行业概述
- Meta 削减内存芯片订单的传言被证伪，其将继续积极使用 HBM、LPDDR5、eSSD 等内存技术，且长期订单持续增长。
- Meta 可将数据中心作为云服务提供商，但这不意味着产能过剩，而是利用先进内存芯片进行业务多元化。
- 预计苹果不会大规模采用 CXMT 的 DRAM，原因包括美国对中国半导体的限制、DRAM 质量要求以及韩国/美国主要芯片制造商的专利问题。
- 韩国政府主导的内存晶圆厂集群建设耗资 80 万亿韩元，但预计到 2033 年产量不会显著增加，是长期计划的一部分。
- 尽管行业增长强劲，但企业高管表示市场对 2027 年的短缺（DRAM、NAND）、长期协议（LTA）的上升趋势以及审慎的资本支出和生产量持乐观态度。
日本之旅的收获
- 日本投资者和 NAND 供应链公司普遍看好内存行业，但也担心潜在的下行风险。
- 企业管理层提供了更乐观的指引，包括 2 季度 ASP（尤其是 NAND）的上涨、3/4 季度 ASP 相对于 2 季度的上升趋势、2027 年的短缺、LTA 的上升以及审慎的资本支出和芯片产量。
三星 2 季度初步经营业绩
- 预计三星 2 季度初步经营业绩略低于乐观预期，原因是特殊奖金（包括 1 季度）和智能手机利润率压缩。
- 仅内存业务的经营业绩可能超过预期，原因是 ASP 的上涨，与韩国强劲的出口一致。
- 6 月份 DRAM 的现货/合同价格也进一步反弹。
韩国出口和 TrendForce 内存 ASP 预测
- 6 月份韩国半导体出口大幅增长，年增长率也创纪录。
- TrendForce 将其 2026 年 2 季度 NAND ASP 预测下调至环比增长 55-60%，但将 4 季度展望上调至环比增长 10-15%。
- 摩根大通对 NAND ASP 的假设与 TrendForce 一致或更为保守，预计 2-4 季度 2026 年 ASP 环比分别增长 65%、13% 和 1%。
超大规模资本支出和云收入/利润率
- 预计所有美国超大规模计算器在 2026-27 年的资本支出将创历史新高，2027 年下半年也不会削减资本支出。
- 亚马逊、微软、谷歌和 Meta 的资本支出持续增长，预计 2026 年将增长约 80%，达到约 700 亿美元；2027-28 年预计年资本支出将接近 1000 亿美元。
- 超大规模计算器收入增长趋势强劲。
内存现货价格短期趋势
- DDR4 价格保持在周期高位，受供应削减和客户补库存支持。
- DDR5 价格在 7 月份初达到新的高点（47 美元），受 AI 相关需求强劲和供应受限（DRAM 制造商优先生产 HBM）支持。
- NAND 晶圆价格在 2025 年 4 季度至 2026 年 1 季度上涨至高位，受供应紧张和 SSD 需求强劲推动，但最近已趋于平稳/略有回落。
内存现货/合同价格长期趋势
- DRAM 现货价格在 6 月份反弹，此前在 4-5 月份有所疲软，而 9 月份至 1 月份强劲上涨后，价格已达到多世纪来的高位。
- DRAM 现货和合同价格在 2 季度 26 年达到约 35-40 美元的记录高位，随后在 2 季度 26 年出现适度增长，此前在 4 季度 25 年和 1 季度 26 年强劲上涨。
- NAND 晶圆现货和合同价格在 4-5 月份强劲上涨后，6 月份趋于平稳/略有回落，但全年涨幅仍超过 50% 并达到 8 倍。
- 16Gb DDR5 现货价格在 7 月份初达到 47 美元的新高，而 16Gb DDR4 价格约为 75 美元，远高于 2017 年 10 月份的约 10 美元峰值。
- 512Gb NAND 晶圆现货价格在 6 月份略有回落，但全年涨幅仍超过 50%。
估值和股票表现
- 内存股票在 7 月 2 日大幅下跌，我们认为 Meta/CXMT/韩国被过度担忧，而基本面依然坚实（AI 资本支出持续增长、CXMT 为苹果提供 DRAM 可能不会带来重大影响、韩国新内存集群在 2030 年前影响较低等）。
- 尽管在 5 月/6 月强劲上涨，但内存股票的市盈率倍数仍然较低。
- 内存股票在 2026 年迄今为止的股价表现仍然处于高位，主要由 NAND 和 HDD 带动，DRAM 保持持续强劲，得益于 AI 驱动的需求。
- CPU 名称如英特尔和 AMD 明显优于其他美国大型科技公司，如英伟达/苹果/QCOM。
