AI负载推动数据中心架构演进,从第一代单相PSU(~5.5-12 kW,50 Vout)到第二代三相高压直流PSU(~18-30 kW,±400/800 Vout)。第一代PSU采用ORv3-HPR标准,单相输入,PFC级多采用两电平或三电平图腾柱拓扑,DC-DC级采用LLC拓扑;第二代PSU采用三相输入和高压直流输出,PFC级采用维也纳整流器或T型拓扑,DC-DC级采用两路交错或级联LLC拓扑。
宽禁带半导体在AI PSU中发挥关键作用:CoolGaN™器件凭借优异的优值系数和低开关损耗,提升DC-DC级动态响应能力;400 V CoolSiC™ MOSFET实现三电平飞跨电容图腾柱PFC的极致效率;650 V和1200 V CoolSiC™ MOSFET助力三相高压直流PSU实现超高能效。
结论:为满足AI服务器功率需求,需采用全新的机架架构和AC-DC配电方案,英飞凌的CoolSiC和CoolGaN器件凭借极致效率和功率密度成为首选,混合技术方案可平衡效率、功率密度和系统成本,英飞凌将持续引领技术突破。