三星与英伟达扩大 NAND 存储合作联盟 V10 闪存正式启动供货

三星电子与英伟达在存储领域的合作进一步深化，拓展至NAND闪存供应领域。核心要点如下：

1. 合作范围拓展：三星依托自身顶尖的闪存制造产能，提升第九代V-NAND（V9）对英伟达的供货规模，并启动第十代V10闪存的量产交付；第十一代V11闪存的研发落地节奏也在持续提速。

2. 产能与产品迭代：

   • 三星当前V-NAND晶圆月产能已突破10万张，V10闪存已实现量产并稳定供货。
   • 三星将60%的V-NAND产能倾斜给V9产品，V8产能占比已下滑至40%以内，以应对英伟达等科技公司AI服务器NAND采购需求激增。

3. 核心驱动因素：英伟达将于下半年推出全新存储架构CMX，该架构单套设备搭载576块SSD，总容量达9600TB，预计将大幅提升NAND采购需求，从今年3500万TB提升至明年1亿TB以上。三星计划凭借领先制造能力拿下核心供应商席位。

4. 生产与技术优势：

   • 三星V9闪存生产良率已突破80%，量产状态稳定，平泽第四工厂（P4）保留超半数NAND无尘车间空间，可持续新增V9产线。
   • V10堆叠层数达400层，单位存储密度提升超50%，首次规模化商用钼材质布线，厚度较传统钨布线降低30%-40%。

5. 下一代产品进展：

   • V10产量占整体V-NAND总产出比重不足5%，但V11闪存（层数400-500层）已进入试产环节，计划下半年试产规模翻倍，快速搭建量产体系。

6. 高层会晤与未来合作：三星会长李在镕计划与英伟达CEO黄仁勋会晤，敲定HBM、新一代NAND闪存的长期供货协议，并探讨两国数据中心配套合作方案。

7. 行业分析观点：英伟达锁定上游NAND供给，推动双方合作覆盖存储、代工两大核心赛道，本次高管会晤将推动全链条合作进一步深化。