CIS行业专题报告：终端需求复苏与创新技术共振，国产CIS再上新台阶

分析师：毛正 SAC编号：S1050521120001 联系人：张璐 SAC编号：S1050123120019 行业专题报告 证券研究报告 终端需求复苏与创新技术共振，国产CIS再上新台阶 CIS行业专题报告 投资评级：推荐（维持） 报告日期：2024年04月26日 CIS成图像传感器主流，下游应用新趋势拉动CIS需求旺盛 和CCD相比，CIS因其在处理速度、能耗、成本、制造和堆叠式结构等方面的优势，能以更快速度将光信号转化为电信号，逐步替代成为图像传感器的主流。CIS在摄像头模组中的成本占比高达52%，龙头毛利较高，随着下游以消费电子、车载摄像头和安防监控为主的应用逐渐渗透，市场对CIS的数量和像素、感光面积、功能、能耗、成像效果等提出了新的需求。 国产CIS逐步取得突破，2024年预计迎来新一轮上行周期 CIS行业壁垒较高，海外龙头索尼和三星已占据接近80%的市场份额，国产替代空间仍然巨大，目前已形成在主流50MP大底CIS产品方面的突破。尽管CIS市场在2022年受手机行业寒冬的影响，库存压力较大，但随着2023年Q4手机市场温和复苏和安防市场的升温，2024年Q1迎来三星对CIS产品的调涨，有望在Q2逐步传导，叠加折叠屏手机迅速成长的新蓝海，有望于2024年迎来CIS的新一轮增长。 下游需求复苏，国产50MP产品破局，给予CIS行业投资评级：推荐 基于半导体行业的周期性复苏以及下游折叠屏手机端对CIS需求的上升，国产CIS将迎来快速发展阶段。面对50MP芯片的上行需求，韦尔股份、思特威以及曾经主导低像素的格科微都逐步推出相应产品，给予CIS行业“推荐”评级，建议关注CIS 国内制造龙头企业韦尔股份、格科微、思特威以及掌握CIS先进封装技术的晶方科技。 公司代码 名称 2024-04-25股价 EPS PE 投资评级 2022 2023E 2024E 2022 2023E 2024E 603005.SH 晶方科技 16.52 0.35 0.23 0.46 53.18 95.48 35.87 未评级 603501.SH 韦尔股份 93.88 0.84 0.90 2.26 111.76 104.31 41.54 买入 688213.SH 思特威-W 45.91 -0.21 0.64 1.01 -218.62 71.73 45.46 买入 688728.SH 格科微 15.15 2272.24 0.08 0.14 0.01 189.38 108.21 增持 资料来源：Wind，华鑫证券研究（注：未评级公司盈利预测取自wind一致预期） 行业竞争加剧的风险；新技术研发的风险；技术产业化的风险；成本上升的风险； 下游需求不及预期的风险； 推荐公司业绩不及预期的风险。 目录 CONTENTS 1.CIS优势成图像传感器主流，五大工艺助力升级发展 2.下游应用新趋势拉动CIS量、质新需求 3.国产CIS取得突破进展，2024年开启 新一轮增长 4.相关标的 01CIS优势成图像传感器主流， 五大工艺助力升级发展 相机作为一种媒介，可以记录光所体现的物体，使人们能够主观或者客观地表达各种情感和思想。当代人类身处一个所谓的“数字游牧时代”，人们携带各类移动数码设备，生活不受时空的限制。在当今时代，相较于胶片相机，配备图像传感器的数码相机的使用范围更广。同时，当今也是配备数码相机功能的智能手机时代。在用于记录人们日常生活和美好回忆的数码相机或智能手机相机中，图像传感器的作用类似于胶片相机中的胶片。图像传感器在将通过镜头接收的拍摄对象信息转换为电子图像方面起着关键作用。 图像传感器历史沿革： •20世纪50年代，光学倍增管（PhotoMultiplierTube，PMT）出现。 •1965年至1970年，IBM、Fairchild等企业开发光电以及双极二极管阵列。 •1970年，CCD图像传感器在Bell实验室发明，依靠其高量子效率、高灵敏度、低暗电流、高一致性、低噪音等性能，成为图像传感器市场的主导。 •20世纪90年代末，步入CMOS时代。 光学倍增管（PMT） 光电以及双极二极管阵列 CCD图像传感器 CMOS图像传感器 1960s 1970s 1980s 1990s 2000s 2010s 资料来源：智东西，华鑫证券研究 图像传感器主要分为CCD图像传感器和CMOS图像传感器（CIS）。 CCD即电荷耦合器件（Charge-CoupledDevice）的简称。它由许 多感光单位组成，通常以百万像素为单位。当CCD表面受到光线照射时，每个感光单位会将电荷反映在组件上，所有的感光单位所产生的信号加在一起，就构成了一幅完整的画面。 CIS即互补金属氧化物半导体图像传感器（CMOSImageSensor） 的简称。CIS是一种光学传感器，其功能是将光信号转换为电信号（指随 着时间而变化的电压或电流），并通过读出电路转为数字化信号。 CCD像元产生的电荷，需要先寄存在垂直寄存器中，然后分行传送到水平寄存器，最后单独依次测量每个像元的电荷并放大输出信号。而CIS则可以在每个像元中产生电压，然后通过金属线，传送到放大器输出，速度更快。 CCD将光生电荷从一个像素移动到另一个像素，并在输出节点将其转换为电压。CIS在每个像素上使用多个晶体管，将每个像素内的电荷转换为电压，以使用更传统的导线放大和移动电荷。 资料来源：睿怡科技，IT之家，华鑫证券研究 图表：CCD和CIS成像区别 对比项目 CCDvsCIS CCD CIS 图表：CCD和CIS对比 像元信号电荷电压 图像质量 高 稍低 图像分辨率高稍低 处理速度 低（并行数有限） 高 对光的敏感度 更高 较低 噪音较小稍高（现差距缩小） 能量消耗更多较少 发热 成本快门 制造难度 更多 昂贵全局快门 （几乎同时捕捉所有光线） 复杂 较少 更便宜滚动快门 （从上到下分行曝光） 简单 资料来源：eet-china，华鑫证券研究 一、深层光电二极管成型工艺技术 消费者对更清晰的图像品质的渴望引发了移动端CIS的像素密度和分辨率竞争，进而加速了CIS工艺技术的发展。在相同的芯片尺寸上要增加像素数量，就需要不可避免地缩小单一像素的尺寸。深层光电二极管的形成是防止图像质量下降的关键技术。为了在更小的像素中确保足够的满阱容量（FullwellCapacity,FWC），与半导体存储器相比，CIS需要采用难度更高的图像形成技术。尤其需要确保高纵横比（>15:1）植入掩码 （ImplantMASK）工艺技术，以阻止高能量离子的植入。事实上，目前 纵横比在业内有逐步提高的趋势。二、像素间隔离处理技术 将像素彼此隔离的技术对于制作高清CIS至关重要。如果采用过时的 隔离技术，可能会造成各种图像缺陷，如混色、散色等。每家芯片制造商都具备不同的隔离技术。在CIS市场中，更高的像素密度和更高的分辨率正逐步成为业界通用标准，而隔离处理技术的水平差异也正成为衡量CIS品质的重要指标。隔离过程中可能会出现各种问题。为此，人们正在做出巨大努力，选择更好的设备，开发新方案，以期提高CIS产品线的良品率 及产品质量。 图表：光电二极管结构随像素尺寸减小而变化的示意图 资料来源：SK海力士，华鑫证券研究 三、彩色滤波阵列（CFA）处理技术 彩色滤波阵列是有别于半导体存储器制造工艺的CIS独有的工艺。CFA工艺一般由彩色滤波器（CF）和微透镜（ML）组成，前者可将入射光过滤成红、绿、蓝各波长范围，后者可提高光凝聚效率为了获得优良的图像品质，开发和评估R/G/B彩色素材并开发相关技术以优化形状、厚度等工艺条件非常重要。近年来，得益于Bayer和Quad等应用技术与CFA的基本构造相结合的技术发展，一系列高质量、高功能的CIS产品不断涌现。 红色通道像素 25% 绿色通道像素 50% 蓝色通道像素 25% 图表：彩色滤波阵列（CFA）结构 资料来源：SK海力士，华鑫证券研究 四、晶圆堆叠工艺 晶圆堆叠是指将两个晶圆连接在一起。这是制作高像素、高清晰度的CIS产品的必备技术。对于高像素CIS产品，像素阵列和逻辑电路分别在个别晶圆上形成。这些晶圆在工艺期间被连接在一起而这一过 程被称为“晶圆键合（WaferBonding）”。像素阵列和逻辑电路的 分离意味着制造成本的增加但同时也意味着可以在同等晶圆面积上生产更多芯片;不仅如此，这还有助于提高产品的性能。因此，这是目前大多数CIS芯片厂商所采用的技术。晶圆堆叠技术正以各种形式不断发展。近年来，晶圆堆叠技术也被应用于半导体存储器领域，促进了产 品性能的提升。 图表：晶圆堆叠结构示意图 资料来源：SK海力士，思特微，华鑫证券研究 五、有助于CIS良品率和产品质的控制技术 控制金属污染是CIS产品开发和量产过程中最 基本的前提条件之一。由于CIS产品对污染的敏感度是存储器产品的数倍，且污染会直接影响CIS产品的良品率和质量，因此CIS的生产必须采用各种 污染控制技术。另一个重要因素是等离子体损伤控 制。由于图像属性的损坏（如热像素）是在工艺过 程中造成的损伤而发生的，因此有必要对关键工艺进行精确管理。 图表：思特微CIS产品拥有更佳的耐高温成像表现 图表：前照式vs背照式 根据结构技术可将CIS分为前照式（FSI）、背照式（BSI）和堆叠式 （Stacked）三种。 早期的CIS产品像素采用前照式（FSI）结构，这种结构将光学结构置 于基于CMOS工艺的电路上。这项技术适用于像素尺寸为1.12μm及以上的大多数CIS解决方案。 背照式（BSI）CIS的像素部分和电路部分在同一层，其下层是“支 撑基板”，是在背面收集光线的光学结构。这样可以消除前照式中金属线路造成的干扰，在同一大小像素的条件下光线通过的空间更大，从而可提高量子效率。背照式的突破，使得CIS在众多专业领域获得青睐，并加速了其对CCD的取代。 堆叠式（Stacked）则采用电路芯片代替支撑基板，与芯片像素部分 重叠设置。这种结构将电路搬到下层，就可以缩小芯片面积，满足智能手机的小型化、多功能需求。 资料来源：SK海力士，索尼，华鑫证券研究 图表：背照式vs堆叠式 堆叠式结构的关键在于连接。这要将构建了“逻辑电路部”的带图案的晶圆打磨到极致平坦，然后与“像素部”的晶圆紧密贴合，避免空气进入。“像素部”的晶圆与“逻辑电路部”的晶圆之间是依靠电连接的，因此，不允 许一点点偏差，需要非常先进的技术。 Cu-Cu连接实现堆叠式CIS高密度化。第一代堆叠式CIS使用TSV工艺将传感器芯片连接到逻辑芯片。随着后续工艺的创新和发展，开始利用Cu-Cu连接替代TSV，Cu- Cu连接是感光像素芯片与逻辑电路芯片通过在各堆叠面上构建的Cu焊盘直接连接的方式。这种连接方式无需穿透感光像素芯片，也不需要专门的TSV连接区域，因此，可以实现CIS的进一步小型化和生产效率的提升。 资料来源：索尼，MEMS，华鑫证券研究 图表：堆叠式结构 图表：从TSV连接发展到Cu-Cu连接 堆叠式CIS从双层走向三层，提升互联密度。2017年索尼推出行业内首个配备DRAM的三层堆叠式CIS，在传统的背照 结构像素层和预装电路芯片的信号处理电路层之间加入了DRAM层充当缓存，大幅提升了CIS处理数据的速度。堆叠式逐步主导了CIS市场90%以上的份额，三层堆叠会在技术愈发成熟后走向普及，CIS的多层堆叠是未来的趋势。 图表：双层堆叠式CIS 图表：加入DRAM层的三层堆叠式CIS 图表：堆叠式主导CIS市场90%以上的份额 100% 90% 80% 70% 60% 50% 40% 30% 20% 10% 0% 2011201220132014201520162017201820192020 前照式背照式堆叠式（2层）堆叠式（3层） 资料来源：索尼，《The-State-of-the-ArtofCMOSImageSensors》，