三星HBM3e英伟达认证情况对手良率产能进度等交流纪要以下

以下是专家观点：Q：HBM3e目前情况如何？ A：在4.5月的时候有出现一个问题，在TCBbonding这一道工序，生产的配方有问题，大概有10天的产能受到影响。 因未能按约定出货，预计罚款加货的成本需赔偿6-7亿美金。 M公司目前HBM3e的主要客户是英三星HBM3e英伟达认证情况、对手良率、产能进度等交流纪要 以下是专家观点：Q：HBM3e目前情况如何？ A：在4.5月的时候有出现一个问题，在TCBbonding这一道工序，生产的配方有问题，大概有10天的产能受到影响。 因未能按约定出货，预计罚款加货的成本需赔偿6-7亿美金。 M公司目前HBM3e的主要客户是英伟达，供给H200这款产品。 Q：有传闻说英伟达H200取消了一些客户订单，是因为HBM3e供货出了问题，问题是出现M公司这边吗？ A：是的，海力士的良率已经80%多，目前M公司可能不到60%。Q：生产问题跟地震有关系吗？A：无关，只是制程上工程师出了一点问题，工程师需要去用一个新的配方，去coverShinkawa（TCB工艺）原本的问题，但这个新配方有问题，因此有10天的产能都用了错的 配方，所以那些货都不能出给客户，之前出给客户的有被客诉，所以HBM3e的良率一直没有很好。 Q：之前M公司生产也有一点问题，但是当时说换成Brewer的胶之后，良率就提升上去了。 A：对的，可是换了胶之后，之前pillar受损的问题又回来了。Q：您认为这个问题会反应在这一季的财报上吗？A：根据之前的经验，今年年初在西安的封测厂，其实也有一个赔了6-7亿美金的事件，一样也是修改配方出现错误，生产出来的产品流到客户端全部不能用。 但这件事并没有反映到财报上。 只能说根据之前的经验是这样，不确定这次会不会反应到财报上。Q：HBM3e现在有正式出货吗？ A：有。 因为SUSS机台交机的日程有delay，所以它的产能现在是预计到年底是18-20Kwpm，明年40kwpm。 Q：之前SUSS调研显示，M公司今年下了12-13台订单，今年Q3就会入场。A：对。 现在机台进来需要装机，接水电，然后验机。 现在其实才验到第3或者第4台，所以就是delay。 然后机台状况也没有很稳，即便是本来有在生产的机台。Q：状况不稳是什么意思？ A：在生产过程中，比如说一台机台需要保养，原本可能可以生产200片再做保养，但由于机 台状况不稳，可能生产100片就要去做保养，所以产能利用率（UTR）自然下降。Q：所以是process上出现了问题？A：是的，材料也要是有问题，因为材料品质没有很稳定。 Q：是TemporaryBonder的材料还是MUF的材料？A：TemporaryBonder。 Q：那会换成TOK东京应化的吗？ A：因为基本上现在HBM3e已经交给量产部门，所以现在再要更换材料是很难的，只能从既有的材料和生产的配方是改善，但其实改善效果不大。Q：为什么海力士一直很稳定，没出现过什么问题？ A：因为海力士从HBM2开始就有量产经验，所以这些问题已经克服。Q：现在一个cube或者每Gb的价格如何？A：定价不太清楚，只清楚目前的产能。 正常来说，HBM一个晶片的大小是两倍的DDR5的面积。 但是M公司由于良率较差，一个HBM晶片的面积会是三倍DDR5的大小。目前台中引进了第五代10nmDRAM技术给HBM用。 原本是在日本做，因为日本算是研发厂，现在已经在做第六代，以代号来说就是1γ，现在量产的是1β。 如果是说第几代的话，β是10nm的第五代，γ是10nm的第六代。 因为HBM由于后道的良率不好需要很多wafer，所以台中这边做DRAM的F16已经在计划转向第五代的技术，供HBM使用。 Q：这些对M公司的影响是什么？ A：供生产HBM用的wafer的量变多，产能明年会提高。因为M公司做DRAM的主要地方是桃园跟台中。 之前是在日本广岛做，先进封装就只有台中一个。Q：HBM4/4e/12-Hi的产品进度如何？ A：HBM3e的12-Hi，5月底已经投入量产，虽然目前量产还是以8-Hi为主。 某种程度来讲，12-Hi的良率会好于8-Hi，因为12-Hi要叠比较多层，需要的TSV路径应该就比较短，原本8-Hi的TSV路径较长，在前面DRAM的制程要挖这么长的TSV，可能会存在铜填充不满的问题，会有一些特殊的缺陷。 这是由于M公司自身的技术问题导致。 但以12-Hi的TSV的size来说，这个问题就自然消失不见，因为它比较短。Q：明年英伟达的B200Ultra是12-Hi的产品吗？ A：应该是，不确定。 目前12-Hi西安M公司已经投入量产，拿去做验证，验证的时长按照正常流程来看预计9月或者年底通过。 Q：所以目前HBM3e用的1β没有用EUV；HBM4用的是1γ，用了EUV？A：对，目前HBM4日本正在做工程流片的用的都是1γ。 Q：桃园做1α，台中做1β，桃园做1γ，所以HBM4是在桃园做吗？A：理论上应该是这样。 Q：HBM4/4e/4k还没有时间线吗？A：还在研发中。 4本身是8层；e和k一个12层，一个16层，16层一定要用新的hybridbond的技术，以目前来看，技术方面有遇到瓶颈。Q：听说海力士4e还是用TC不用hybridbond。 A：因为hybridbond真的蛮难。 海力士在HBM4的时候会采用fan-out的封装方式，就是在cowos的时候再加上fan-out。 Q：HBM3e良率可以达到60%吗？A：没有。 应该可以达到55%，因为为了防止客诉，现在制程中间每一个环节都要检测。Q：DRAM价格环比增长可以达到17%吗？ A：预计10-15%左右。 Q：DRAMunits（Gb数）环比增长有2%吗？是否会受到地震的影响？A：地震没有影响，是谣言。 DRAM目前产能抓得很紧，内部有算FY3QDDR5价格大概上涨10-15%。Q：DDR5目前产能利用率如何？ A：前段没有那么清楚，大概在80%左右。Q：bit个数会增长很多吗？ 或者说第二季的出货量会比第一季的出货量大吗？A：bit个数不太会算。 出货量预估会大。 Q：NAND在FY3Q的价格情况如何？ A：NAND在FY3Q预计上涨8%左右，在5-10%之间。 还有市场上有些人说NAND可以去做DRAM的产品，是谣言，它们的机台差很多。Q：NAND涨价幅度低于预期的原因是为什么？ 口径下调的原因是什么？A：这是最新的预估结果，不清楚具体原因，根据内部目前工厂情况来看就是这样，然后预计FY3Q/4Q价格增长会放缓。 Q：还有什么工厂里的情况需要注意？A：最近的火灾不影响生产，因此不会影响到利润；地震也没有造成什么影响；然后就是先进封装这边的赔偿6-7亿美金的事件；工厂Bonder交机delay；有几个高管因内部管理问 题下台。Q：英伟达如何反馈？ A：客户不清楚，英伟达对接的是BU的单位。Q：是否了解台积电的涨价情况？A：目前听到的也是英伟达接受台积电的涨价，苹果不接受。Q：三星进展如何？ A：三星现在一直没有过验证，是由于过热问题，因为三星使用的材料还是有问题。但三星一直过不了验证跟台积电无关，只是技术问题。 因为要通过验证需要拿去台积电做cowos的工作，市场上有人谣传说台积电担心三星做大，故意不让三星通过验证，但是这是谣言。 Q：所以验证的决定权是台积电而不是英伟达吗？A：是英伟达会设下一个标准，这个标准在台积电执行。Q：是否了解台积电的最新情况？ A：台积电目前hybridbonding也是正在研发中还没有量产。 Hybridbonding目前还没有公司有一条真正的量产线，虽然以前有两款产品，但那是很久以前了。 三星用的hybridbonding的机台是三星旗下子公司SEMES的；海力士是Hamni、ASMPT、Hanhua、BESI、TEL还在评估中，因为hybridbonding有两种，一种是chiponwafer，die直接hybridbon ding到wafer上面，另一种是wafertowafer，两片wafer 直接绑起来；台积电是用BESI、EVG，还有SUSS，但SUSS太慢了。Q：Hybridbonding的throughput？ A：hybridbonding其实也有分层，看需要bond几层。目前，大家进度基本就是两片叠在一起。 关于chiponwafer的throughput，假设一个wafer上有5 70个gooddie，然后一个die上面bond一个wafer，目前一个小时可以弄4000个左右。 Q：最后再确认下M公司HBM产能的问题。 A：今年预计可以达到18kwpm，dieperwafer570，良率大概60 -70%，相当于goodcellsperwafer370，highofstacking算9，后道的良率约50%。 今年年底预计18-20kwpm，明年年底会翻倍到40kwpm。目前的5-6月大概有4.5kwpm，7-8月需要看机台情况。Q：明年的良率可以提升到80%吗？ A：不可能。 Q：chip有机台或者材料的问题吗？ A：就是Shinkawa这一台机台的问题，这一台diestacking是最关键的步骤，但是这一台一直叠不好。 之前说HBM4采用Hamni，现在是想要HBM3e就引进Hamni，但应该是来不及。 总结waferlabel的问题，就是材料影响良率，SUSS机台delay影响产能。 Chip方面是由于Shinkawa机器的问题以及生产配方的问题。Q：stacking问题是精准度的问题吗？ A：是精准度的问题。 认为是硬体方面的问题，可这次损失跟硬体无关。