锴威特：苏州锴威特半导体股份有限公司2024年半年度报告

公司代码：688693公司简称：锴威特 苏州锴威特半导体股份有限公司 2024年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 公司已在本半年度报告中描述可能存在的风险，敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分的相关内容。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人罗寅、主管会计工作负责人刘娟娟及会计机构负责人（会计主管人员）刘娟娟 声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司2024年半年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数分配利润，利润分配预案如下：公司拟向全体股东每10股派发现金红利1元（含税）。截至2024年06月30日，公司总股本73,684,211股，以此计算合计拟派发现金红利7,368,421.10元（含税）。 在实施权益分派的股权登记日前公司总股本发生变动的，拟维持每股分配比例不变，相应调整分配总额，并将另行公告具体调整情况。 公司2024年半年度利润分配预案已经公司第二届董事会第十五次会议及第二届监事会第十次会议审议通过，尚需提交公司股东大会审议。 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告涉及未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质性承诺，敬请投资者关注投资风险。 九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况否 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义5 第二节公司简介和主要财务指标8 第三节管理层讨论与分析11 第四节公司治理31 第五节环境与社会责任33 第六节重要事项35 第七节股份变动及股东情况73 第八节优先股相关情况78 第九节债券相关情况78 第十节财务报告79 备查文件目录 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的财务报表。报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。 第一节释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义锴威特、公司、本公司 指 苏州锴威特半导体股份有限公司 港晨芯 指 苏州港晨芯企业管理合伙企业（有限合伙） 大唐汇金 指 大唐汇金（苏州）产业投资基金合伙企业（有限合伙） 港鹰实业 指 张家港市港鹰实业有限公司 金茂创投 指 张家港市金茂创业投资有限公司 甘化科工 指 广东甘化科工股份有限公司，深圳证券交易所上市公司，股票代码000576 国经众明 指 无锡国经众明投资企业（有限合伙） 招港共赢 指 张家港市招港共赢企业管理合伙企业（有限合伙） 新工邦盛 指 江苏疌泉新工邦盛创业投资基金合伙企业（有限合伙） 邦盛聚泓 指 徐州邦盛聚泓股权投资合伙企业（有限合伙） 邦盛聚源 指 南京邦盛聚源创业投资合伙企业（有限合伙） 禾望投资 指 深圳市禾望投资有限公司，系深圳市禾望电气股份有限公司（上海证券交易所上市公司，股票代码603063）全资子公司 悦丰金创 指 张家港市悦丰金创投资有限公司 创芯投资 指 苏州创芯投资有限公司，公司全资子公司 西安锴威 指 西安锴威半导体有限公司，公司全资子公司 陆巡科技 指 深圳陆巡科技有限公司，公司参股子公司 报告期、本报告期 指 2024年01月01日至2024年06月30日 上年同期、2023年同期 指 2023年01月01日至2023年06月30日 报告期初 指 2024年01月01日 报告期末 指 2024年06月30日 半导体 指 常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材料有硅、锗、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种 IC、集成电路、芯片 指 一种微型电子器件或部件。具体指采用半导体制备工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连在一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构 分立器件、半导体分立器件 指 半导体分立器件。与集成电路相对的，采用特殊的半导体制备工艺，实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往往无法在集成电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本较高。分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等 功率器件、半导体功率器件 指 又称电力电子功率器件，主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是进行电能（功率）处理的核心器件，弱电控制和强电运行间的桥梁。半导体功率器件是半导体分立器件中的主要组成部分 二极管 指 全称为半导体二极管，是一种具有正向导通、反向截止功能特性的半导体分立器件 三极管 指 全称为半导体三极管，包括双极晶体管、场效应晶体管等 MOSFET、功率MOSFET或MOS 指 MOS管，是金属（Metal）—氧化物（Oxid）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，属于电压控制型器件 平面MOSFET 指 以平面工艺为技术路线的MOSFET产品 SOI 指 Silicon-On-Insulator，绝缘体上硅，该技术是在顶层硅和背衬底之 间引入了一层埋氧化层，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路具有寄生电容小、集成密度高、速度快、漏电小等优势 BCD工艺 指 一种结合了BJT、CMOS和DMOS的单片IC制造工艺 沟槽型MOSFET 指 MOSFET栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低导通损耗等特点 超结MOSFET 指 基于电荷平衡技术理论，在传统的功率MOSFET中加入p-n柱相互耗尽来提高耐压和降低导通电阻的器件结构，具有工作频率高、导通损耗小、开关损耗低、芯片面积小等特点 IP 指 IntellectualProperty的缩写，即知识产权 IP核 指 知识产权模块，在芯片设计中指可重复使用的具有成熟设计的功能模块 FRMOS、集成快恢复高压功率MOSFET 指 在平面MOSFET中集成快恢复功率二极管的一种功率器件，可大幅改善器件的反向恢复时间、反向恢复电荷等参数特性，属于平面MOSFET的一种细分产品 PWM 指 PulseWidthModulation，脉宽调制，是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变 AC-DC 指 将交流电转换成直流电的一种技术和方法 LLC 指 谐振电路（ResonantConverters），由开关网络（全桥或半桥）、电感（以字母L表示）、电容（以字母C表示）等元器件构成，LLC由于实现了软开关，有效降低了开关损耗，提高了电源效率，适用于高频、高功率密度设计 DC-DC 指 直流变换器，可将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压 GDS文件 指 指GraphicDataSystem格式的文件，半导体芯片设计中一般指用于芯片流片的工业标准数据文件，其中记录了芯片的各图层、图层内的平面几何形状、文本标签等用于制作光掩膜版的文件数据 功率模块、模块 指 将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在一起，形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度高、功率控制能力强，往往应用于大功率或小体积的电力电子产品。 流片 指 像流水线一样通过一系列半导体制备工艺步骤制造芯片 IDM 指 指垂直一体化模式，半导体行业中从芯片设计、加工制造、封装测试到销售自有品牌都一手包办的垂直整合型公司 Fabless 指 无晶圆生产的经营模式，指企业只从事芯片设计研发和销售，而将晶圆制造、封装和测试环节分别委托给专业厂商完成 封装 指 将芯片转配为最终产品的过程，即把晶圆上的半导体集成电路，用导线及各种连接方式，加工成含外壳和管脚的可使用的芯片成品，起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用 测试 指 集成电路晶圆测试及成品测试 SiC 指 碳化硅，是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等性质，特别适用于高压、大功率半导体功率器件领域 GaN 指 氮化镓，是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质 晶圆 指 在硅片上加工电路结构后形成的产品 开关 指 利用半导体分立器件模拟机械开关，起导通和截止的作用 稳压 指 利用二极管反向击穿特性来稳定电子线路电压的过程 光刻 指 一种利用光照、感光剂（光刻胶）、掩膜版（其上有设计好的图形）配合的复印技术，可以将掩膜版上的图形转移到晶圆上 中国证监会 指 中国证券监督管理委员会 《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》 《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》 《公司章程》 指 《苏州锴威特半导体股份有限公司章程》 元、万元 指 人民币元、人民币万元 注：本报告中若出现总数与各分项数值之和尾数不符的情况，均为四舍五入原因造成。 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 公司的中文名称 苏州锴威特半导体股份有限公司 公司的中文简称 锴威特 公司的外文名称 SuzhouConvertSemiconductorCO.,LTD. 公司的外文名称缩写 CONVERTSEMI 公司的法定代表人 罗寅 公司注册地址 张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科创园B2幢01室 公司注册地址的历史变更情况 1、2015年1月，公司成立时注册地址为：张家港经济开发区（高新技术创业服务中心B幢511号）；2、2018年3月，公司地址变更为：张家港市杨舍镇沙洲湖科创园A1幢9层；3、2022年9月，公司地址变更为现注册地址。 公司办公地址 张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科创园B2幢01室 公司办公地址的邮政编码 215600 公司网址 www.convertsemi.com 电子信箱 zhengq@convertsemi.com 报告期内变更情况查询索引 不适用 二、联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 证券事务代表 姓名 严泓 王勇 联系地址 张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科创园B2幢01室 张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科创园B2幢01室 电话 0512-58979950 0512-58979950 传真 / / 电子信箱 zhengq@convertsemi.com zhengq@convertsemi.com 三、信息披露及备置地点变更情况简介 公司选定的信息披露报纸名称 上海证券报（www.cnstock.com）中国证券报（www.cs.com.cn）证券时报（www.stcn.com）证券日报（www.zqrb.cn） 登载半年度报告的网站地址 www.sse.com.cn 公司半年度报告备置地点 公司证券部 报告期内变更情况查询索引 不适用 四、公司股票/存托凭证简况 (一)公司股票简况 √适用□不适用 公司股票简况 股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所科创板 锴威特 688693 不适用 (二)公司存托凭证简况 □适用√不适用 五、其他有关资料 □适用√不适用 六、公司主要会计数据和财务指标 (一)主要会计数据 单位：元币种：人民币 主要会计数据 本报告期 （1－6月） 上年同期 本报告期比上年同期增减(%) 营业收入 57,630,652.33 133,287,340.72 -56.76 归属于上市