半导体行业事项点评：美国新一轮半导体出口管制落地，自主可控有望加速

美国新一轮半导体出口管制落地，自主可控有望加速 2024年12月5日 信达证券股份有限公司 CINDASECURITIESCO.,LTD 北京市西城区宣武门西大街甲127号金隅大厦B座 邮编：100031 莫文宇电子行业首席分析师 执业编号：S1500522090001 邮箱：mowenyu@cindasc.com 看好 上次评级 看好 投资评级 证券研究报告 行业研究 行业事项点评 半导体 美国新一轮半导体出口管制落地，自主可控有望加速 2024年12月5日 本期内容提要: 美国制裁新规落地，新增140个实体清单。12月2日，美国商务部产业与安全局（BIS）发布一揽子规则，旨在进一步削弱中国先 进制程半导体的能力，这些规则包括：（1）对24种半导体制造设 备和3种用于开发或生产半导体的软件工具实施新的管制；（2）对高带宽存储器（HBM）实施新的管制；（3）新的指南以解决合规性和转移问题；（4）新增140个实体清单和14项修改，涵盖设备制造商、晶圆厂和投资公司；（5）几项关键监管变化，以提高之前管控的有效性。 新增140个实体清单超100家为半导体设备和材料公司，主要影响涉美供应商采购。本次BIS新增实体清单气压主要包括99家半导体设备公司（北方华创、拓荆科技、中科飞测等）、14家材料公 司（南大光电、沪硅产业）、12家EDA/IP公司（华大九天、国微芯），对于这些被列入实体清单的中国企业，美国供应商在未事先获得特殊许可证的情况下将被禁止向他们发货。此外，中微公司、华虹半导体和华润微3家公司被移出VEU。 新增对HBM芯片限制，或加速推动国产化技术突破。美国BIS表 示，HBM对大规模AI训练和推理至关重要，并且是高性能计算芯片的关键组件。新控制措施适用于美国原产的HBM以及根据FDP规则受EAR约束的外国生产的HBM，根据新的HBM许可例外，某些HBM将有资格获得授权。在BIS发布的临时最终规则（IFR）中，新增3A090.c规则，限制内存带宽密度超过2GB/s/mm²的HBM堆栈对中国出口，目前所有在量产的HBM产品都超过了这一阈值。 四大协会齐声明：美国芯片不再安全、不再可靠，中国相关行业谨慎采购。12月3日，中国半导体行业协会、中国互联网协会、中国汽车工业协会、中国通信企业协会等多个官方协会发表声明，谴 责美国的制裁，呼吁中国企业谨慎采购美国芯片，寻求扩大与其他国家和地区芯片企业的合作。我们认为，四大重要行业协会的声明，体现了中国在半导体领域追求独立自主的意愿，有利于引导终端厂商加大采购国产芯片，提升国产化率，从而推动产业链上下游加速实现技术突破。 美国对华半导体制裁进一步收紧，半导体国产化有望提速。我们认为，制裁升级或将加速国产替代节奏，产业链核心环节（设备零部 件、材料、EDA/IP、制造、核心设计等）在自主可控大趋势下仍具 备较大成长空间，建议关注：【设备】北方华创、中微公司、拓荆科技、精测电子等；【零部件】茂莱光学、福晶科技、富创精密等；【材料】鼎龙股份、安集科技、兴森科技等；【制造】中芯国际、华虹公司等；【EDA/IP】华大九天、概伦电子、芯原股份等； 【HBM】通富微电、赛腾股份、华海诚科等；【AI芯片】寒武纪、海光信息等。 风险提示：半导体国产替代进程不及预期，下游需求发展不及预期。 目录 美国制裁新规落地，新增140个实体清单5 四大协会声明反对制裁，国产芯片大有可为8 投资建议9 风险因素9 图目录 图4：140家实体清单企业主要为半导体设备和材料公司6 图5：不同细分行业实体清单占比6 图2：三大原厂HBM产品开发进展7 图2：四大行业协会呼吁审慎选择美国芯片8 美国制裁新规落地，新增140个实体清单 12月2日，美国商务部产业与安全局（BIS）发布一揽子规则，旨在进一步削弱中国先进制程半导体的生产能力，这些规则包括： 对24种半导体制造设备和3种用于开发或生产半导体的软件工具实施新的管制； 对高带宽存储器（HBM）实施新的管制； 新的指南以解决合规性和转移问题； 新增140个实体清单和14项修改，涵盖设备制造商、晶圆厂和投资公司； 几项关键监管变化，以提高之前管控的有效性。 新增140个实体清单超100家为半导体设备和材料公司，主要影响涉美供应商采购。本次BIS新增实体清单气压主要包括99家半导体设备公司（北方华创、拓荆科技、中科飞测等）、14家材料公司（南大光电、沪硅产业）、12家EDA/IP公司（华大九天、国微芯）， 对于这些被列入实体清单的中国企业，美国供应商在未事先获得特殊许可证的情况下将被禁止向他们发货。此外，中微公司、华虹半导体和华润微3家公司被移出VEU。 行业 公司 涉及具体公司数量 至纯科技 21 北方华创 11 中科飞测 11 凯世通 7 盛美上海 7 东方晶源 6 拓荆科技 6 新凯来 5 华峰测控 4 设备 华海清科 4 精测电子 3 上海微 3 睿励科学仪器 2 芯源微 2 御微半导体 2 中电科 2 华大九天 1 屹唐半导体 1 宇量昇 1 表1：被列入实体清单的140家中国半导体企业汇总 材料 Fab EDA/IP 产业链协同投资 研究 南大光电9 沪硅产业5 昇维旭2 鹏新旭1 闻泰科技1 武汉新芯1 芯恩1 芯物科技1 中芯国际1 华大九天7 国微芯5 北方集成电路技术创新中心1 上海集成电路装备材料产业创新中心1 芯链融创1 建广资本1 智路资本1 张江实验室1 中科院微电子所1 资料来源：BIS，信达证券研发中心 图1：140家实体清单企业主要为半导体设备和材料公司图2：不同细分行业实体清单占比 99 14 8 12 3 2 2 120 100 80 60 40 20 0 资料来源：BIS，信达证券研发中心资料来源：BIS，信达证券研发中心 设备材料 FabEDA/IP 产业链协同 投资研究 新增对HBM芯片限制，或加速推动国产化技术突破。美国BIS表示，HBM对大规模AI训练和推理至关重要，并且是高性能计算芯片的关键组件。新控制措施适用于美国原产的HBM以及根据FDP规则受EAR约束的外国生产的HBM，根据新的HBM许可例外，某些 HBM将有资格获得授权。在BIS发布的临时最终规则（IFR）中，新增3A090.c规则，限制内存带宽密度超过2GB/s/mm²的HBM堆栈对中国出口，目前所有在量产的HBM产品都超过了这一阈值。IFR明确“内存带宽密度”的定义为HBM的内存带宽（以GB/s计） 除以其面积（以mm²计），同时规定，HBM与逻辑芯片共同封装的集成电路（以处理为主要功能）排除在限制范围内，但如果HBM永久地固定在一个作为控制接口设计的逻辑集成电路上，并包含一个物理层（PHY）功能的情况，将仍然受到限制。 表2：不同次代HBM规格比较 次代 速率(Gb/s) 带宽(GB/s) 堆叠层数 Die容量(Gb) HBM容量(GB) HBM 1 128 8 16 16 HBM2 2 256 8 16 16 HBM2E 3.6 461 12 24 36 HBM3 6.4 819 16 32 64 HBM3E 9.6 1229 16 32 64 资料来源：Rambus，信达证券研发中心 图3：三大原厂HBM产品开发进展 资料来源：TrendForce，信达证券研发中心 四大协会声明反对制裁，国产芯片大有可为 商务部加强两用物项出口管制，禁止镓、锗、锑等对美出口。12月3日，中国商务部发布关于加强相关两用物项对美国出口管制的公告。公告显示，根据《中华人民共和国出口管制法》等法律法规有关规定，为维护国家安全和利益、履行防扩散等国际义务，决定加强相关两用物项对美国出口管制。一是禁止两用物项对美国军事用户或军事用途出口；二是原则上不予许可镓、锗、锑、超硬材料相关两用物项对美国出口；对石墨两用物项对美国出口，实施更严格的最终用户和最终用途审查。 四大协会齐声明：美国芯片不再安全、不再可靠，中国相关行业谨慎采购。12月3日，中国半导体行业协会、中国互联网协会、中国汽车工业协会、中国通信企业协会等多个官方协会发表声明，谴责美国的制裁，呼吁中国企业谨慎采购美国芯片，寻求扩大与其他国家和地区芯片企业的合作。我们认为，四大重要行业协会的声明，体现了中国在半导体领域追求独立自主的意愿，有利于引导终端厂商加大采购国产芯片，提升国产化率，从而推动产业链上下游加速实现技术突破。 图4：四大行业协会呼吁审慎选择美国芯片 资料来源：各行业协会官方微信公众号，信达证券研发中心 投资建议 美国对华半导体制裁进一步收紧，半导体国产化有望提速。我们认为，制裁升级或将加速 国产替代节奏，产业链核心环节（设备零部件、材料、EDA/IP、制造、核心设计等）在自主可控大趋势下仍具备较大成长空间，建议关注： 设备：北方华创、中微公司、拓荆科技、精测电子等； 零部件：茂莱光学、福晶科技、富创精密等； 材料：鼎龙股份、安集科技、兴森科技等； 制造：中芯国际、华虹公司等； EDA/IP：华大九天、概伦电子、芯原股份等； HBM：通富微电、赛腾股份、华海诚科等； AI芯片：寒武纪、海光信息等。 风险因素 （1）半导体国产替代进程不及预期：半导体设备及材料的研发和量产涉及产业链众多，开发难度较大，国产化进程可能遇到阻力； （2）下游需求发展不及预期：目前AI应用普及程度仍然有限，若未来需求增长幅度不及预期，可能影响上游开发进程。 研究团队简介 莫文宇，电子行业分析师，S1500522090001。毕业于美国佛罗里达大学，电子工程硕士，2012-2022年就职于长江证券研究所，2022年入职信达证券研发中心，任副所长、电子行业首席分析师。 郭一江，电子行业研究员。本科兰州大学，研究生就读于北京大学化学专业。2020年8月入职华创证券电子组，后于2022年11月加入信达证券电子组，研究方向为光学、消费电子、汽车电子等。 王义夫，电子行业研究员。西南财经大学金融学士，复旦大学金融硕士，2023年加入信达证券电子组，研究方向为存储芯片、模拟芯片等。 李星全，电子行业研究员。哈尔滨工业大学学士，北京大学硕士。2023年加入信达证券电子组，研究方向为服务器、PCB、消费电子等。 分析师声明 负责本报告全部或部分内容的每一位分析师在此申明，本人具有证券投资咨询执业资格，并在中国证券业协会注册登记为证券分析师,以勤勉的职业态度,独立、客观地出具本报告；本报告所表述的所有观点准确反映了分析师本人的研究观点；本人薪酬的任何组成部分不曾与，不与，也将不会与本报告中的具体分析意见或观点直接或间接相关。 免责声明 信达证券股份有限公司(以下简称“信达证券”)具有中国证监会批复的证券投资咨询业务资格。本报告由信达证券制作并发布。 本报告是针对与信达证券签署服务协议的签约客户的专属研究产品，为该类客户进行投资决策时提供辅助和参考，双方对权利与义务均有严格约定。本报告仅提供给上述特定客户，并不面向公众发布。信达证券不会因接收人收到本报告而视其为本公司的当然客户。客户应当认识到有关本报告的电话、短信、邮件提示仅为研究观点的简要沟通，对本报告的参考使用须以本报告的完整版本为准。 本报告是基于信达证券认为可靠的已公开信息编制，但信达证券不保证所载信息的准确性和完整性。本报告所载的意见、评估及预测仅为本报告最初出具日的观点和判断，本报告所指的证券或投资标的的价格、价值及投资收入可能会出现不同程度的波动，涉及证券或投资标的的历史表现不应作为日后表现的保证。在不同时期，或因使用不同假设和标准，采用不同观点和分析方法，致使信达证券发出与本报告所载意见、评估及预测不一致的研究报告，对此信达证券可不发出特别通知。 在任何情况下，本报告中的信息或所表述的意见并不构成对任何人的投资建议，也没有考虑到客户特殊的投资目标、财务状况或需求。客户应考虑本报告中的任何意见或建议是否符合其特定状况