海外硬科技龙头复盘研究系列之八：电子行业：借鉴日韩“产、官、学”成功经验，给大基金三期投资带来哪些启示？

行业研究 东兴证券股份有限公司证券研究报告 2024年7月31日 行业报告 电子 看好/维持 电子行业：借鉴日韩“产、官、学”成功经验，给大基金三期投资带来哪些启示？ 分析师 刘航电话：021-25102913邮箱：liuhang-yjs@dxzq.net.cn 执业证书编号：S1480522060001 ——海外硬科技龙头复盘研究系列之八 投资摘要： 大基金三期相对于此前两期，有何不同？2024年5月24日国家集成电路产业投资基金三期（简称“大基金三期”）成立， 注册资本为3440亿元，支持人工智能芯片、先进半导体设备和半导体材料等领域的发展。与大基金一期和二期相比，大基金三期在注册资本有了显著提升。为了更好地适应集成电路产业的特点，大基金三期在投资期限上进行了显著调整，将存续期限延长至15年。大基金二期相比于一期基金，在投资领域上更加多元化，重点解决行业卡脖子问题。通过支持龙头公司和提高国产替代化率，大基金二期有力推动了中国集成电路产业的自主创新和高质量发展。随着大基金三期的成立，投资领域将进一步拓宽，增加对半导体产业链卡脖子环节的支持的同时，AI相关芯片、算力芯片等或成为大基金三期投资的重点。大基金通过延长投资期限和优化投资布局，支持集成电路产业长期发展，这些投资不仅有助于提升产业链的整体竞争力，也为我国集成电路产业的持续创新和攻坚奠定了基础。 借鉴日韩成功经验，对我国的集成电路行业投资有何启示？ 日本“产、官、学”体系突破美国技术封锁，半导体材料与设备异军突起。日本“产、官、学”体系诞生，奠定了日本半导体产业竞争力基础。1975年以来的VLSI项目给日本半导体行业提供重要支持，90年代日本市场份额达到世界第一，1990 年在世界前十大半导体厂商中，日本厂商占据6席。此外，VLSI项目极大推动日本半导体行业的发展，特别是对上游材料和设备的投入，为后来日本半导体设备和材料发展打下坚实的基础。1975-1997年，美国对日本开展“301调查”，随着美日贸 易摩擦加剧，日本半导体行业市场占有率下降。但另外一方面，技术和经济封锁等背景下，日本厂商重心由半导体产品转向半导体设备与材料，日半导体材料维持世界领先地位。我国目前半导体产业所处阶段与1990年的日本半导体产业有一定的相似之处，借鉴日本“产、官、学”经验，我们得到以下结论：（1）政府积极牵头引导，为后续龙头公司崛起起到了至关重要的作用；（2）随着大国崛起，贸易摩擦和技术封锁可能会常态化，应当扩大对半导体上游设备与材料的投入，重点解决“卡脖子”问题。 为扶持韩国本土半导体产业发展，韩国政府陆续出台一系列的政策，并通过“官民一体”的方式支持半导体行业发展。在半导体产业化的过程中，韩国政府推动“政府+财团”的经济发展模式，推动了“资金+技术+人才”的高效融合。1983-1987 年韩国实施“半导体工业振兴计划”，韩国政府共投入了3.46亿美元的贷款，并激发了20亿美元的私人投资。1987年以来韩国厂商DRAM市场份额逐步提升，三星电子通过多次逆周期投资扩产，成为了全球DRAM龙头。通过回顾韩国DRAM发展历程与全球龙头三星电子的成功之路，我们认为：①半导体行业乃大国重器，需要持续不断地进行技术、人才和资本方面的支持，韩国通过顶层设计支持半导体行业发展，三星跃居成为DRAM内存世界龙头；②半导体制造逆周期投资至关重要，通过持续加大逆周期投资，龙头公司竞争力与市场占有率有望提升。 投资策略：当下半导体行业产业周期与政策周期共振，借鉴日韩“政府+财团”模式的成功经验，我们看好以下半导体投资赛道： ②受益于半导体产业转移，全球竞争力与市占率提升，受益标的：中芯国际、华虹公司、兆易创新、长电科技、晶合集成等； ③解决卡脖子环节，例如上游半导体材料与设备领域，推荐沪硅产业、江丰电子，受益标的：北方华创、中微公司、拓荆科技、盛美上海、彤程新材、晶瑞电材、南大光电等； ④AI芯片赛道，受益标的：寒武纪、海光信息、澜起科技、德明利等； ⑤先进封装赛道，推荐耐科装备，受益标的：长电科技、通富微电、深科技、天承科技等。风险提示：产品价格波动、行业景气度下行、行业竞争加剧、中美贸易摩擦加剧。 P2东兴证券深度报告 电子行业：借鉴日韩“产、官、学”成功经验，给大基金三期投资带来哪些启示？ 目录 1.大基金三期相对于此前两期，有何不同？3 2.借鉴日韩成功经验，对我国的集成电路行业投资有何启示？4 2.1日本“产、官、学”体系突破美国技术封锁，半导体材料与设备厂商异军突起4 2.2韩国“政府+财团”模式：通过持续逆周期投资，DRAM领域站上全球之巅7 3.投资建议8 4.风险提示9 相关报告汇总10 插图目录 图1：大基金一期主要投资集成电路制造和设计领域4 图2：1975年以来的VLSI项目给日本半导体行业提供重要支持，90年代日本市场份额达到世界第一5 图3：1983年以来，通过持续性地逆周期投资，韩国厂商逐步掌握DRAM市场份额7 图4：1987年以来韩国DRAM市场份额逐步提升，1998年超越日本8 表格目录 表1：大基金三期股权结构3 表2：1990年世界前十大半导体厂商中，日本厂商占据6席5 表3：日本半导体前段工艺多种材料市场占比超过50%6 P3 东兴证券深度报告 电子行业：借鉴日韩“产、官、学”成功经验，给大基金三期投资带来哪些启示？ 1.大基金三期相对于此前两期，有何不同？ 2024年5月24日，国家集成电路产业投资基金（简称“大基金”）三期成立，注册资本高达3440亿元， 支持人工智能芯片、先进半导体设备和半导体材料等领域的发展。2024年5月24日，国家集成电路产业投 资基金三期股份有限公司正式注册成立，注册资本为3440亿元，其中中国银行、建设银行、农业银行和工 商银行分别注资215亿元。通过资金投入和战略支持，大基金三期有望在人工智能芯片、先进半导体设备和半导体材料等领域实现突破，提升中国集成电路产业的自主创新能力和全球竞争力。 与大基金一期，二期相比，大基金三期在注册资本有了显著提升。大基金一期成立于2014年9月，注册资 本为987.2亿元人民币。大基金一期由多家国有企业，包括中国烟草、国家开发银行、中国移动等共同发起。在大基金一期的股权结构中，财政部持股36.47%，国开金融持股22.29%，中国烟草和中国移动分别持股11.14%和5.06%。大基金二期于2019年10月22日注册成立，与大基金一期的注册资本相比，大基金二期 的注册资本增至2041.5亿元，而大基金三期注册资本提升更加明显。 表1：大基金三期股权结构 序号 股东名称 出资额（亿元） 持股比例 1 中华人民共和国财政部 600 17.44% 2 国开金融有限公司 360 10.47% 3 上海国盛（集团）有限公司 300 8.72% 4 中国工商银行股份有限公司 215 6.25% 5 中国建设银行股份有限公司 215 6.25% 6 中国农业银行股份有限公司 215 6.25% 7 中国银行股份有限公司 215 6.25% 8 交通银行股份有限公司 200 5.81% 9 北京亦庄国际投资发展有限公司 200 5.81% 10 深圳市鲲鹏股权投资有限公司 170 4.94% 资料来源：同花顺，东兴证券研究所 为了更好地适应集成电路产业长周期投资的特点，大基金三期在投资期限上进行了显著调整，将存续期限延长至15年。与大基金一期和二期的10年存续期限相比，大基金三期将存续期限延长至15年。集成电路作为资金、技术和人才密集型产业，需要长期大量资金支持研发和生产，其投资特点包括规模大、回报周期长以及显著的规模效应。大基金三期不仅延长了经营年限，进一步体现了大基金三期作为“耐心资本”的特征。 P4东兴证券深度报告 电子行业：借鉴日韩“产、官、学”成功经验，给大基金三期投资带来哪些启示？ 大基金的投资布局不断优化和调整，大基金一期的投资主要集中在集成电路制造方向。大基金一期的投资主要集中在集成电路制造（占67%）、设计（占17%）、封测（占10%）和装备材料类（占6%），重点投资存储器和先进工艺生产线。可以明显看出，第一期国家大基金以制造为主线，走的是一条自上而下带动产业链发展的路线。 而大基金二期相比于一期基金，在投资领域上更加多元化，解决行业卡脖子问题。大基金二期主要投向芯片制造及设备材料、芯片设计、封装测试、装备、零部件、材料等产业链环节，布局核心设备以及关键零部件，以保障芯片产业链安全。在投资策略上，二期基金更注重产业整体协同发展和填补技术空白。通过支持龙头公司发展和提高国产化率，大基金二期有力推动了中国集成电路产业的自主创新和高质量发展。 图1：大基金一期主要投资集成电路制造和设计领域 集成电路制造设计封测装备材料类 10% 6% 17% 67% 资料来源：集微网，立鼎产业研究网，东兴证券研究所 随着大基金三期的成立，投资领域将进一步拓宽，增加对半导体产业链卡脖子环节的支持，随着人工智能和数字经济领域的加速发展，AI相关芯片、算力芯片等或成为大基金三期投资的新重点。大基金三期秉承“扶持中国芯片产业、推动国产化进程”的宗旨，加大对核心技术和关键零部件的投资力度。除了制造、设备和材料等细分领域，随着人工智能和数字经济领域的加速发展，AI相关芯片、算力芯片等或成为大基金三期投资的重点。 综上所述，大基金通过延长投资期限和优化投资布局，支持集成电路产业长期发展，这些投资不仅有助于提升产业链的整体竞争力，也为我国集成电路产业的持续创新和技术突破奠定了基础。 2.借鉴日韩成功经验，对我国的集成电路行业投资有何启示？ 2.1日本“产、官、学”体系突破美国技术封锁，半导体材料与设备厂商异军突起 日本“产、官、学”相互协作体系诞生，奠定了日本半导体产业竞争力基础。1976年，由日本通产省发起投资超大规模集成电路项目（简称VLSI项目），其下属相关实验室联合日立、三菱、富士通、东芝与日本电器五家企业，总计投资720亿日元成立共同研究所，一致研究基础性、通用性技术，其中六项课题为微精细加工技术、结晶技术、设计技术、工艺技术、检验评价与元件技术。 P5 东兴证券深度报告 电子行业：借鉴日韩“产、官、学”成功经验，给大基金三期投资带来哪些启示？ VLSI项目对于后续日本半导体行业的发展产生了重大的影响。VLSI项目结束于1980年，4年期间，研究所产出了约1000来项专利，在多项领域赶超美国，例如制造出256K存储器DRAM。1975年以来的VLSI项目给日本半导体行业提供重要支持，1990年世界前十大半导体厂商中，日本厂商占据6席。此外，VLSI项目极大推动日本半导体行业的发展，特别是对于上游材料和设备的投入，为后来日本上游的设备和材料崛起打下坚实的基础。 图2：1975年以来的VLSI项目给日本半导体行业提供重要支持，90年代日本市场份额达到世界第一 资料来源：智东西，东兴证券研究所 表2：1990年世界前十大半导体厂商中，日本厂商占据6席 排名1985年1990年1995年 1 NEC 日本 NEC 日本 英特尔 美国 2 TI 美国 东芝 日本 NEC 日本 3 摩托罗拉 美国 日立 日本 东芝 日本 4 日立 日本 英特尔 美国 日立 日本 5 东芝 日本 摩托罗拉 美国 摩托罗拉 美国 6 富士通 日本 富士通 日本 三星 韩国 7 飞利浦 荷兰 三菱 日本 TI 美国 8 英特尔 美国 TI 美国 IBM 美国 9 NS 美国 飞利浦 荷兰 松下 日本 10 松下 日本 松下 日本 现代 韩国 资料来源：ICInsights，智东西，东兴证券研究所 伴随着日本半导体产业快速发展，在1975-1997年，美国对日本开展“301调查”，随着美日贸易摩擦加剧，日本半导体行业市场占有率下降。20世纪80年代，美国为延缓日本DRAM产业的发展，向产自日本的DRAM产品征收了100%反倾销税，降缓了日本DRAM产品的发展速度。在1