电子行业专题研究：SCM存储：AI时代存储分级的必选项

SCM存储：AI时代存储分级的必选项

核心观点

SCM存储旨在填补DRAM和传统NAND之间的性能空档，兼具低延迟、高耐久和非易失特性，是AI时代存储分级的必选项。相较于MLC、TLC及QLC等多比特存储方案，SLC NAND在擦写寿命、写入延迟和运行稳定性方面表现更优，适用于高可靠性、长期稳定运行要求较高的5G通讯、物联网、航空航天等领域。

关键数据

• SLC NAND擦写寿命可达约100,000次，显著高于MLC、TLC及QLC等方案。
• 2026年下半年SLC合约价格较上半年有望调涨120-170%。
• 2024年CXL互连芯片市场规模约为430万美元，预计至2030年将达到17.03亿美元，2025至2030年期间的年均复合增长率高达170.2%。
• 企业级SSD主控芯片价格达25-100+美金一颗，而消费级SSD主控芯片价格约为5美元。

投资机会

1. 介质层：关注SLC NAND、MLC NAND和PCM相关介质层玩家，如普冉股份、东芯股份、兆易创新等。
2. CXL：关注内存池化及扩展相关公司，如Marvell、Astera Labs、澜起科技等。
3. 配套芯片：关注SSD主控芯片和VPD等配套芯片，如联芸科技、聚辰股份、大普微等。

研究结论

• 低延迟闪存（如XL-FLASH）可克服服务器内存扩展的限制，实现可扩展的内存扩展。
• 利用CXL技术，闪存可用于扩展主访内存，平衡比特成本并实现存储扩展。
• AI工作负载对SSD提出了极端的技术要求，特别是在AI推理场景下，KV缓存等业务呈现高频繁、块粒度覆写的存取特征，需要高耐久存储产品。

风险提示

1. 下游需求不及预期。
2. 研发进展不及预期。
3. 地缘政治风险。