9月3日媒体报道英伟达宣布RTX50系列显卡需要重新流片RTO以提升良率

Blackwell采用了台积电4nm制程技术，拥有超过2000亿个晶体管。但CoWoS-L封装技术导致了良率问题。 据透露，GPU晶粒、LSI桥接、RDL中介层和主基板之间的热膨胀系数(CTE)不匹配。 为了解决这些问题，NVIDIA不得不重新设9月3日媒体报道，英伟达宣布RTX50系列显卡需要重新流片(RTO)以提升良率，上市时间可能推迟到2025年上半年。Blackwell采用了台积电4nm制程技术，拥有超过2000亿个晶体管。 但CoWoS-L封装技术导致了良率问题。 据透露，GPU晶粒、LSI桥接、RDL中介层和主基板之间的热膨胀系数(CTE)不匹配。为了解决这些问题，NVIDIA不得不重新设计GPU芯片的顶部金属层和凸点。