功率半导体黄金赛道：技术迭代×能源革命×国产替代的三重奏

核心观点

• 全球功率半导体市场：功率分立器件和模块市场规模在2024年萎缩，但近十年年复合增长率为7.14%。广义口径下，2024年全球功率器件（含SiC）规模为530.6亿美元，预计2024-2029年将维持8.43%的年复合增长率。
• 市场结构：功率集成电路占比最大，其次是分立器件MOSFET、功率二极管和IGBT。中国是全球最大的消费国，贡献了约40%的市场份额。
• 技术演进：功率半导体正从单一器件向系统级解决方案演进，通过封装和集成技术提升效率。
• 新能源车：新能源车市场打开IGBT和SiC的增长空间，但国内车规级半导体市占率有待提升。预计2030年BEV车规级半导体BOM将达到1650美元/辆。
• AI算力中心：AI算力中心建设推动功率半导体需求，800V HVDC依赖于高性能功率半导体材料。
• 材料优势：宽禁带半导体材料成为高压、大功率、高温的理想材料，SiC具有更高的击穿电压、热导率和电子饱和速率等优势。
• 中国市场：中国碳化硅外延片市场增长迅速，预计2028年8英寸SiC外延片需求量或达103.2万片，国内市场需求或占据全球33.4%的份额。
• 投资建议：建议关注扬杰科技、三安光电、新洁能、天岳先进、士兰微、华润微、斯达半导等公司。
• 风险提示：下游需求景气度波动、生产成本高、设备材料对外依赖度高、行业周期性下行、政治政策不确定性等因素。

关键数据

• 2023年国内功率半导体市场规模约为1519.36亿元，2024年预计增长至1752.55亿元。
• 2024年全球碳化硅半导体器件市场规模约26亿美元，预计2029年将达到136亿美元。
• 2023年国内IGBT市场规模约28亿美元，预计2024-2029年年复合增长率为9.4%。
• 2024年全球6英寸外延片市场规模为8亿美元，预计2029年8英寸SiC外延片占比将由2024年的26%逐步提升至77.4%。

研究结论

功率半导体行业正处于快速发展阶段，第三代半导体材料加速渗透，新能源车、AI算力中心等新兴应用领域推动行业持续增长。中国作为全球最大的消费国，市场增长潜力巨大，国内企业有望在全球市场占据重要地位。