存储终端市场需求不确定性大，供需逆转可能性高。
- 上下行空间与目标PE
- 参照高德和科博（视频前端、手机端芯片企业，消费电子下行压力下PE仍11-12倍），中性情况下板块中枢PE16.24倍为目标。
- 乐观情况下，存储标的PE可升至板块平均值附近；下行空间以PB为标尺（美光科技一年期预期PB3.5倍，对应下跌约32%）。
- 存储芯片上涨与上游供应链
- 存储芯片价格上涨与总需求和资本开支总盘子有关，不直接等同于其他环节能否涨价。
- 独立判断上游投资价值需关注细分环节供需缺口和涨价可能性（如AI服务器中某些组件需求指数级增长，高端产能供给刚性）。
- 市场参与策略
- 反弹初期：首选TCB和被动元件板块（低估值、跌幅大，未来估值风险补偿优于高位板块）。
- 反弹中后期：关注国产算力/国产替代链条的半导体设备和材料企业（基本面支撑、长期资本开支加码）。
- 推荐标的：深南电路、广和科技。
