追踪极紫外光刻的出现：识别、保护和促进新兴技术的经验

本文以极紫外光刻（EUV）技术为例，探讨了新兴技术的识别、保护和推广。EUV 技术是过去十年最重要的技术突破之一，被誉为“拯救摩尔定律的机器”，目前应用于最先进的 AI 芯片、智能手机、自动驾驶系统和高性能计算机的制造。ASML 公司作为 EUV 设备的唯一供应商，垄断了高端芯片制造工具市场。

EUV 技术的发展经历了三个阶段：

• 基础研究和技术演示（1981-1992）： 美国国家实验室和学术界开始探索软 X 射线投影光刻（SXPL）在半导体制造中的应用，并取得初步进展。
• 应用研究和技术开发（1993-1997）： 美国成立国家 EUV 光刻计划，日本和欧洲也开始投入 EUV 研究，并成立相关联盟。
• 联盟和产业引领的技术成熟（1997-2009）： 各国联盟展开合作与竞争，推动 EUV 技术发展，同时 ASML 通过收购和合作，逐渐成为 EUV 领导者。

EUV 研究社区由学术界、产业界和政府机构组成，主要研究方向包括光掩模、光刻胶和光学系统。研究社区发表论文和专利数量在 1997 年后显著增长，表明 EUV 技术进入快速发展阶段。

本文总结了识别新兴技术的指标，包括新颖性、一致性、增长和影响。EUV 技术的发展符合这些指标，并在不同阶段表现出不同的特征。

对于新兴技术的保护和推广，本文提出以下结论：

• 政府在早期阶段干预对推广新兴技术至关重要，可以通过支持国家研究机构、建立科学用户设施、促进国际合作、提供直接资金支持、建立公私合作伙伴关系等方式进行。
• 政府对新兴技术的保护措施往往滞后或缺乏相关性，因为新兴技术在初期阶段通常没有明确的经济或国家安全含义。
• 政府对新兴技术的保护可能会减缓创新速度，并降低企业盈利能力。

EUV 技术的发展表明，政府、产业界和学术界之间的持续合作和创新是新兴技术成功的关键。同时，政府需要在促进创新和保护国家安全之间寻求平衡。