长电科技新78亿元投资进一步加强其先进封装领先地位

核心观点与关键数据

核心观点： 摩根士丹利认为，JCET 集团计划投资 78 亿元人民币建立先进封装和测试设施，反映了管理层对先进封装长期增长潜力的坚定信念，并加强了其在技术和规模上的优势。该投资将分两阶段进行，第一阶段涵盖设施建设和设备采购（目标在 2028 年下半年完成），第二阶段则根据市场情况决定产能扩张。

关键数据：

• 投资金额： 78 亿元人民币（约合 11 亿美元）
• 项目地点： 上海临港
• 项目阶段： 分两阶段进行
• 第一阶段目标： 设施建设和设备采购，预计在 2028 年下半年完成
• 第二阶段： 根据市场情况决定产能扩张

研究结论

摩根士丹利认为，该新设施将进一步巩固 JCET 在先进封装领域的领导地位，并使其能够从中国高性能计算和网络的产量增长中受益。随着国内 AI/HPC 芯片生产的加速，JCET 在先进封装领域的战略决心得到了加强。由于行业产能仍然紧张，预计到 2026 年下半年，定价环境将保持积极。

目标价格： 基于对 2027 年每股收益的 6.0 倍市净率计算，摩根士丹利将 JCET 的目标价格设定为 110 元人民币。

估值逻辑： 摩根士丹利认为，中国 OSAT 行业正进入前所未有的周期性上升，由 AI 的普及、行业供应紧张以及对先进封装的日益重视推动。因此，作为先进封装的关键推动者，JCET 将获得溢价估值。

预期回报： 摩根士丹利预计行业产能利用率将保持紧张，因为需求强劲。

风险提示

• 先进封装扩张速度超过需求增长，尤其是在前端面临挑战
• 内存制造商将后端封装业务内部化
• 行业产能扩张后利用率下降
• 地缘政治紧张局势减少 JCET 海外业务的 demand
• 美国出口限制限制后端设备的供应

相比其他 OSAT 公司

摩根士丹利重申其对中国 OSAT 行业的积极看法，并偏好 JCET > TFME > TSHT。