ST华微：吉林华微电子股份有限公2024年半年度报告

公司代码：600360公司简称：ST华微 吉林华微电子股份有限公司2024年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、公司全体董事出席董事会会议。三、本半年度报告未经审计。 四、公司负责人于胜东、主管会计工作负责人于胜东及会计机构负责人（会计主管人员）张宁声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 五、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 本报告期公司不进行利润分配或资本公积转增股本。六、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告中如有涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述，均不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 七、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 是 八、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 九、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十、重大风险提示 报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的重大风险。公司已在本报告中详细描述可能存在的风险因素，请查阅本报告中关于公司未来发展的讨论与分析中可能面对的风险因素及对策部分的内容。 十一、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义4 第二节公司简介和主要财务指标5 第三节管理层讨论与分析7 第四节公司治理15 第五节环境与社会责任16 第六节重要事项19 第七节股份变动及股东情况23 第八节优先股相关情况26 第九节债券相关情况26 第十节财务报告27 备查文件目录 载有法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的财务报表。报告期内在证监会指定报纸上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。 第一节释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义华微电子、本公司、公司 指 吉林华微电子股份有限公司 麦吉柯 指 吉林麦吉柯半导体有限公司 深圳斯帕克 指 深圳斯帕克电机有限公司 吉华微特 指 深圳吉华微特电子有限公司 中国证监会、证监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所、交易所 指 上海证券交易所 股东大会 指 吉林华微电子股份有限公司股东大会 董事会 指 吉林华微电子股份有限公司董事会 监事会 指 吉林华微电子股份有限公司监事会 《公司章程》 指 《吉林华微电子股份有限公司章程》 《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》 《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》 《上市规则》 指 《上海证券交易所股票上市规则》 报告期、报告期内、本期 指 2024年1月1日至2024年6月30日 MOSFET 指 金属氧化层半导体场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)，是高输入阻抗、电压控制器件。 IGBT 指 绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor），是由BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。 三极管（BJT） 指 也称双极型晶体管（BipolarJunctionTransistor），是一种具有三个终端的电子器件，是低输入阻抗、电流控制器件。 肖特基势垒二极管 指 肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode）是以其发明人肖特基博士命名的一种金属—半导体二极管，以下简称肖特基。 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司信息 公司的中文名称 吉林华微电子股份有限公司 公司的中文简称 华微电子 公司的外文名称 JiLinSino-MicroelectronicsCo.,Ltd. 公司的外文名称缩写 JSMC 公司的法定代表人 于胜东 二、联系人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表 姓名 于胜东 于馥铭 联系地址 吉林省吉林市高新区深圳街99号 吉林省吉林市高新区深圳街99号 电话 0432-64684562 0432-64684562 传真 0432-64665812 0432-64665812 电子信箱 hwdz99@hwdz.com.cn hwdz99@hwdz.com.cn 三、基本情况变更简介 公司注册地址 吉林省吉林市高新区深圳街99号 公司注册地址的历史变更情况 无 公司办公地址 吉林省吉林市高新区深圳街99号 公司办公地址的邮政编码 132013 公司网址 http://www.hwdz.com.cn 电子信箱 IR@hwdz.com.cn 报告期内变更情况查询索引 无 四、信息披露及备置地点变更情况简介 公司选定的信息披露报纸名称 《中国证券报》https://epaper.cs.com.cn/zgzqb《上海证券报》https://paper.cnstock.com/《证券时报》http://www.stcn.com/《证券日报》http://www.zqrb.cn/ 登载半年度报告的网站地址 http://www.sse.com.cn 公司半年度报告备置地点 吉林华微电子股份有限公司董事会秘书处 报告期内变更情况查询索引 无 五、公司股票简况 股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所 ST华微 600360 华微电子 六、其他有关资料 □适用√不适用 七、公司主要会计数据和财务指标(一)主要会计数据 单位：元币种：人民币 主要会计数据 本报告期 （1－6月） 上年同期 本报告期比上年同期增减 (%) 营业收入 1,079,357,182.50 871,407,999.00 23.86 归属于上市公司股东的净利润 67,591,379.19 10,197,194.68 562.84 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 54,293,789.03 5,472,240.32 892.17 经营活动产生的现金流量净额 119,606,815.95 78,903,610.78 51.59 本报告期末 上年度末 本报告期末比上年度末增减 (%) 归属于上市公司股东的净资产 3,329,798,374.58 3,262,201,923.08 2.07 总资产 6,682,448,034.52 6,680,485,318.29 0.03 期末总股本 960,295,304.00 960,295,304.00 (二)主要财务指标 主要财务指标 本报告期（1－6月） 上年同期 本报告期比上年同期增减(%) 基本每股收益（元／股） 0.07 0.01 600.00 稀释每股收益（元／股） 0.07 0.01 600.00 扣除非经常性损益后的基本每股收益（元／股） 0.06 0.01 500.00 加权平均净资产收益率（%） 2.05 0.31 增加1.74个百分点 扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率（%） 1.65 0.17 增加1.48个百分点 公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用□不适用 归属于上市公司股东的净利润增加原因主要系报告期内，公司进一步推动并加深与优质客户的合作，销售订单增加，以前年度重点推广的IPM等产品在2024年上半年销售成果显著，销售收入上涨，毛利额增加，归属于上市公司股东的净利润较上年同期上升。 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润、基本每股收益、稀释每股收益及扣除非经常性损益后的基本每股收益增加原因主要系归属于上市公司股东的净利润增加所致。 经营活动产生的现金流量净额增加原因主要系本期购买商品、接受劳务支付的现金减少所致。 八、境内外会计准则下会计数据差异 □适用√不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 单位:元币种:人民币 非经常性损益项目 金额 附注（如适用） 非流动性资产处置损益，包括已计提资产减值准备的冲销部分 -30,801.65 计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关、符合国家政策规定、按照确定的标准享有、对公司损益产生持续影响的政府补助除外 15,873,994.65 债务重组损益受托经营取得的托管费收入除上述各项之外的其他营业外收入和支出 -194,232.76 其他符合非经常性损益定义的损益项目减：所得税影响额 2,347,406.03 少数股东权益影响额（税后） 3,964.05 合计 13,297,590.16 对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认 定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用√不适用十、其他 □适用√不适用 第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 公司主要从事功率半导体器件的设计研发、芯片制造、封装测试、销售等业务。公司坚持生产、研发、储备相结合的技术开发战略，不断向功率半导体器件的中高端技术及应用领域拓展。公司发挥自身产品设计、工艺开发、生产制造等综合技术优势，已建立肖特基、快恢复、单双向可控硅、全品类MOS、IGBT、IPM模块、PM模块、碳化硅器件等国内齐全、且具有竞争优势的功率半导体器件产品体系，正逐步由器件供应商向整体解决方案供应商转变；公司积极向新能源汽车、变频家电、工业、光伏等战略性新兴领域快速拓展，并已取得良好效果；同时，公司布局上下游领域，加速建设完整、有韧性的半导体产业链，为公司持续高质量发展奠定了坚实的基础。 二、报告期内核心竞争力分析 √适用□不适用 公司经过近60年的不断积累、完善提升，已成为国内技术领先、产品种类完备的功率半导体器件IDM公司，拥有170余项功率器件领域的核心专利，涵盖产品设计、工艺制造、封装和模块等方面，被评为国家企业技术中心、国家知识产权示范企业、国家级绿色工厂、国家博士后科研工作站、CNAS国家认可实验室。雄厚的研发实力、强大的生产制造能力、先进的工艺技术平台、优秀的产品品质、迅捷的专业服务，为企业赢得了良好的市场口碑。 1.研发创新优势 公司坚持创新引领，在功率半导体器件领域深耕细作，持续创新技术、迭代产品，推动公司向功率半导体器件中高端领域快速拓展；目前公司已掌握众多高端功率半导体器件的核心设计技术、工艺控制技术等，如VLD终端、1700V以上高压产品技术、深槽刻蚀技术、薄片加工技术、少 子寿命控制技术、BJT产品集成多晶电阻技术、PM和IPM模块封装技术、外延技术、SiCMOS和GaNHEMT的设计和应用技术等，具备全面服务汽车、工业、家电、绿色能源产业技术发展的能力。 2.生产制造优势 公司具备国内领先的制造能力，拥有4至8英寸等多条功率半导体晶圆生产线。报告期内， 芯片加工能力每年400万片，封装资源每年24亿支，模块每年6,000万块。公司积极布局上下游领域，垂直打通半导体产业链，加速形成强大、完善的半导体产业体系，实现半导体自主可控。 3.营销策略优势 公司持续推行技术营销模式，以市场与销售为引领，依托先进的技术平台，深化技术营销模式，使产品持续满足快速变化的市场需求，促进市场占有率提升。随着公司研发投入的不断增加，技术营销效果突出，在战略性新兴产业中发力明显，这将成为公司未来成长非常重要的核心竞争力。 4.企业资源优势 公司具备强大的硬件基础，具有功能齐备的实验中心、CNAS国家认可实验室，被认证为国家企业技术中心；公司具备独特的地域优势，地处“中国最适宜建厂的城市”——吉林市，稳定的产业技术人才资源以及充沛的水力、电力保障，使公司拥有功率半导体制造最为宝贵的“资源优势”。 5.管理创新优势 公司持续推进以产品结构、市场结构、客户结构“三项结构调整”为主导的发展战略，拉动企业转型升级，引领行业发展；坚持管理创新，通过职能整合、流程优化，提升公司的经营质量与运营效果，通