锴威特：苏州锴威特半导体股份有限公司2025年年度报告

公司简称：锴威特 苏州锴威特半导体股份有限公司2025年年度报告 重要提示 一、本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 一、公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是√否 二、重大风险提示 报告期内，公司实现营业总收入25,456.78万元，同比增长95.62%；归属于母公司所有者的净利润为-9,078.26万元，同比减亏640.67万元。受全球经济增速放缓及行业竞争加剧影响，公司产品售价与毛利率有所承压。与此同时，为构筑长期核心竞争力，公司坚持前瞻性战略布局，持续加大研发投入以覆盖全品类功率器件芯片，推动功率IC及第三代半导体产品的系列化、自主可控与成本优化，并同步强化市场推广、渠道建设及管理升级。尽管公司通过优化产品组合、迭代工艺平台及拓展市场实现了销售规模的增长，但短期营收尚无法覆盖中长期战略投入带来的成本费用的增加，致使净利润仍处于亏损状态。未来若市场需求波动、竞争加剧或产品迭代加速，而公司未能持续提升竞争力或充分释放规模效应，可能导致营收大幅波动并延长盈利周期，进而对现金流、财务状况及团队稳定产生不利影响。虽然公司已采取多项降本增效措施，但若未来无法有效应对上述挑战或控制成本，仍面临业绩持续亏损的风险。 公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分，敬请投资者注意投资风险。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、北京德皓国际会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。五、公司负责人罗寅、主管会计工作负责人刘娟娟及会计机构负责人（会计主管人员）刘娟娟声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 经北京德皓国际会计师事务所（特殊普通合伙）审计，公司2025年度实现归属于母公司所有者的净利润为人民币-90,782,595.70元，截至2025年12月31日，母公司期末未分配利润为人民币-103,802,655.97元。 根据《上市公司监管指引第3号——上市公司现金分红》以及《公司章程》等相关规定，鉴于公司归属于母公司所有者的净利润为负数，综合考虑公司生产经营及未来资金投入的需求，为保 障公司持续稳定经营，稳步推动后续发展，更好维护全体股东的长远利益，因此公司2025年度不进行利润分配，不派发现金红利，不送红股，不以资本公积金转增股本。 上述利润分配预案已经公司第三届董事会第七次会议审议通过，尚需提交公司股东会审议。 母公司存在未弥补亏损 √适用□不适用 截至报告期末，公司母公司财务报表中存在累计未弥补亏损人民币103,802,655.97元。根据《中华人民共和国公司法》及《上市公司监管指引第3号——上市公司现金分红》等相关法律法规的规定，公司目前不满足实施现金分红的前提条件。敬请广大投资者注意相关投资风险。未来公司将继续做好经营管理，改善经营业绩。 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告涉及未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质性承诺，敬请投资者关注投资风险。 九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否 十二、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义......................................................................................................................................5第二节公司简介和主要财务指标..................................................................................................7第三节管理层讨论与分析............................................................................................................14第四节公司治理、环境和社会..................................................................................................53第五节重要事项............................................................................................................................74第六节股份变动及股东情况......................................................................................................115第七节债券相关情况..................................................................................................................123第八节财务报告..........................................................................................................................124 备查文件目录载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的财务报表。载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。 第一节释义 一、释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 二、联系人和联系方式 三、信息披露及备置地点 四、公司股票/存托凭证简况 (一)公司股票简况 (二)公司存托凭证简况 □适用√不适用 五、其他相关资料 六、近三年主要会计数据和财务指标 报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用□不适用 公司营业收入大幅上升主要原因系：新产品的量产、客户订单增加，带动营业收入增长，同时本期新增投资控股公司并表所致。 经营活动产生的现金流量净额变动的主要原因系：营收的增加带动支付货款及经营性支出增加所致。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (三)境内外会计准则差异的说明： □适用√不适用 八、2025年分季度主要财务数据 □适用√不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。□适用√不适用 十一、存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润□适用√不适用 十二、非企业会计准则财务指标情况 □适用√不适用 十三、采用公允价值计量的项目 √适用□不适用 十四、因国家秘密、商业秘密等原因的信息暂缓、豁免情况说明 √适用□不适用 公司部分信息涉及商业秘密，根据《上海证券交易所科创板股票上市规则》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》的相关规定，公司已按照《苏州锴威特半导体股份有限公司商业秘密管理制度》《苏州锴威特半导体股份有限公司信息披露管理制度》《苏州锴威特半导体股份有限公司信息披露暂缓与豁免业务管理制度》完成相应的审批程序。 第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明 (一)主要业务、主要产品或服务情况 公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，通过自主创新和技术沉淀，已同时具备功率器件和功率IC的设计、研发能力。在产品布局上，公司主要产品包含功率器件及功率IC两大类，同时也为部分客户提供芯片设计及工艺开发等技术服务。基于上述业务的协同效应，公司积极推进“功率器件+功率IC融合”战略，针对高可靠功率电源模块及电机驱动模块应用场景，提供覆盖各功率段的系统化芯片解决方案。 主要产品或服务情况如下： 1、功率器件方面 在功率器件方面，公司产品布局平面MOSFET、集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）、中低压沟槽型MOSFET、超结MOSFET和SiCMOSFET产品。平面MOSFET产品已实现产品系列化，覆盖40~1500V电压段，已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列；在平面 MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压MOSFET（FRMOS）系列产品，产品采用重金属掺杂工艺，具有优异的反向恢复特性，可为客户降低系统功耗，解决系统电磁干扰问题；中低压沟槽型MOSFET在已有产品基础上，针对BMS、电机驱动等应用场景开发了抗短路能力强的30V、40V、60V、80V、100V沟槽屏蔽栅MOSFET；超结MOSFET采用多次外延的技术路线，已完成第2代和第3代超结技术平台的研发，形成600V~850V电压段产品系列化；SiCMOSFET产品是公司功率器件方向布局未来的重要产品线，公司与晶圆工厂密切合作，优化产品设计和工艺流程，提升产品竞争力，已从公司第2代SiCMOS提升到第3代SiCMOS技术平台，将1200VSiCMOSRonsp降低至3.0mR•cm2以下，同时研发了集成SBD的SiCMOSFET，解决SiCMOSFET寄生二极管的缺陷问题，适用于OBC、电机驱动等应用场合，针对小电流SiCMOSFETESD耐量弱的问题，研发集成ESD保护的SiCMOSFET，可以通过2KV的ESD耐量测试。 功率器件产品及应用方向如下： 2、功率IC方面 公司功率IC产品主要围绕电源管理和电机驱动进行产品布局和研发，电源管理IC主要包括隔离和非隔离DC-DC、PFC控制器、理想二极管控制器、浪涌抑制控制器、高频栅极驱动器、高边电流采样放大器等产品。隔离和非隔离DC-DC产品涵盖反激、反激双路交错、正激有源钳位、推挽、半桥、全桥、移相全桥、降压、升压以及升降压等多拓扑配置，帮助客户灵活创建各种电源设计；同时集成了欠压、过压、过流、过热等多种保护功能，确保系统安全稳定工作，能够为客户提供隔离式开关电源系列化的解决方案。 电机驱动IC能够将电机控制器（MCU）输出的低压控制信号转换成驱动功率器件的高压驱动信号，来驱动功率器件进行开关动作，从而驱动电机工作，集成了高侧和低侧驱动器，可降低开关损耗，适应嘈杂的环境并提高系统效率。公司的驱动IC产品包含单相半桥、全桥、三相全桥产品系列，可满足多种场景的应用要求。 功率IC产品及应用方向如下： 3、功率模块（功率器件+功率IC融合） 凭借公司拥有功率器件及功率IC核心研发能力的优势，打造智能功率模块和固态继电器等融合产品线，由高可靠领域向工控、新能源及智能