全球内存技术

全球内存技术 每周主题：1月出口强劲，2月现货反弹， HBMEUV，三星重新评级 行业概述 可访问版本 韩国1月份的半成品出口同比增长56％ 韩国’ssemis出口增长率从11月/12月的+13%/+22%加速到 1月+56%（绝对金额94亿美元）。主要贡献者可能是ASP上涨（10%+MoM或30%+YoY ）和组合改进–与商品DDR4相比，运输更昂贵的HBM3和DDR5。我们还观察到更多增值NAND产品出口，而不仅仅是制造晶圆(或原始芯片)。这远高于2019年低迷后的2020-21增长率(10-30%)。自2月以来，出口将类似于1月’在90亿美元+/-（与一年前的60亿美元相比）的水平或略低（工作日减少），我们预计50％以上的增长率将是可持续的。一旦我们将Jan出口数据输入到我们的内存指标中，出口指数显示为121或上升周期，超过周期中期100。低谷在2023年1月至4月72 -74（20年低点；参见图表13）。 DRAM和NAND现货强度可能会继续 本周内存现货价格在512GbNAND（+7%WoW）和16GbDDR5（+2%）的带动下稳步上涨。这与内 存上升周期一致–OEM’在农历新年假期或对芯片价格上涨的担忧之前，渠道库存重新库存。由于内存芯片制造商仍保持较低的利用率水平，而需求逐渐恢复（每盒内容也出现增长），我们预计即使在2月2日也将出现5％以上的现货价格反弹 除了三星之外，更多适用于HynixHBM3e的EUV工具 OurchannelcheckindicatesSKHynixisactivelyincreasingitsEUVcapacityforHBM3e(1bnodevsjust 02二月2024 Equity全球技术 SimonWoo,CFA>>研究分析师美林(首尔) +82237070554 戴神>>研究分析师 美林(香港)dai.shen@bofa.com VivekArya研究分析师BofASvivek.arya@bofa.com 平川美雄>>研究分析师BofASJapan MattShin>>研究分析师美林(首尔)matt.shin2@bofa.com 1zforHBM3).Wealsolearnedofmgmt’s承诺“交叉”，这意味着HBM3e到2H24年将占HBM总销售额的50％以上，即使初始装运（ HBM3e）仅在1季度后期开始。我们相信Hynix已经在M16工厂运营了4-5台EUV（用于HBM3e和DDR5），但到2024年底可能会达到9-10台。没错，与三星电子相比，这仍然是一个较小的规模’（20+单位的EUV用于DRAM），但海力士’sEUV的提升似乎比行业平均水平强得多 oNVIDIA’订单(HBM3+HBM3e)已超过Hynix’在我们看来，2024年的产能翻了一番。 三星电子的潜在评级为2倍P/B 媒体报道称，韩国政府’t可能会宣布一项新政策（到2月底），使150家上市公司披露其公司治理改 善计划，包括资本回报增加。它强调了这一新举措受到日本的影响’s2023年重新评级进展（更高的P/B倍数与股东回报增加计划）。事实上，一些投资者已经询问三星’s从当前市盈率水平（1.4倍；接近历史平均水平）重新评级。我们的目标市盈率（对于三星’sPO)为1.7x‘24-25BPS，考虑到强劲的盈利周转/增长（2024-25），接近历史波段（1-2倍）的上区间。也就是说，如果三星在未来5年内使用其净现金回购5-10％的流通股，则可能是2.0倍。Mgmt已经宣布延长2024-26年之前的回报政策（FCF的50 ％），但似乎更多的是以现金股息为中心的回报。我们在三星上的购买是基于内存的上升周期。 >>受雇于BofAS的非美国附属公司，并且根据FINRA规则未注册/合格为研究分析师。 请参阅“其他重要披露”，了解某些在特定司法管辖区对此处的信息负责的美国银行证券实体的信息。 BofASecurities确实并寻求与研究报告中涵盖的发行人开展业务。因此，投资者应意识到公司可能存在利益冲突，这可能会影响本报告的客观性。投资者应将本报告视为做出投资决策的唯一因素 。 请参阅第8页至第12页的重要披露。第7页的分析师认证。价格 图表1：现货市场价格 2月复苏后也出现了2月的上涨 US$当前WOW季度环比DRAM现货 16GbDDR5 4.6 2% 11% -9% 16GbDDR4 3.7 0% 22% -6% 8GbDDR4 1.9 1% NAND点512Gb晶圆 3.4 7% 256Gb晶圆 1 4 71% LCD街65"LCD 163 0% -4% 48% 55"LCD 122 0% -3% 47% LCD270%0%1% 资料来源:DRAMeXchange,WitsView,美国银行全球研究 美国银行全球研究 DRAM:动态随机存取存储器 NAND:Not-AND内存AI:人 工智能ASP：平均售价 DDR5：第5代双倍数据速率DRAMEUV:极紫外光刻HBM:高内存带宽HBM3/3e:4/5代HBM OEM：原始设备制造商PO：价格目标 第7页的客观依据/风险。 时间戳：2024年2月2日美国东部时间05:56 12654650 我们每周使用的图表 图表2：16GbDDR5现货价格-每日 在1月2日和2月初恢复良好；进一步的上涨可能会继续 图表3：512GbNAND晶圆现货价格-每周 NAND在平缓的1H-1月后也连续三周恢复 5.5US$16GbDDR5 5.0 4.5 4.0 3.5 1月23日2 月23日3月23 日 4月23 日5月23日6 月23日7月23 日8月23日9 月23日10月23 日11月 23日12 3.0 6US $54 3 2 1 7月19日 10月19日1 月20日4月20日10月20 日1月21日4月21日1月22日4月22 日1月22日1月22日1月23日1月23 日1月23日1 月24日 0 512Gb晶圆点 资料来源:DRAMeXchange，美国银行全球研究 美国银行全球研究 资料来源:DRAMeXchange，美国银行全球研究 美国银行全球研究 图表4：2023年1月至2024年1月的NAND晶圆点与2019年的回升相比，反弹要强劲得多 图表5：NAND现货价格与2019年周转期的比较 2019年NAND现货涨势相对有限，而下半年/1月回升 4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1月23日2 月23日3月23 日 1.0 US$512Gb晶圆点6US$4 512Gb晶圆点5 3 Jan-19 2月19 日3月 4月19 日5月 19日6 月19日 7月19 日8月 19日9 月19日 10月19 2 4月23 日5月23日6 月23日7月23 日8月23日9 月23日10月23 日11月 23日12 资料来源:DRAMeXchange，美国银行全球研究 美国银行全球研究 资料来源:DRAMeXchange，美国银行全球研究 美国银行全球研究 图表6：DDR5现货价格溢价与DDR4 DDR5价格溢价（相对于DDR4）在10月23日达到峰值后的2月初明显下降，但在DDR5 恢复后的1月2日略有恢复 图表7：16GbDDR4现货价格走势 传统DDR4价格在整个1月持续上涨，主要是供应削减驱动 60%DDR5vsDDR4溢价50% 40% 30% 20% 1月23日2月23日3月23日4月23日 5月23 日6月 23日7 月23日 8月23 日9月 23日10 月23日 11月23 日12月 23日 10% 4.5 4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 US$16GbDDR4 资料来源:DRAMeXchange，美国银行全球研究 1月23日2 月23日3月23 日 4月23 日5月23日6 月23日7月23 日8月23日9 月23日10月23 日11月 23日12 美国银行全球研究资料来源:DRAMeXchange，美国银行全球研究 美国银行全球研究 图表8：16GbDDR5现货月平均价格-MoM变化 12月/1月MoM变化转为正值（2-4％）与11月持平 图表9：512GbNAND晶圆现货月平均值-MoM变化 1月价格在2023年11月/12月强劲反弹（月环比为15-30%）后，月环比仅略有增长 （+5%） 8% 4% 0% -4% -8% -12% 2月23 日3月23日4 月23日5月23 日6月23日7 月23日8月23 日9月23日10 月23日 11月23 -16% MoM16GbDDR5 40%MoM512Gb现货 30% 20% 10% 0% -10% -20% 3月19 日5月 19日7 月19日 9月19 日11月 19日1 月20日 7月20 日9月 20日11 月20日 3月21 日9月 21日9 月21日 11月21 日9月 21日1 月22日 7月22 日9月 22日9 月22日 9月22 日9月 22日1 月23日 3月23 日1月 23日 -30% 资料来源:DRAMeXchange，美国银行全球研究 美国银行全球研究 资料来源:DRAMeXchange，美国银行全球研究 美国银行全球研究 图表10：韩国半成品出口-每月十亿美元 月环比下降15%，但在2024年1月仍有弹性，为94亿美元 14十亿美元/百万 图表11：韩国半成品出口-每月十亿美元的同比变化2024年1月（+56%）同比大幅反弹，甚至强于2020-21年的复苏 2 0 8 64 80% 1 60% 140% 20% 0% -20% 2-40% 7月14日1月15日1月16日1月17 日1月17日1月18日1月19日1月20日1月21 日1月22日7月23日1月23日1月24日 0-60% YoY 资料来源:MoTIE，美国银行全球 研究美国银行全球研究 资料来源:MoTIE，美国银行全球 7月14 日1月 15日1 月16日 1月17 日1月 17日1 月18日 1月19 日1月 20日1 月21日 1月22 日7月 23日1 月23日 1月24 日 研究美国银行全球研究 图表12：DRAM现货价格和韩国半成品出口-同比变化由于HBM和DDR5，韩国semis出口增长好于现货 图表13：DRAM现货价格和韩国半成品出口-同比变化指数(历史平均值100) 韩国半成品出口在1月24日显示出上升周期水平，而DRAM现货价格仍接近周期中期水平 140%YoY% 100% 60% 20% DRAM斑点韩国semis出口 140 120 DRAM斑点韩国semis出口 -20% 1月13日7月13日1月14日 Jul-14Jan- 15Jul -15 Jul- 16Jul -16 Jul- 17Jul -17 Jul- 18Jul -19 J安ul-20年7 月20 Jul-21 Jan-22 Jul-22 Jan- 23Jul -23 Jan- -60% 100 80 1月17日7月17日1月18日1月19 日7月19日1月20日1月21日1月22日7月23 日 Jan-24 60 资料来源:DRAMeXchange,MoTIE,美国银行全球研究 美国银行全球研究 资料来源:DRAMeXchange,MoTIE,美国银行全球研究 美国银行全球研究 图表14：SEC-普通股与优先股价差 截至2024年2月，SEC普通股和优先股之间的价差已扩大至接近20％，而2021-22年约为10％ 附件15：SEC-12个月前市盈率-普通股和优先股优先股和普通股的市盈率差距显示为4年高点 P/B-普通P/B-首选 30%a. 2.5 20% 10% 2月16 日-8 月16日 -2月 17日-8月17日-8月18日 -2月 19日-2月20日-2月21日 -2月 21日-2月22日-2月23日 0% 2 1.5 1 0.5 2月 12日 13日 14日 15日 / / / / / 16