电子行业2024年中期策略报告创新不止，AI已来

证券研究报告 创新不止，AI已来 ——电子行业2024年中期策略报告 电子行业强于大市(维持) 平安证券研究所电子团队 分析师：徐勇投资咨询资格编号S1060519090004邮箱：xuyong318@pingan.com.cn 分析师：付强投资咨询资格编号S1060520070001邮箱：fuqiang021@pingan.com.cn 分析师：郭冠君投资咨询资格编号S1060524050003邮箱：GUOGUANJUN625@pingan.com.cn 分析师：徐碧云投资咨询资格编号S1060523070002邮箱：XUBIYUN372@pingan.com.cn 2024年6月21日 请务必阅读正文后免责条款 展望2024年下半年，一方面，半导体行业作为信息技术产业的基石，对于国家安全和经济发展具有举足轻重的意义，国产替代将成为我国半导体市场长期的主旋律；另一方面，智能手机进入存量博弈阶段，折叠屏产品、AI手机及AIPC等产品正在兴起，有望给产业链带来新的发展机遇。因此，维持电子行业“强于大市”的评级。 制造强国&自主可控背景下，关注设备国产替代机会：1）政策扶植力度加码：中美贸易摩擦后供应链安全逐步被重视，同时在国家政策和资金扶持引导下，国内企业自主创新能力会进一步提升。另外，制造强国也是国家建设需要，半导体制造值得期待；2）国产核心芯片自给率不足10%，制造环节是重要短板：国内半导体需求供给严重不平衡，高度依赖进口，国产核心芯片自给率不足10%。相比国 内半导体销售31%的份额占比，生产制造环节（晶圆代工市场份额占比不到10%）是制约国内集成电路产业发展的最大短板。3）国产设备验证及导入全面提速：长期来看半导体等核心技术的国产化需求凸显，国内产业链企业有意提升国产化率，给国内半导体企业更多机会，建议关注国产化设备及材料导入带来的机会。 新品频发，拥抱“AI+”：1）折叠屏手机频发：目前除苹果外其他品牌已完成折叠屏手机的布局，Counterpoint预计2025年全球折叠屏手机出货量达到5000万台，关注产业链机会；2)2024年AI手机元年：目前手机端还未出现真正重量级的AI应用，但厂商围绕AI影像、智能通话、智能搜索等功能已经提前布局AI应用，2024年起新一代AI手机渗透率将持续提升，带动新一轮换机潮；3）AIPC产品逐步上市：当前AI大模型主要还是运行在云端，终端设备需要联网才能获得AI能力的加持。对于AIPC的发展潜力，各品牌整机厂商纷纷 加码AIPC产品。随着AICPU与Windows12的发布，2024年将成为AIPC规模性出货的元年，根据群智预计2024-2027年全球AIPC整机出货量开启高速增长，24-27年年复合增速到达126%，2026年AIPC出货达到1.1亿台，渗透率到达56%，全球PC产业将稳步迈入AI时代。 投资建议：看好产业自主可控长期趋势，建议关注半导体行业公司中微公司、北方华创、拓荆科技、精测电子和芯源微；看好AI智能化带来零组件机会，建议关注立讯精密、鹏鼎控股、统联精密、奥来德、莱特光电、珠海冠宇、蓝思科技和新益昌。 风险提示：1）宏观经济波动风险；2）产品技术更新风险；3）国产替代不及预期；4）美国制裁升级风险。 资料来源：平安证券研究所 目录CONTENTS 市场回顾：电子行业年初至今跑输沪深300指数11.41个百分点 芯片：产业链自主可控，持续关注设备国产化 新品：创新不止，AI赋能办公、生活等多重场景 投资建议及风险提升 2024年上半年A股电子指数整体呈现震荡下行趋势，截至6月14日申万电子指数下跌8.19%，同期上证综指上涨1.94%，沪深300指数上涨3.22%，申万电子跑输沪深300指数11.41pct，在申万板块一级中排名第16位。 电子行业年初至今跑输沪深300指数11.41个百分点申万板块一级中排名第16位 截止6月14日，美国费城半导体上涨34.08%，纳斯达克指数上涨17.84%，跑赢纳斯达克指数16.24pct；中国台湾地区，台湾电子板块上涨34.41%，跑输台湾50指数-0.35pct。 美国费城半导体上涨34.08%台湾电子板块上涨34.41% 截止到6月14日，申万电子板块PE（TTM）为56倍，处于过去5年中79%左右的分位（最高值为65，最低值为20），主要是经济趋缓及美联储降息预期背景下，高股息及黄金等周期等更受到市场关注。 子板块涨跌幅分化：年初至今元件上涨7.25%，消费电子、半导体、其他电子、电子化学品、光学光电子跌幅分别为 5.33%、10.23%、11.72%、12.30%、13.25%。 申万电子板块PE（TTM）为56倍除元件外子板块均呈现不同程度的下跌 备注：沪深300在右轴，创业板及电子在左轴 下游需求修复，营收增速回正：随着手机、笔记本电脑等下游终端需求修复，电子行业营收增速回正。2024第一季度电子行业营收达到7948亿元，同比增长12%。分子领域来看，消费电子、半导体、显示器件、被动元器件、PCB、安防和LED2024第一季度营收分别为3765元、1499亿元、1354亿元、108亿元、417亿元、240亿元和427亿元，同比增速分别为14%、18%、10%、-4%、12%、8%和-13%。 申万电子季度营收及增速申万电子各子领域营收占比申万电子各子领域营收增速 利润端修复：2024第一季度电子行业利润达到317亿元，同比增长40%。分子领域来看，消费电子、半导体、显示器件、被动元器件、PCB、安防和LED2024第一季度利润分别为147亿元、72亿元、2亿元、15亿元、30亿元、25亿元和9亿元，总比增速分别为46%、23%、1%、5%、9%、8%和3%。 电子行业季度归母净利及增速 电子行业季度毛利率和净利率 申万电子各子领域归母净利占比 展望2024年下半年：AI终端渗透率提升，半导体触底回升，手机渠道库存回落，AI手机和AIPC渗透率持续提升。半导体设备受益于国产晶圆厂扩产，厂商营收有望维持高增态势。 目录CONTENTS 市场回顾：电子行业年初至今跑输沪深300指数11.41个百分点 芯片：产业链自主可控，持续关注设备国产化 新品：创新不止，AI赋能办公、生活等多重场景 投资建议及风险提示 0 23年行业周期低点，24年恢复正增长：一方面，半导体广泛渗透于信息、通信、计算机、消费电子、汽车等各个领域，半导体产品对人们的日常生活和消费形态产生了显著的影响。长期来看，半导体行业的增速波动与全球GDP波动的相关性呈现高度一致；另外一方面，半导体产业链分工的出现使得行业出现了以核心企业的产能波动为主导的供给周期。宏观经济表征的需求周期和主要半导体公司产能波动的供给周期两个因素共同叠加，构成半导体产业的需求、供给周期。2019-2021年受益于光伏及汽车电动化渗透率的提升，半导体景气度提升，2022-2023年手机等消费电子销售疲软拖累了半导体的表现，随着行业库存下降及行业需求恢复，预计23年是行业周期低点，24年半导体恢复正增长。 全球半导体销售额及增速全球半导体不同领域销售额增速对比 资料来源：omdia、群智，平安证券研究所 中国是全球最大市场，占比1/3：根据wind数据显示，2019Q1-2024Q1每个季度全球半导体销售额在1000-1500亿美元左右，而中国的半导体销售额在350-450亿美元左右，全球占比在30%-35%之间。其中物联网、车联网等理念驱动下持续创新的电子产品销量的增长起到了重要的推动作用，如智能家居设备、便携式电子设备、基于车联网的车载电子设备等。另外，随着中国成为重要的智能终端销售市场，国内半导体销售额在全球的占比也在逐步提升，2014年第一季度时占比只有26%左右，到2024年Q1中国半导体销售额在全球范围内的占比达到31%。 全球半导体销售及增速中国半导体销售及增速 资料来源：wind，平安证券研究所 日本加码，将23种半导体制造设备列入限制清单：5月23日日本经济产业省公布外汇法法令修正案，正式将先进芯片制造设备等23个品类纳入出口管制，该管制将在7月23日生效。日本经济产业省发布的清单涉及清洗、成膜、热处理、曝光、蚀刻、检查等23个种类，包括极紫外（EUV）相关产品的制造设备和三维堆叠存储器的蚀刻设备等。 日本6大类23种半导体限制设备清单 涉及工艺 细分种类 序号 光刻类（4类） 用于EUV曝光的护膜（Pellicle） 1 用于EUV曝光的护膜（Pellicle）的生产设备 2 用于EUV曝光的光刻胶涂覆、显影设备（CoaterDeveloper） 3 用于处理晶圆的步进重复式、步进扫描式光刻机设备（光源波长为193纳米以上、且光源波长乘以0.25再除以数值孔径得到的数值为45及以下） 4 干法清洗设备、湿法清 洗设备（3类） 在0.01Pa以下的真空状态下，除去高分子残渣、氧化铜膜，形成铜膜的设备 5 在除去晶圆表面氧化膜的前道处理工序中所使用的、用于干法蚀刻（DryEtch）的多反应腔(Multi-chamber)设备 6 单片式湿法清洗设备（在晶圆表面性质改变后，进行干燥） 7 蚀刻（3类） 属于向性蚀刻(IsotropicEtching)设备，且硅锗（SiGe）和硅（Si）的选择比为100以上的设备；属于异向性(AnisotropicEtching)刻蚀设备，且含高频脉冲输�电源，以及含有切换时间不足300m秒的高速切换阀和静电吸盘（Chuck）的设备 8 湿法蚀刻设备，且硅锗（SiGe）和硅（Si）的蚀刻选择比为100以上 9 为异向性蚀刻设备，且蚀刻介电材料的蚀刻尺寸而言，蚀刻深度与蚀刻宽度的比率大于30倍、而且蚀刻幅宽度低于100纳米。含有高速脉冲输�电源、切换时间不足300m秒的高速切换阀的设备 10 成膜设备（11类） 利用电镀形成钴（Co）膜的设备：利用自下而上（Bottom-up）成膜技术，填充钴（Co）或者钨（W）时，填充的金属的空隙、或者接缝的最大尺寸为3纳米以下的CVD设备 11 在压力为0.01Pa以下的真空状态下(或者惰性环境下)，不采用阻障层（Barrier），有选择性地生长钨（W）或者钼（Mo）的成膜设备 12 在保持晶圆温度为20度一一500度的同时，利用有机金属化合物，形成钌（Ru）膜的设备 13 空间原子层沉积设备（仅限于支持与旋转轴晶圆的设备）：1）利用等离子，形成原子层膜。（2）带等离子源。（3）具有将等离子体封闭在等离子照射区域的“等离子屏蔽体（PlasmaShield）”或相关技术手法 14 可在400度一一650度温度下成膜的设备，或者利用其他空间（与晶圆不在同一空间）内产生的自由基(Radical)产生化学反应，从而形成薄膜的设备，以下所有可形成硅（Si）或碳（C）膜的设备属于限制�口范围：（1）相对介电常数（RelativePermittivity）低于5.3。（2）对水平方向孔径部分尺寸不满70纳米的线路而言，其与线路深度的比超过五倍。（3）线路的线距（Pitch）为100纳米以下 15 利用离子束（IonBeam）蒸镀或者物理气相生长法(PVD)工艺，形成多层反射膜(用于极紫外集成电路制造设备的掩膜)的设备 16 用于硅（Si）或者硅锗（SiGe）（包括添加了碳的材料）外延生长的以下所有设备属于管控范围。（1）拥有多个腔体，在多个工序之间，可以保持0.01Pa以下的真空状态（或者在水和氧的分压低于0.01Pa的惰性环境）的设备。（2）用于半导体前段制程，带有为净化晶圆表面而设计的腔体的设备。（3）外延生长的工作温度在685度以下的设备 17 可利用等离子技术，形成厚度超过100纳米、而且应力低于450MPa的碳硬掩膜（CarbonHardMask）的设备 18 可利用原子层沉积法或者化学气相法，形成钨（W）膜（仅限每立方厘米内氟原子数量低于1019个）的设备 19 为